光电器件用铟锡氧化物ITO薄膜的制备及特性研究

本文采用真空瞬时蒸镀加氧化热处理方法在玻璃和硅衬底上生长出ＩＴＯ）铟锡氧化物薄膜。电阻率～１０￣（－２）Ωｃｍ，可见光区几乎透明，透射率达９４％（６３２８Ａ单色光源）。采用Ｘ光衍射和ＳＥＭ技术分析了氧化热处理前后薄膜中组份及微结构的变化。ＩＴＯ／ｐ－Ｓｉ异质结在日照下（ＡＭ１．５，１００ｍｗ／ｃｍ￣２）开路电压达１８０ｍｖ，该方法制各的ＩＴＯ膜可作为光电接收电极层有效地应用在各类光电器件上。     

多摩擦盘无级调速器设计制造中的几个问题

本文仅就多摩擦盘无级调速器的运动设计、传动分析和关键件的选材、加工和装配等问题，提出粗浅看法，供有关设计和生产部门参考。     

双路信号电源监测及故障记录装置研究

介绍了双路信号电源监测装置的工作原理、实现方法、主要功能与抗干扰措施。     

枪击式快速落刀装置的研制

本文介绍了枪击式快速落刀装置的结构、原理及特点。理论分析和试验结果表明,在15m/s 以下的切削速度范围内,本装置可在10~(-5)s 内使刀具脱离工件。     

用于测量金属板厚的电光双稳光纤传感法

光纤传感法测量金属薄板厚度中,引入了电光双稳装置,以增强光强的稳定性、提高测量精度．实验表明,干涉法不宜采用多模光纤,而改用反射式强度调制型多模光纤传感器,亦可得到位移和光强的关系曲线以及满意的测量结果．     

半导体器件模拟中求解载流子方程的混合算法

针对半导体器件模拟中载流子方程两种基本算法在高注入条件下的不足，提出了一种混合算法。经过理论分析和实际计算表明：这种算法对求解高注入条件下的载流子方程是有效的。     

基于高速单片机控制的电气设备智能测试系统

介绍一种基于DS89C450嵌入式高速单片机、带数据掉电保护及实时时钟记录等功能的电气设备智能测试系统,同时针对其在电脑刺绣数控机床上的应用做了一些功能细化.系统采用上下位架构设计理念,通过通信方法有机联接系统,借用流行的单片机技术与VB技术加于实现.实践证明该系统有较高的性价比及较为广阔的应用前景.     

包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型

高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.为有效表征这一特性,使用标准器件建立子电路模型,通过合适的器件选择和参数设置来模拟负阻效应.同时,根据不同沟道区域的饱和原理,采用不同的模型与参数进行模拟,使子电路适用于不同栅压和漏压.子电路具有精确的模拟性能,在电路模拟中,可以作为一个黑匣子直接调用,克服传统BSIM3模型模拟上的不足.     

基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算

针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型,计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6．3meV,自由激子复合概率和束缚激子分裂概率的比为0,006等参数比较符合物理事实．并得到了束缚激子和自由激子的发光强度与温度和注入电流的相互关系、结果表明激子在位错环发光器件中具有重要作用。     

Study on temperature characteristics of organic light-emitting diodes based on tris-（8-hydroxylquinoline）-aluminum

Both single-layer and double-layer organic light-emitting devices based on tris-（8-hydroxylquino- line）-aluminum （AIq3） as emitter are fabricated by thermal vacuum deposition. The electroluminescent characteristica of these devices at various temperatures are measured, and the temperature characteristics of device performance are studied. The effect of temperature on device current conduction regime is analyzed in detail. The results show that the current-voltage （I-V） characteristics of devices are in good agreement with the theoretical prediction of trapped charge limited current （TCLC）. In addition, both the charge carrier mobility and charge carrier concentration in the organic layer increase with the rise of temperature, which results in the monotonous increase of AIq3 device current. The current conduction mechanisms of two devices at different temperatures are identical, but the exponent m in current-voltage equation changes randomly with temperature. The device luminance increases slightly and the efficiency decreases monotonously due to the aging of AIq3 luminescent properties caused by high temperature. A tiny blue shift can be observed in the electroluminescent （EL） spectra as the temperature increases, and the reduction of device monochromaticity is caused by the intrinsic characteristics of organic semiconductor energy levels.