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本文计及了纵光学声子和面光学声子,利用 Haga 的方法,得到了极性晶体膜中磁极化子的能谱.并讨论了朗道能级的修正与磁场和膜厚的关系.数值计算表明,当膜极薄时膜中磁极化子呈现为二维的特征;在随着膜厚的增加,磁极化子性质趋向三维的情形. 相似文献
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讨论了电子自旋对表面磁极化子特性的影响.应用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对电子与表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子自陷能Etr磁场特性的影响.以TlB r晶体为例所作的数值计算结果表明:电子自旋使Etr分裂为二,且随磁场B的加强,分裂间距增大;若电子与光学声子耦合强,自旋量子数mS取-1/2时,Etr随B的加强而增大,mS取1/2时Etr随B的加强而减少;若电子与光学声子耦合弱,不论mS取何值,Etr都随B的加强而减少;不论电子与光学声子耦合强还是弱,电子自旋作用对Etr的影响都随B的加强而增大. 相似文献
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本文发展了Larsen的微扰理论,研究了任意磁场强度和有限温度下,GaAs/GaAlAs 量子阱中磁极化子的自陷能与磁场和温度的关系.同时考虑了电子与体内纵光学模(BO)和表面光学模(SO)声子的相互作用,结果表明:磁极化子的自陷与温度的关系与磁场强度的大小密切相关,对电于准二维系统,电子与SO 声子的相互作用起着很明显的作用. 相似文献
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赵凤岐 梁希侠 班士良 富泉 ZHAO Feng-qi Liang Xi-xia Ban Shi-liang B·Fuquan 《内蒙古师范大学学报(自然科学版)》1999,28(3):184-190
在弱磁场条件下研究有限量子阱中磁性极化子特性．能级计算中包括了４ 支界面声子、定域体声子和势垒体声子．同时,考虑了导带非抛物性对能级和回旋质量的影响,给出量子阱 Ｇａ Ａｓ／ Ａｌ０ ．３６ Ｇａ０ ．６４ Ａｓ 中体声子和界面声子对能级和回旋质量贡献的数值结果,并进行讨论．研究发现,在弱磁场条件下狭窄量子阱中势垒体声子和界面声子的贡献比较大,而在宽量子阱中定域体声子的贡献大．磁性极化子回旋质量随磁场 Ｂ 增大而增大,若考虑导带非抛物性修正,所得结果与实验结果基本一致． 相似文献
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肖景林 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》1998,(1)
本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的温度效应。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的温度特性,研究了表面磁极化子的振动频率和诱生势的温度依赖性。第四节用线性组合算符和拉格朗日乘子法研究了二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面磁极化子的性质。 相似文献
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研究磁场中束缚极化子声子平均数的性质，采用线性组合算符和变分法讨论了磁场中强、弱耦合极化子的振动频率和光学声子平均数与磁场B和库仑势的关系，以RbCl晶体为例进行了数值计算，结果表明：强耦合束缚磁极化子的振动频率λ和声子平均数N随磁场B和库仑势的增加而增大。 相似文献
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极性晶体膜中的强耦合磁极化子 总被引：2，自引：0，他引：2
应用变分法研究了极性晶体膜中强耦合磁极化子的性质,给出基态和激发态的系统能量,重点研究了系统处于基态和激发态时的电子－表面声子相互作用能．计算结果表明,在磁场强度一定的条件下（Ｂ＝９Ｔ）,电子－表面声子相互作用能随着膜厚的增加而减小;在一定膜厚的条件下（Ｗ＝３ｎｍ）,电子－表面声子相互作用能随着磁场强度的增加先增大而后缓慢减小,当Ｂ＝３０Ｔ时,｜Ｖｅ－ＳＯ（１）｜和｜Ｖｅ－ＳＯ（０）｜之间的差最大． 相似文献
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本文研究晶体中通过形变势二维磁极化子的性质,采用线性组合算符法和变分法导出了二维电子与表面光学（ＳＯ）声子和表面声学（ＳＡ）声子弱耦合二维磁极化子的基态能量。 相似文献
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多原子晶体中表面磁极化子的回旋共振性质 总被引：1，自引：0，他引：1
本文研究磁场中多原子晶体中表面电子和表面光学声子相互作用的性质。采用改进了的线性组合算符分别导出强、弱耦合情形下表面磁极化子的振动频率和回旋共振质量。 相似文献
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本文研究极性半导体中电子与表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质 ,讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响。 相似文献