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41.
模拟和验证了一种低成本的,以标准CMOS工艺为基础,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理,相应提出了高压器件中所做出的改进,列举了该工艺技术中所用的特殊版图;对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟;将模拟结果与实际测试结果进行了比较,验证了这种高压工艺技术的实用性。 相似文献
42.
43.
研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。 相似文献
44.
45.
感应电会对人体造成伤害。从电磁感应和静电感应原理入手,分析了产生感应电的过程,并就如何防止感应电的危害提出了防护对策,有一定实用价值。 相似文献
46.
47.
采用随机域外奇点法对轴拉杆件进行了分析.考虑杨氏模量的不确定性,得到了不同相关类型、不同相关长度下的解析解,并分析了相关类型、相关长度以及随机场中点离散法对位移方差的影响. 相似文献
48.
用CCD测量单缝宽度的一种实验室方法 总被引:1,自引:0,他引:1
根据单缝夫琅和费衍射原理 ,介绍利用CCD测单缝宽度的一种实验室方法 ,并对测量误差等问题进行了讨论 相似文献
49.
给出了介观耗散互感耦合电路的量子化方法,并在介观电路中电荷量子化的基础上给出了介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞条件. 相似文献
50.
高Q-腔中量子化平移运动与原子内态布居的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了在驻波腔场中两能级原子的量子化平移运动与原子内态布居间的相互影响。结果表明原子量子化平移运动敏感地依赖于原子的内态布居。 相似文献