Finesse 全瓷冠适合性的体外实验研究

目的 :测量Finesse全瓷冠的边缘浮出量及粘固剂的厚度 ,并与金属全冠及金瓷全冠相比较 ,为Finesse全瓷冠的临床应用提供适合性方面的理论依据。方法 :用片切法测量 3组全冠粘固前、后边缘浮出量及粘固剂的厚度。结果 :Finesse全瓷冠粘固前、后的边缘浮出量分别为 (37 6 1± 9 13) μm、(6 5 85± 15 11) μm ,粘固剂厚度为 (40 84± 9 73) μm ,与金属全冠及金瓷全冠相比较 ,均无显著性差异 ;3组全冠粘固前和粘固后的边缘浮出量有显著性差异。结论 :Finesse全瓷冠适合性良好 ,完全可为临床应用 ;粘接对全冠修复体的边缘浮出量有影响。     

生长素对乔纳金苹果试管苗生根的影响

以三倍体苹果品种乔纳金试管苗顶部茎段为试材，将其接种于添加不同生长素及其组合的MS(基本培养基)中，研究IAA、IBA、NAA 3种生长素对苹果试管苗生根的不同效应。结果表明：3种生长素均可诱导乔纳金试管苗生根，且组合处理的效应普遍优于单种激素，其中以MS IBA 0．8mg／L IAA 0．7mg／L为最好，其生根率达92％。     

我国股票市场的价值基础及价格泡沫研究

借助剩余收益模型测定了我国股票市场1992年至2002年历年年末的市场价值基础,并探讨了股票市场价格泡沫问题.研究结果表明,尽管上市公司的盈利能力不断下降,但市场的价值基础并未出现明显下降;由于市场的不成熟,我国股票市场中的泡沫成分较多;股价指数及市盈率指标不具有价格泡沫及投资价值的判断功能.     

一种低功耗电子系统的设计

根据设计电子式多用户水表等电子系统的实践，阐述了低功耗电子系统的设计中出现问题解决的思路。对于如何降低单片机系统的功耗，本文给出了设计的电子式多用户水表的硬件解决方案和降低功耗的软硬件措施，这一硬件方案和降耗措施，可应用于其他多种低功耗仪器的设计。     

包含式完全正则(T*3(1/2))是相对可乘的

本文讨论包含式完全正则空间（T31/2^＊）关于相对积拓扑的可乘性问题．     

浅析庄子"生命之道"的美学精神

庄子之道是“生命之道”,庄子的体道工夫其实是对生命的感悟与体验。庄子在无主观自觉意识的情况下,不期然地通向了审美之路,而庄子所梦寐的生命境界之提升得以实现,体现出独有的美学精神。     

Researching on quadrature conversion structures For an UWB demonstrative receiver

1. INTRODUCTION As the development of technologies of digital signal processing and integrated circuits, the structure of wireless communication system has been improved. Many schemes for software defined radio (SDR) systems have been developed since 1995, and they can be divided into five tiers of solutions according to their developing history and their definitions[1]. The five tiers are conventional hardware-implemented scheme; software-controlled radio scheme; SDR, that implements m…     

食管癌患者硒营养状况的评价

以机体硒水平，ＧＳＨ－Ｐｘ，ＳＯＤ的活性，相关的抗癌致癌元素的综合效应比值，食管癌死亡率与硒等元素的多元回归分析及ＭＤＡ的含量等合指标，评价食管癌患者的硒营养状况，结果表明，食管癌患者的营养状况差，表现为：硒水平低、含硒酶ＧＳＧ－Ｐｘ以及抗氧自由基的ＳＯＤ活性差，脂质过氧化加剧；ＭＤＡ含量高将使核酸，蛋白质含等含氨基活性物质产生交联反应而使细胞失活，食管癌患者硒营养状况差，与癌肿的一定相关关系，是     

采用自举技术的不完全绝热电路

为了大规模集成电路的低能耗应用,提出了一种不完全绝热电路——自举能量回收逻辑电路(bootstrapenergyrecoverylogic,BERL)。该电路采用二相无交叠功率时钟。由于采用自举技术,使负载的冲放电过程不会产生非绝热损失,并且输出开关的导通电阻变小,使绝热损失降低。为了比较BERL电路与静态CMOS电路及PAL-2n绝热电路的能耗,设计了反相器链电路。Hspice软件仿真结果表明,BERL电路的工作频率可以超过400MHz。在10～100MHz下,BERL能耗只有静态CMOS电路的25%～33%。相对于PAL-2n电路,BERL也有较低的能耗。在200MHz下,BERL能耗只有PAL-2n的50%。负载越重,BERL电路的低能耗优势越明显。