21世纪先进发射药:低敏感高能发射药(1)--新材料和新实验技术

现代先进武器系统对弹药提出了大威力和高生存能力的要求，研究开发低敏感高能发射药必将成为21世纪发射药及其装药发展的大趋势。该文讨论了低敏感高能发射药的研究背景和意义。详细讨论和分析了发达国家在低敏感高能发射药领域涉及的新材料和新实验技术方面的最新研究进展和成果。指出了我国正处于跨越低易损性发射药的发展阶段，可直接制定并实施兼具低易损性和高能特点的低敏感高能发射药的研究计划。     

大范围运动空间梁的耦合动力学模型

从连续介质力学原理出发，对作大范围运动的空间梁建立耦合动力学模型．在纵向变形中计及了变形位移的二次耦合变形量，基于Jourdain速度变分原理导出作大范围运动的空间梁的动力学方程．将耦合动力学模型的仿真计算结果与不计二次耦合变形量传统的建模理论进行比较表明，在大范围运动的侧向角速度和浮动基基点的纵向加速度较大的情况下，二次耦合变形量对系统的刚—柔耦合动力学性质产生一定的影响．     

氧电极催化剂的组成对H2O2分解活性的研究

以CuCl2和FeCl3原料，采用NaOH溶液中沉淀，并将沉淀物在空气中加热、氧化一还原、脱水的方法，制备不同Cu：Fe氧化物的催化荆(X=0．5、1．0、1．5、2．0、2．5、3．0)，分别以各催化剂在其他条件相同的情况下，催化分解H202，测定各反应的速率常数。并进行对比，以K对X作图表示活性与配比的关系。得出Cu，Fe3-xO4 Cu：Fe(X=2．5)时催化活性最高。     

1种单片机实现步进电机的加、减速控制

分析了步进电机加减速时失步、爬行的原因，探讨了单片机控制实现加、减速控制的方法。     

步进电机升降速的离散控制

介绍了步进电机升降速的计算方法，用离散法对步进电机升降速的过程进行了处理，并用C语言编程实现了单片机对步进电机升降速的离散控制。     

一种电流求和型的低功耗Bandgap电压基准源

为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40～ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用     

一种大功率无刷直流电机控制器的研究

针对某雷达天线方位驱动电机,从工程应用方面出发,分析了电磁感应传感器型无刷直流电机的运行原理,并基于高电压、大功率PWM技术,提出了一种大功率无刷直流电机的驱动控制器.     

利用单片机实现直流他激电机的无触点无级调速系统

以比例式零压法为基础 ,提出了直流他激电机的无触点无级调速控制方案和对低压电机用场效应管替代晶闸管的办法 .利用单片机直接控制晶闸管 ,解决了触点寿命问题 .通过单片机的计数口检测电机轴脉冲轮的脉冲信号可实现电机的速度控制和位置控制 .检测和控制都避开了 A/D和 D/A转换 ,具有一定的实用价值 .     

低渗透油藏不稳定渗流规律的研究

用无因次分析法对低渗透岩心的实验数据进行了分析 ,得出新的渗流规律。具体表述为 :低于亚临界雷诺数 (Rem=8.5× 10 -5)为非达西渗流 ,其运动方程为v =c(dp/dl) 3 ;高于亚临界雷诺数为达西渗流。从微观角度出发 ,应用边界层理论进一步证实了这一渗流规律。运用新的运动方程 ,建立了低渗透油藏不稳定渗流的数学模型。根据拉氏变换和Stehfest数值反演 ,求得了有限半径井的实空间近似解 ,并应用数值分析方法验证了近似解析方法的可行性。对低渗透油藏的压力动态特征以及边界对压力动态影响的分析结果表明 ,低渗透油层试井曲线的压力动态特征为 :短时曲线与达西渗流模型相似 ,而长时曲线则受到非达西渗流的影响。对于恒压边界油藏 ,压力趋于稳定的时间比达西渗流要迟一些 ;在无限大地层中 ,其导数曲线是一簇平行的倾斜线。对于同一区域低渗透油层试井曲线 ,其导数曲线出现“阶跃”的时间较迟的井区 ,流动系数比较好 ;反之则较差     

滨南油田低渗欠注井酸化增注技术研究与应用

提出了一种针对滨南低渗油田欠注井酸化增注的系统实验研究方法。根据储层特征分析了注污水和重复酸化对地层的损害及对酸化液的选取原则。根据长岩心酸化流动模拟实验进行了酸化工艺参数优选及其评估分析。现场施工证明该酸化液体系适应性较好 ,工艺参数合理 ,能够较好地解除地层中有机物和无机物堵塞 ,提高注水量 ,降低泵注压力 ,在低渗油田注水井中具有推广价值。