低聚丙烯酸钠用于纳米氧化锌表面改性的研究

利用低聚丙烯酸钠对纳米氧化锌进行表面改性，通过对6种不同的分散剂分散效果的比较，研究了低聚丙烯酸钠改性纳米氧化锌水分散性体系的稳定性；并利用透射电镜技术观察了水分散体系的形貌。结果表明，低聚丙烯酸钠表面改性纳米氧化锌水分散性体系的稳定性比其它分散剂分散效果好的多，其水分散性体系的形貌为单包敷结构的珠链状纳米粒子；同时认为低聚丙烯酸钠改性纳米氧化锌水分散性体系稳定性的主要因素有3个方面，即纳米胶粒间的排斥力、低的表面张力、高的空间位阻，并提出了相关模型。     

RC耦合单管放大电路低频特性的分析

放大电路低频特性是放大器的重要特性参数之一。本文利用h参数低频等效电路，从放大电路的整体出发，把射极旁路电容Ce，以阻抗的形式分别折算到放大电路输入、输出回路中，分析其频率响应特性。     

电爆炸过程导体放电电阻的一种计算模型

电爆炸过程是电热炮等离子体发生器工作中重要的组成部分。该文将电爆炸过程分为5个阶段加以讨论，同时应用了等离子体电导率的计算模型以及脉冲功率源放电回路模型，最终建立了可以应用于等离子体发生器数值模拟的电爆炸过程导体放电电阻的计算模型。     

21世纪先进发射药:低敏感高能发射药(1)--新材料和新实验技术

现代先进武器系统对弹药提出了大威力和高生存能力的要求，研究开发低敏感高能发射药必将成为21世纪发射药及其装药发展的大趋势。该文讨论了低敏感高能发射药的研究背景和意义。详细讨论和分析了发达国家在低敏感高能发射药领域涉及的新材料和新实验技术方面的最新研究进展和成果。指出了我国正处于跨越低易损性发射药的发展阶段，可直接制定并实施兼具低易损性和高能特点的低敏感高能发射药的研究计划。     

玉米候选抗病相关基因片段的克隆

根据已经克隆的植物抗病基因和候选抗病基因的保守序列P-loop、Kinase-2及GLPLAL设计一系列简并引物，利用同源序列扩增法，对玉米的基因组DNA进行PCR扩增，并对5个扩增产物的克隆进行测序．测序结果在Gen—Bank内进行BLAST检索，发现A9克隆序列与玉米BAC库中的206C17克隆的部分序列有很高的相似性，并且距离GenBank内注册的玉米抗锈病基因rpl位点中的rpl-3基因、rpl-4基因分别约有66Kb、20Kb，且A9克隆序列在玉米基因组中是单拷贝的．这为玉米抗锈病性状的分子标记辅助选择和抗锈病基因的克隆奠定了良好的基础。     

负载BaCeO3/γ-Al2O3催化剂的储氮和抗硫特性

用XRD、FT-IR等手段研究了钙钛矿型BaCeO3系列样品的晶相和氮氧化物吸收物种,并测定了它们的储氮量(NSC). 结果表明:加入贵金属反而使NSC降低. 而对于负载的BaCeO3/γ-Al2O3样品,加入贵金属后,NSC值提高了3倍以上,其顺序为Pt>Rh>Pt-Rh. 结果还表明,BaCeO3和Pt/BaCeO3样品在φ(SO2)<0.006 %时,仍具有较高的NSC值,而Pt/BaCeO3/γ-Al2O3样品不但具有很高的储氮能力而且具有更好的抗硫性能.     

长圆柱形接地体接地电阻的计算

用一种较简捷的方法导出了长旋转椭球导体的电位,从而近似计算了长圆柱形接地体的接地电阻.     

一种电流求和型的低功耗Bandgap电压基准源

为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40～ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用     

挠性结构模型的频域极大似然法辨识

在构建的以压电陶瓷为执行器、电阻式应变片为传感器的挠性悬臂梁物理实验系统基础上,优化设计多正弦辨识输入信号,利用频域极大似然法辨识得到了整个系统的数学模型,并根据该模型进行了数字和物理控制仿真,验证了模型的有效性.良好的控制效果表明:对于挠性结构,频域极大似然法是一种有效的模型辨识方法.     

高效节能仿生深松部件的试验

借助田鼠爪趾弯曲轮廓形状的测定结果，设计、制作了一种仿生弯曲型深松部件，通过室内大型土槽试验测定了其耕作阻力，结果表明所设计的仿生深松部件减阻效果明显。通过本文的研究为弯曲型深松部件的高效节能改进设计提供了仿生研究的基础。