X、Ku波段宽带低噪声放大器的设计

文章利用有损匹配的方法设计了一种覆盖X、Ku波段的宽带低噪声放大器,其工作频率为8～18 GHz,带内功率增益大于32 dB,增益平坦度小于3 dB,输入输出端口的回波损耗S11和S22均优于-7 dB,噪声系数小于2.8 dB,最大输出功率为16 dBm,且具有工作频带宽、输入输出匹配结构简单的特点.     

响应面优化算法在被动式低能耗建筑设计中的应用

被动式低能耗建筑设计过程计算量大,涉及变量多,不同变量间关系错综复杂,传统方法无法获取复杂变量的最优解集,不能保证被动式低能耗建筑设计不同目标函数达到最优。为此,将响应面优化算法应用于被动式低能耗建筑设计中。将最大化舒适度、最小化耗能率作为被动式低能耗建筑设计的目标函数。通过拉丁超立方实验设计方法,获取被动式低能耗建筑设计优化问题的设计空间;在设计空间中随机抽样。在此基础上,通过最小二乘法拟合建立响应面模型。利用遗传方法对拟合响应面模型进行改进和更新处理,直至达到收敛,保证被动式低能耗建筑设计达到低能耗率、高舒适性的目的。实验结果表明,响应面拟合准确性高,将响应面优化算法应用于被动式低能耗建筑设计中,发现其能够有效降低能耗,提高舒适性,和其他方法相比有更好的优化结果。     

三相流体非均匀饱和多孔岩石声学模拟与分析

多孔岩石岩性、孔隙度、渗透率变化,导致流体饱和度在储层中非均匀分布.传统的基于流体均匀混合的双相介质模型不能用于计算流体非均匀饱和岩石的声学性质（纵、横波速度）.依据三相流体Brooks-Corey模型、Gassmann理论和边界理论提出了有效计算中观尺度下非均质多孔岩石三相流体非均匀饱和时岩石声学性质的方法,为研究三相流体非均匀分布对岩石声学性质影响提供理论与方法,并建立了在毛管压力平衡状态下非均匀饱和多孔岩石声学性质与总含水饱和度的定量关系.揭示了不同流体饱和状态下纵、横波速度随总含水饱和度的变化规律.实例模拟分析表明,多种岩性岩石组成的多孔岩石储层三相流体非均匀饱和时,纵波速度随总含水饱和度的变化趋于连续变化,而流体均匀饱和岩石,仅在接近完全含水时,纵波速度有明显变化.流体饱和度分布均匀与否对横波速度没有影响,但岩石三相流体饱和与两相流体饱和时相比,横波速度随总含水饱和度的变化特征更加复杂.     

Exendin-4螺旋结构对生物活性及稳定性的影响

针对Exendin-4的螺旋结构特点,采用去掉螺旋序列、用3个连续Ala替换螺旋以及Gln13替换为Tyr13的方式对N端α-螺旋及C端α-螺旋进行改造,设计出4个结构模拟物.通过圆二光谱和荧光光谱进行结构分析,结合模拟物生物活性实验,分析Exendin-4螺旋结构与生物活性的关系.结果表明:Exendin-4的N端螺...     

基于ET-GMPHD算法的编队目标跟踪方法

针对低检测环境下编队目标的跟踪问题,提出了一种基于扩展目标高斯混合概率假设密度(extended target Gaussian mix probability hypothesis density, ET-GMPHD)算法的编队目标跟踪方法。首先,保留修剪掉高斯项的同时将其外推,用Jensen-Shannon(JS)散度衡量下一时刻状态估计值与外推值间的相似程度,并以此反映是否有目标丢失,保证真实目标不被修剪,解决了因目标漏检导致跟踪结果不准确的问题。其次,结合循环阈值聚合法得到编队整体的状态估计,消除了估计状态集合中状态值过多造成的影响。最后,仿真实验表明,该方法能够在检测概率极低的情况下进行有效跟踪,并具有良好的跟踪性能。     

确定耦合双曲-抛物方程组低阶项的系数

本文证明了在某些条件下,确定耦合的双曲-抛物方程组低阶项系数的反问题(带有Dirichlet-Cauchy数据)在H~8空间内存在有唯一的解。主要的工具是能量不等式。     

中低收入城镇居民体育消费的调查与研究

由于不同经济地带居民收入水平有较大差异，因而，居民体育消费水平也存在着差距，这就决定了体育市场在地域发展上的不平衡.文章将就苏北（徐州地区）中低收入城镇居民的体育消费进行社会性调查与分析.结论充分说明了经济和社会发展是群众体育发展的基础，是必要的物质和精神条件.     

中间包镁质涂料轻质化研究

研究了两种不同长度和直径的纤维对降低涂料体积密度的效果。试验结果表明，加入纤维能使镁质中间包涂料的体积密度大幅度地降低，有机发泡剂的加入能够进一步降低涂料的体积密度及干燥收缩；蓝晶石能有效地抑制涂料的高温收缩。     

低温高密度近似下核物质的热力学行为

本文对用Gogny有效势推得的核物质状态方程作低温高密度的极限过渡。温度T→0时,每核子的内能及压强均不为零,是明显的量子效应。     

超低hFE温度系数晶体管研制

采用poly-Si(n )/UTSiO2/n -Si/P-Si发射结构，研制出参数与常规晶体管相近，能长期稳定工作，在－55－100度温度范围内，hFE温度系数小于20％的硅晶体管。