一类单阶段混合制造系统的调度

研究了一类单阶段混合制造系统的建模、分析与调度问题，这类系统既包含离散事件动态，也包含连续时间动态，前者用排队网络描述，后者用微分方程描述。不仅考虑了这类系统的最优控制问题，而且考虑了工件进入生产线的最优时间，并用一个复杂的优化模型描述，同时给出了一个两层优化方法，内层给出对给定工件序列的最优控制，而外层用一改进的遗传算法求解工件进入生产线的最优时间序列。若干仿真实例说明了算法的有效性。     

光波场在垂直光轴方向的参考面上的复振幅研究

从波动微分波动方程出发推导光波场在垂直光轴方向的参考面上的复振幅表示。     

RC耦合单管放大电路低频特性的分析

放大电路低频特性是放大器的重要特性参数之一。本文利用h参数低频等效电路，从放大电路的整体出发，把射极旁路电容Ce，以阻抗的形式分别折算到放大电路输入、输出回路中，分析其频率响应特性。     

多模SCS光场中广义电场的不等幂次高次和压缩

根据量子力学中态的线性叠加原理,构造了由多模复共轭虚相干态、多模复共轭虚相干态的相反态和多模复共轭相干态的线性叠加所组成的三态叠加多模振幅-相位混合Schrdinger-Cat(即SCS)光场│Ψ3〉q。利用新近建立的多模压缩态理论,对SCS光场│Ψ3〉q中广义电场分量的不等幂次高次和压缩特性进行了详细研究。结果发现:在各模的压缩次数之和取偶数的条件下,当各模的压缩次数与对应模的初始相位之积的和、态间的初始相位差、以及各多模相干态光场的平均光子数等分别满足一定的取值条件时,此三态叠加多模SCS光场│Ψ3〉q的广义电场分量总可呈现出周期性变化的任意Nj次的广义非线性不等幂次高次和压缩效应。     

THz技术进展

THz(10^12Hz)技术是二十世纪八十年代末发展起来的一种新技术，它在很多基础研究领域、工业应用领域、医学领域、军事领域以及生物领域中有相当重要的应用前景。本文从总体上介绍了THz技术的基本研究情况，包括它的产生、探测机理研究，THz光谱应用研究及THz成像研究，并介绍了目前THz技术研究中亟待解决的一些问题。     

仿生物组织透射光偏振特性的实验研究

该文在实验上研究了线偏振光经生物组织的传输后偏振特性的变化。选择Intrialipid悬浮液作为实验用仿生物组织样品，并利用Beam Profile2350测量了线偏振的He—Ne激光照射不同浓度、不同厚度的仿生物组织样品时透射光经过检偏器后的光场空间分布。根据不同的检偏角度下透射光的空间分布状况，分析了透射点位置坐标、样品浓度和厚度对透射光退偏程度的影响。     

21世纪先进发射药:低敏感高能发射药(1)--新材料和新实验技术

现代先进武器系统对弹药提出了大威力和高生存能力的要求，研究开发低敏感高能发射药必将成为21世纪发射药及其装药发展的大趋势。该文讨论了低敏感高能发射药的研究背景和意义。详细讨论和分析了发达国家在低敏感高能发射药领域涉及的新材料和新实验技术方面的最新研究进展和成果。指出了我国正处于跨越低易损性发射药的发展阶段，可直接制定并实施兼具低易损性和高能特点的低敏感高能发射药的研究计划。     

过路黄克隆生长对光照强度的反应

利用遮阳网产生光照梯度，以研究光照强度对克隆植物过路黄(Lysimachia christinae)形态特征和生物量分配的影响．结果表明：1)匍匐茎节间长度随光照强度的减弱而增大，遮荫明显增加过路黄的分枝角度，分枝强度没有对光强发生显著反应．遮荫使叶柄变长，而根长则变短．2)随光照强度的减弱，叶柄生物量逐渐增大；遮荫降低了叶生物量、根生物量、总生物量、根生物量比和地下生物量／地上生物量．3)在遮荫条件下，一级匍匐茎基部分株的叶生物量和分株总生物量显著大于顶部分株，而根冠比则相反．根的生物量在各分株间无显著差异．在不遮荫条件下，仅匍匐茎基部分株的叶生物量大于顶部分株，其它的生物量指标在各分株间无显著差异．在分株水平，分株的根冠比不受光强的影响．总之，过路黄的克隆生长在基株和分株水平都对光强作出了明显的反应，而且这种反应具有等级性．     

聚焦光束钎焊接头的力学性能及变形行为

研究了光束钎焊获得的对接和搭接钎焊接头的力学性能及其在拉伸载荷作用下的变形行为。光束钎焊对接接头的断裂强度σb、相对延伸率δ、断面收缩率ψ均低于被钎焊母材。同质接头的弹性极限σ0.01、屈服极限σ0.2与母材相当，而异质接头的σ0.01、σ0.2值仅取决于低屈服极限的母材，与高屈服极限的母材无关。对接接头在拉伸载荷作用下的变形是非均匀的，同质接头中的钎缝和近缝区的塑性变形量最小，而异质接头中屈服极限较高的母材一侧几乎无塑性变形。搭接接头在拉伸载荷作用下下会产生“折弯效应”，折弯程度随被钎焊母材屈服极限的增加而减小。对接接头的断裂是由纯拉应力导致的，而搭接接头的断裂是剪应力和拉应力综合作用的结果。     

用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度

针对半导体发光二极管 (LED)出光效率低下的问题 ,提出了一个在LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想 ,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结果表明 ,这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径