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171.
InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能 总被引:2,自引:0,他引:2
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了InxGa1-xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果表明,随着量子点高度L和半径R的增加,结合能降低,随着量子点中In含量的增加,激子的结合能增大.对给定体积的量子点,激子结合能存在一最大值,此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内.对不同体积的量子点,最大值的位置在量子点高度L=1.7nm附近取得. 相似文献
172.
SF,F_2和SF_2分子的结构与势能函数 总被引:2,自引:0,他引:2
在6 311+G(2df,2pd) 和6 311+G(p,d)基组水平上,采用二次组态相互作用(QCISD)方法,对 SF2,SF,F2 分子进行了理论计算,得到了它们的结构参数、能量、谐振频率和力学性质,其结果与实验值符合得非常好.在此计算的基础上,用二原子分子Murrell Sorbie势能函数得到了 SF和 F2 分子的势能曲线,并推导出其光谱数据和力常数, 通过多体展式理论方法推导出了SF2 分子的解析势能函数,该函数正确反映了SF2 分子的结构特征和能量变化. 相似文献
173.
冲击功对低碳高合金钢冲击腐蚀磨损性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
文章通过改变冲击功和试验时间,利用SEM与光学显微镜观察表面形貌和亚表层裂纹,研究了在冲击、腐蚀和磨粒磨损协同作用下冲击功对低碳高合金钢磨损性能的影响,以及不同冲击功下磨损失效机理随时间的变化。试验结果表明,在2.0J和2.7J冲击功下,材料主要表现为磨粒磨损;在3.5J冲击功下,材料表现为冲击磨损。同时,在各个冲击功下,材料的磨损机理在冲击应力的循环作用下随时间发生明显变化。 相似文献
174.
食品工业中低温生物效应的控制与利用 总被引:2,自引:0,他引:2
张瑞宇 《重庆工商大学学报(自然科学版)》2005,22(5):516-519
阐述了低温生物效应遵循的基本规律,及其在以所有冻结点为界的上下温度区间的主要特征;论述了冰温生物效应、冷冻低温效应和天然高聚物玻璃化转变的机理,指出了在食品工业中应用这些效应的相关低温技术时所存在的关键问题. 相似文献
175.
沿程能量损失和水流动能的变化引起V型滤池配水渠水面高程沿程变化,造成滤池配水的不均匀.基于流体力学基本原理,推导出配水渠内水面升降的计算公式,并做了配水均匀性的定量分析.根据配水渠内水面高程的变化容易算出各配水堰顶高程的调整量,按此方法调整配水堰顶高程,可显著改善滤池配水的均匀性 相似文献
176.
复合型加载下缺口前应力应变分布的有限元分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用有限元法计算了一种低合金高强钢缺口试样在非对称四点弯曲加载(Ⅰ Ⅱ型复合加载)下缺口前端的变形和应力应变分布.研究结果表明:纯Ⅰ型加载时,缺口前端变形和塑性区形状对称分布.Ⅰ Ⅱ型复合加载下缺口前端的变形为一侧钝化,另一侧锐化,塑性区顺时针旋转一个角度θ,且θ随Ⅱ型载荷比例的增加而增大.表征缺口前端变形程度的d/b0值,随外加载荷P/Pgy的增加和Ⅱ型载荷比例的增加而增大.另外,对缺口前端最小塑性区路径上的最大切向正应力σθθ、三相应力度σm/和等效塑性应变εp的分布,以及它们随外加载荷P/Pgy和Ⅱ型载荷比例的变化规律也进行了分析,发现缺口试样的开裂遵循最大切应力判据. 相似文献
177.
肖飚 《邵阳学院学报(自然科学版)》2005,2(4):34-35
对低温蓄冷低温送水中央空调系统中采用回风、新风、露点风混合调节到合适的温、湿度的混合空气送风方式进行了能耗实验测试,测试结果证明混合送风的方式有较好的节能效果. 相似文献
178.
PT二次回路压降自适应补偿方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
高相铭 《科技情报开发与经济》2005,15(10):158-159
通过分析电压互感器二次回路的特点及其压降产生的原因,设计了电压互感器二次回路压降自适应补偿控制器,为提高电能计量准确度、减小由于计量误差造成的电量损失提出了一种新的思路。 相似文献
179.
对北纬 4 0°水平面东西轴向和南北轴向及倾角与纬度相同朝南放置南北轴向三种不同放置方式单位长度圆柱吸热体真空集热管的日能量收益及其年能量收益变化进行了研究 .结果表明 ,水平面东西轴向和南北轴向的圆柱吸热面真空集热管不论是日能量收益还是年能量收益都小于倾角为 4 0°朝南放置南北轴向的情形 ,特别是南北轴向管冬季能量收益明显要低 .利用水平面太阳能资源的最佳安放方式为东西轴向真空管 . 相似文献
180.
运用Kroning_Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义. 相似文献