低气压条件下绝缘子污闪特性的研究

污秽绝缘子的闪络电压Ｕ和大气压力户之间的关系为Ｕ＝Ｕ。（Ｐ／ｐ０）ｎ，Ｕ０是该污秽绝缘子在标准大气压户。下的闪络电压。作者用固体污层人工污秽试验方法研究了不同形状绝缘子在不同污秽度下以及在不同大气压力下的污闪电压，并研究了在交流和直流电压分别作用下的污闪电压差别。试验结果表明，上述公式中的指数ｎ在交流电压下的数值大于直流电压。对于形状简单的绝缘子ｎ值不受污秽程度影响，对于形状复杂的绝缘子ｎ值受污秽程度的影响。ｎ值变化的原因在于绝缘子伞裙间的电弧桥络现象。     

DSC等温法研究线型酚醛树脂/低密度聚乙烯共混体系固化过程动力学(Ⅰ)

采用DSC等温法研究了线型酚醛树脂/低密度聚乙烯共混体系固化过程动力学。并采用自催化形成的动力学方程进行数学处理,得到了相应的动力学参数。结果表明,不同共混比的体系具有相近的固化反应表观活化能(约110～125kJ/mol)和相近的反应级数m,n(约0.5～0.6级)。聚乙烯组分的存在影响了固化过程的表观频率因子。     

复Fuzzy矩阵的概念及其运算法则

本文在分析Fuzzy矩阵与Grey矩阵的基础上,提出复Fuzzy矩阵的概念,并讨论了复Fuzzy矩阵的基本运算性质,为进一步研究大系统的因素分析,系统预测、决策以及复杂系统的控制等问题奠定了数学基础。     

量子霍尔电阻作为电阻自然基准的研究

本文介绍了量子霍尔效应（ＱＨＥ）作为电阻自然基准的前景．并研制了一种量子霍尔电阻（ＱＨＲ）的测量系统，在４．２Ｋ的温度下对ＱＨＲ进行了精密测量，测试了多个ＧａＡｓ－ＡｌＧａＡｓ异质结的ＱＨＲ，其量值为２５８１２．８４６Ω，测量不确定度约为１×１０－６。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

利用直接数字式频率综合技术（DDFS）综合低频扫频系统的的原理和方法

本文论述利用ＤＤＦＳ技术综合低频扫频系统的原理方法以及ＤＤＦＳ技术的特点．     

用多路数字FIR滤波器实现动目标多卜勒反射波跟踪的硬件电路设计

讨论了飞行体生地杂波中检测运动目标反射波的基本原理；并提出了一种对动目标反射波进行自动跟踪的数字系统，本文着重讨论该跟踪数字系统的硬件电路设计及其工作原理．     

酸性媒介黑T低温低铬染色工艺的探讨

对酸性媒介黑Ｔ低温低铬染色工艺进行试验研究．结果表明，用氨／盐溶液在一定条件下预处理的羊毛，在８０～８５℃下加适当稀土染色、其上染率高于常规染色，染色牢度达到常规染色水平，并能减少红矾用量、降低纤维损伤、节约能量和染料、降低铬污染．     

低阈值稳定基横模1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器

采用二次液相外延技术研制了1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器。测试结果表明,典型室温连续工作电流为20mA,最低10mA。在3～5倍阈值工作电流下仍能以稳定的基横模激射。     

有机分子的低温成膜及厚度控制

近年来,随着表面研究的发展,对吸附于金属表面的各种有机分子薄膜性质的研究受到了广泛重视。在这些研究中,首先涉及到有机分子在金属靶(即衬底)上的成膜及膜厚度的控制问题。有机分子在金属靶上的吸附成膜一般可分为物理和化学吸附两种。化学吸附作用比物理吸附作用强得多,它可导致被吸附分子及靶表面分子结构上的变化。在一般条件下,物理