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11.
盾构机掘进过程中,千斤顶顶进力的不均匀引起的纵向位移是管片间初始错台的主要原因之一;基于Timoshenko梁理论的隧道纵向位移计算方法,未能考虑隧道开挖后围岩卸载破坏的变形特征及围岩与衬砌结构的协同作用效应,预测误差较大。建立了考虑围岩卸载扩容效应的等效地基抗力系数计算方法,提出了能考虑螺栓个数的等效抗剪刚度计算公式,建立一种基于Timoshenko梁理论的改进管片拼装式隧道纵向位移理论计算方法。实际工程案例分析表明:考虑围岩开挖卸载过程中围岩的非线性体积相关塑性变形(即扩容效应)更合理;考虑壁后注浆液固化过程的时效性,采用改进的滑移边界条件计算的纵向位移最大值是传统的固定端边界的计算值的2.3倍,边界条件对计算结果影响较大,本文计算方法更符合实际情况,也更安全。 相似文献
12.
阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法-电化学原子层外延(ECALE)并对其基础欠电势沉积(UPD)进行了讨论,着重研究了Ⅱ,Ⅳ族元素Cd,Te的电化学欠电势沉积,根据电化学循环伏安曲线,研究了Te和Cd在Si-Au(111)基片上以及交替生长过程中UPD沉积电位及相应覆盖度值,由此确定了在Si-Au(111)衬底上交替沉积Te,Cd原子层的方法,在此基础上,初步进行了多次交替沉积,并用AFM与A 相似文献
13.
多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用HFCVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)衬底上淀积3C-SiC(111)薄层。用XRD、VASE、XPS等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。XRD显示薄层具有明显的择优取向特征。VASE测量出薄层的折射率为2.686,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。XPS深度剖面曲线表明薄层中Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其能谱证明C1s与Si2p成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC。 相似文献
14.
首先对传统的圆平面磁控靶的形状进行改进,设计一个靶材利用率高的纯金靶.利用金合金的色区图,计算沉积不同K值和颜色的镀金膜时,组合式K金靶上金、银、铜的面积比,从而在纯金靶上固定相应面积的扇形银片和铜片,研制出不同K值和色度的组合式金合金靶. 相似文献
15.
作者在全面地分析影响河道水温变化各种因素的基础上,根据大渡河流域实测资料所推荐的有关计算纵向离散系数的经验公式.确定了一种适宜于河道一维非恒定流水温的预测模型.作者运用此模型预测了水库下泄低温水、火电厂温排水对下游水环境的影响及其应用价值,其结果可为制定水库生态用水调度方案和流域开发的环境影响评价提供科学依据. 相似文献
16.
用循环伏安法研究了Sn2 在金盘电极上的欠电位沉积.在特别提纯的1 mol/L HCl支持电解质溶液中,Sn2 在金盘电极上可以产生清晰的欠电位沉积峰和本体沉积峰.基于Au/Sn欠电位体系优良的电化学特性,发展了一种选择性好、灵敏度高的电化学分析方法.Sn2 浓度在1.96×10-10~2.91×10-s mol/L范围内与峰电流有线性关系.连续7次测定1.0×10-9 mol/L Sn2 得到的相对标准偏差为5.06%.该方法已用于实际样品的测定,所得结果与原子发射光谱(ICP-AES)所得数据相吻合. 相似文献
17.
以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光. 相似文献
18.
19.
生物浸出中容易产生铁矾而影响目的矿物的浸出速度。文中就这一问题,围绕与Fe^3 有关的各种因素进行了详细分析,旨在充分发挥Fe^3 离子的氧化作用,又尽量减少其产生的负面影响。分析表明,在驯化适应低酸条件下浸矿细菌的基础上,合理调配酸性介质pH值、铁浓度、细菌氧化活性、氧化还原电位Ek值之间的关系,能使铁产生的沉淀降到最小化。 相似文献
20.
TiO2薄膜光催化降解二氯乙酸和三氯乙酸水溶液 总被引:1,自引:0,他引:1
用常压化学气相沉积法镀TiO2薄膜,以紫外灯为光源,对二氯乙酸和三氯乙酸溶液进行光催化降解,并证实了此过程符合一级反应动力学方程。结果表明:卤代度以及不同的半导体化合物底物均对二氯乙酸和三氯乙酸溶液的降解有影响,卤代度低的二氯乙酸比卤代度高的三氯乙酸降解效果要好;同样条件下半导体的带隙能越低,降解效果越好。 相似文献