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71.
电弧离子镀(Ti,Cr)N硬质薄膜的成分、结构与硬度 总被引:7,自引:0,他引:7
用Bulat6型电弧离子镀设备在高速钢表面沉积合成(Ti,Cr)N硬质薄膜。通过改变分离靶弧电流的配置来调节薄膜成分,制取了x=0.62-0.83的(TixCr1-x)N薄膜;考察了薄膜的成分、结构与硬度间的相互关系,明确了Cr在TiN基薄膜中使硬度提高的合金强化作用;结合元素周期律中的基本性质和热力学特征,讨论了Ti,Cr两种元素在(Ti,Cr)N薄膜的相结构(fcc)形成与合金强化中的作用。 相似文献
72.
镀银导电纤维的制备和性能 总被引:10,自引:0,他引:10
对短切聚酯纤维进行化学镀银,制备了用于导电高分子材料的导电填料,探讨了氨水浓度、装载量及稳定剂对纤维化学镀银的影响。实验表明,φ=0.10的氨水有利于化学镀银;通过调整装载量,可提高纤维的增重量率和硝酸银的利用率;稳定剂的加入可阻止镀液自分解,但对包覆层的均匀性和致密性有影响。电性能测试表明,镀银纤维的体积电阻率可达3.35×1-0 3Ω.cm,以其作为导电橡胶填料,当含量为w=0.40时,其电阻率为1.54×1-0 1Ω.cm。 相似文献
73.
射频溅射法和电弧离子镀法制备的纳米TiO2薄膜性能比较 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频磁控溅射法和电弧离子镀法制备了纳米TiO2薄膜,并利用XRD、UV-VIS、AFM及通过亲水性和光催化实验对两种方法制备的TiO2薄膜进行了对比表征.结果表明,磁控溅射法的薄膜生长速率只有电弧离子镀法的1/30;前者仅需较低的退火温度就能形成完善的锐钛矿结构;虽然两者有相近的紫外吸收边,但是前者有较大的紫外吸收;磁控溅射法制备的TiO2薄膜表面呈现针状晶结构和具有较大的比表面积;在暗室中保存5 h后,磁控溅射法制备的TiO2膜水的接触角恢复到1°,而后者达到20°;对于光催化降解苯酚,前者有较大的降解率. 相似文献
74.
铝合金表面化学复合镀研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在铝合金表面进行Ni-P -SiC化学复合镀 借助扫描电镜、能谱仪、显微硬度计等仪器对复合镀层的表面状态、组织结构及性能进行综合分析 结果表明 ,随着镀液中SiC粒子添加量的增加 ,镀层中SiC的含量也不断增加 复合镀层中SiC粒子均匀分布于Ni-P基体 ,通过系列的工艺实验 ,找出了SiC的最佳添加量 同时对铝合金的预处理工艺进行对比研究 ,简化了铝合金表面化学镀的预处理工艺 相似文献
75.
IntroductionElectrolessNi Pplatingalloywhichbearsexcellentqualitiesofanti causticityandanti attritionhasabroadapplicationsintheindustryproduction Butinsomecases,itcannotgetgoodresultsbyusingonlyNi Pplatingalloyassurfacedefenseorconsolidationmaterials It… 相似文献
76.
化学镀制备SiC/Ni-P功能梯度材料 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对化学复合镀Ni-P-SiC复合镀层的研究,找到了制备SiC/Ni-P功能梯度材料的工艺方法.并采用光学显微镜、电子探针分析仪、透射电镜等方法和手段对SiC/Ni-P功能梯度材料的组织、形貌和成分进行了研究.结果表明,功能梯度材料的微观结构与材料成分梯度分布之间有很好的对应关系. 相似文献
77.
早在1914年Edison[1]就发现,在Ni-Cd及Ni-Fe电极正极材料中添加钴可以有效地改善电极性能.随着近年来研究的不断深入,发现钴对Ni(OH)2电极性能的影响主要有[2,3]:增加电极的导电性;提高析氧过电位;提高充电效率.在镍电极中添加... 相似文献
78.
阐述了一种未见报道的能对强酸性镀锡废液进行大规模集中回收处理的新工艺。这套工艺是在对废水进行预热的条件下,利用硫酸钠和聚丙烯酰胺作为聚沉剂和絮凝剂,便可在短时间内对大量的强酸性废液进行高效处理,最后经过压滤便可得含锡量高的锡泥。 相似文献
79.
电弧离子镀技术中脉冲偏压对TiN薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用正交设计实验研究了电弧离子镀技术中采用脉冲偏压以后各种参数对沉积TiN薄膜性能的影响.研究表明,与直流偏压相比,直流叠加脉冲偏压能更好地细化颗粒,降低薄膜的表面粗糙度,提高沉积速率.对实验结果的方差分析显示:气氛和频率是降低表面粗糙度、提高沉积速率的主要因素. 相似文献
80.
用SNIFTIRS和循环伏安法研究0.1mol/L Na0H溶液中次亚磷酸根离子在铂和镍两种电极上的电氧化行为.结果表明次亚磷酸根离子在两种金属上的氧化明显不同,在Ni上氧化产物是HP03^-,在Pt上电位较负时氧化产物是P03^2-,而电位较正时产物是P04^3-.讨论了在两种金属上次亚磷酸根离子氧化反应的差别和相应的可能机理。 相似文献