Alq3有机发光二极管中的激子湮灭过程及其磁场效应

在基于Alq3的有机发光二极管中,器件的电致发光包括瞬时荧光与延迟荧光两部分.二者都可以受外加磁场影响,但对磁场的依赖关系不同.由此推导出了在不同磁场强度时瞬时光强度与延迟光强度和总发光强度之间的经验公式.基于对延迟光强度磁场效应的合理估计,分别计算了器件在不同温度、不同电流下的瞬时光与延迟光强度,以及二者随外加磁场的变化.利用Merrifield关于激子湮灭的唯象理论,深入分析了在完全有序和完全无序两种体系中的三重态激子湮灭过程及其磁场效应.     

New hybrid encapsulation for flexible organic light-emitting devices on plastic substrates

The hybrid encapsulation for flexible organic light-emitting devices on plastic substrate was investi-gated. The hybrid encapsulation consisted of four periods of AIq3/L.iF layers as the pre-encapsulation layer and a flexible aluminum foil coated with getter as the encapsulation cap. We measured the device lifetime at a continuous constant current of 20 mA/cm2, which corresponded to an initial luminance of 2000 cd/m2. The half-luminance decay time of the encapsulated device was about 458 h. More over, the hybrid encapsulation is ultrathin and flexible, ensuring device bendability.     

Recent progress in ZnO-based heterojunction ultraviolet light-emitting devices

Wide bandgap(3.37 eV)and high excitonbinding energy of ZnO(60 meV)make it a promising candidate for ultraviolet light-emitting diodes(LEDs)and low-threshold lasing diodes(LDs).However,the difficulty in producing stable and reproducible high-quality p-type ZnO has hindered the development of ZnO p–n homojunction LEDs.An alternative strategy for achieving ZnO electroluminescence is to fabricate heterojunction devices by employing other available p-type materials(such as p-GaN)or building new device structures.In this article,we will briefly review the recent progress in ZnO LEDs/LDs based on p–n heterostructures and metal–insulatorsemiconductor heterostructures.Some methods to improve device efficiency are also introduced in detail,including the introduction of Ag localized surface plasmons and single-crystalline nanowires into ZnO LEDs/LDs.     

电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光(OLED)的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变.研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数.X射线光电子能谱的测量揭示了其本质:氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡/铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高.高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能.进一步的基于联苯二胺衍生物NPB/8-羟基喹啉铝(Alq3)的标准器件的研究证明了这一点.研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低.这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小.因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果.在本实验系统下处理条件为射频功率100 W、时间25 s.     

含两极化合物的交联聚合物的合成与性能

设计了一类两极化合物,既含有电子传输单元,又含有空穴传输单元,采用一般的N-烷基化反应或Ullmann反应.将改性的8-羟基喹啉用作穴传输单元的化合物加入到反应体系中,在催化剂的存在下反应获得一类含有吩噻嗪单元的8-羟基喹啉衍生物.将此配体与含可聚合单元的8-羟基喹啉配体与金属离子共同配位,获得一类两极化合物,即含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物.将该两极化合物通过紫外光固化或热固化共聚交联实现高分子化,得到一类含有新型的发光材料.并利用元素分析、FT-IR、UV、PL光谱等方法对其结构和性能作了表征.循环伏安法被用来研究其氧化还原性质和估算电化学能级.     

紫外LED研究进展

 氮化物紫外LED的发光波长覆盖210~400 nm的紫外波段,可广泛应用于工业、环境、医疗和生化探测等领域。近年来紫外LED的技术水平发展迅速,器件性能不断提升。由于高Al组分AlGaN材料的固有特性,目前深紫外LED的外量子效率和功率效率仍有大量提升空间。综述了近年来AlGaN基紫外LED的研究进展,阐述了限制其性能的AlGaN外延质量、高Al组分AlGaN材料的掺杂效率、紫外LED量子结构、紫外LED光提取效率及可靠性等核心难题以及取得的重要研究进展。预计到2025年,深紫外LED的量产单芯片光输出功率可突破瓦级,功率效率有望提升至20%以上,寿命达到万小时级别。     

基于有机小分子近红外发光材料的研究进展

近红外有机发光二极管（Organic light emitting diodes, OLEDs）在夜间显示、生物传感和通讯等领域具有广阔的应用前景。其中有机小分子发光材料具有制作成本低、重现性好、结构和发光特性易调节、发光效率高等优点,根据其发光特性主要分为传统荧光材料、热激发延迟荧光（Thermally activated delayed fluorescence, TADF）材料、局部电荷转移杂化态（Hybrid locally-electron and charge-transfer, HLCT）材料等几类。本文主要综述了近五年来报道的基于有机小分子的近红外发光材料的研究进展,并根据不同的特性对材料进行了分类,对未来的发展前景进行了展望,为进一步合成各方面性能良好的近红外有机小分子发光材料提供了一定的理论基础。     

9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴

采用Suzuki偶联反应制备了9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴ATF.热分析结果显示ATF具有良好的热稳定性,其热分解温度为430 ℃,玻璃化转变温度高达155 ℃.芘在芴9位的非共轭取代并没有改变共轭三联芴的高效率蓝光发射特点,但ATF的HOMO能级得以明显提高,这意味着空穴注入性能有明显的提高.ATF既可以采用真空蒸镀,又可以采用溶液旋涂的方法制备电致发光器件,旋涂器件(ITO/PEDOT∶ PSS(40 nm) /ATF(100 nm)/Ba/Al)的启动电压为7 V,最大外量子效率为0.62.     

基于八羟基喹啉铝有机发光二极管的研制

以八羟基喹啉铝(Alq3)和芳香二胺(TPD)为有机原材料,用热蒸发方法把它们蒸镀成薄膜并制作成有机发光器件．原子力显微镜观测得到Alq3和TPD薄膜为均匀、规整的不定形结构．研制的有机发光二极管(OLEDs)具有良好的整流特性、发光特性和稳定性,发光亮度随外加电压增加而逐渐增大,发光亮度最高达1813cd／m^2。