基于八羟基喹啉铝有机发光二极管的研制

以八羟基喹啉铝(Alq3)和芳香二胺(TPD)为有机原材料,用热蒸发方法把它们蒸镀成薄膜并制作成有机发光器件．原子力显微镜观测得到Alq3和TPD薄膜为均匀、规整的不定形结构．研制的有机发光二极管(OLEDs)具有良好的整流特性、发光特性和稳定性,发光亮度随外加电压增加而逐渐增大,发光亮度最高达1813cd／m^2。     

电致发光二极管研究进展

本文介绍了电致发光二板管的发展历史、基本结构、发光机理和无机化合物、有机小分子与高分子聚合物三种材料做电致发光二极管的国内外研究进展。同时介绍了磷光掺杂对提高发光效率的基本原理,比较了三种材料制作电致发光二极管时的优缺点,对电致发光二极管存在的问题和发展趋势进行了讨论。     

Alq3 有机发光二极管中的正负磁电导转变

制备了基于Alq₃ 的有机发光二极管, 器件结构为ITO/CuPc/NPB/Alq₃/LiF/Al, 并在不同温度下测量了器件在恒压偏置下传导电流的磁电导效应. 当Alq₃ 发光层的厚度为15 nm 时, 在器件的传导电流从双极电流过渡到单极电流的过程中, 器件的磁电导发生了明显的正负转变; 而当Alq₃ 发光层的厚度为65 nm 时, 在传导电流从双极电流到单极电流的过渡过程中, 器件的磁电导呈现随电流减小先上升后下降的变化趋势, 但磁电导的值在任何测量条件下始终为正, 并未出现正负转变的现象. 双极电流的磁电导效应可用电子-空穴对模型和激子-电荷反应模型来进行解释, 而单极电流的磁电导效应虽然可归因于器件中的极化子-双极化子转变, 但仍需要进一步的研究.     

Alq3有机发光二极管中的激子湮灭过程及其磁场效应

在基于Alq3的有机发光二极管中,器件的电致发光包括瞬时荧光与延迟荧光两部分.二者都可以受外加磁场影响,但对磁场的依赖关系不同.由此推导出了在不同磁场强度时瞬时光强度与延迟光强度和总发光强度之间的经验公式.基于对延迟光强度磁场效应的合理估计,分别计算了器件在不同温度、不同电流下的瞬时光与延迟光强度,以及二者随外加磁场的变化.利用Merrifield关于激子湮灭的唯象理论,深入分析了在完全有序和完全无序两种体系中的三重态激子湮灭过程及其磁场效应.     

LED器件热管理分析方法及其应用

发光二极管(LEDs)是三明治结构的半导体材料。LED芯片是产生光和热量的核心功能器件,但累积的热量会严重影响LED的光学性能。因此,热管理在LED的封装和应用中十分重要。综述了一些现有的热故障。为了有助于进一步理解热管理,介绍了LED封装、热阻网络系统以及传热强化技术,以及通过降低热阻来实现有效温度控制的方法。     

基于无机p型NiO缓冲层的钙钛矿发光二极管发光特性研究

【目的】研究如何提高溴基钙钛矿(CH3NH3PbBr3)发光二极管的发光亮度。【方法】通过在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上引入无机p型NiO缓冲层与有机聚合物聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)形成有机/无机杂化空穴传输层,提高空穴注入效率,降低电子溢出。【结果】引入无机p型NiO缓冲层形成有机/无机杂化空穴传输层后,发光二极管的发光亮度提高了约1倍。【结论】该方法不仅可降低PEDOT∶PSS对ITO基底的腐蚀,还能显著提高空穴注入效率,提高发光二极管的发光亮度。     

一种含叔丁基的螺二芴类空穴传输材料的制备及性能表征

以一端含有叔丁基的二氨基螺二芴化合物为起始原料,经过桑德迈尔反应与Ullman反应,制备出一种螺二芴类空穴传输材料,玻璃化温度高于320℃,远高于目前广泛使用的空穴传输材料(NPB).目标分子用作电致磷光器件中的空穴传输层,所得到的器件与传统的器件(以NPB为空穴传输层)相比,其能量效率、电流效率和外量子效率等性能更为优越.且由于具有高的三线态能级,器件中不需要插入第二空穴传输层4,4',4″-三-(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA),提高了器件的效率,降低了器件的制作成本.作为有机电致发光(OLED)器件的空穴传输材料,其有望取代目前广泛使用的NPB,特别在有机电致磷光领域具有良好的实用前景.     

Recent progress in ZnO-based heterojunction ultraviolet light-emitting devices

Wide bandgap(3.37 eV)and high excitonbinding energy of ZnO(60 meV)make it a promising candidate for ultraviolet light-emitting diodes(LEDs)and low-threshold lasing diodes(LDs).However,the difficulty in producing stable and reproducible high-quality p-type ZnO has hindered the development of ZnO p–n homojunction LEDs.An alternative strategy for achieving ZnO electroluminescence is to fabricate heterojunction devices by employing other available p-type materials(such as p-GaN)or building new device structures.In this article,we will briefly review the recent progress in ZnO LEDs/LDs based on p–n heterostructures and metal–insulatorsemiconductor heterostructures.Some methods to improve device efficiency are also introduced in detail,including the introduction of Ag localized surface plasmons and single-crystalline nanowires into ZnO LEDs/LDs.     

New hybrid encapsulation for flexible organic light-emitting devices on plastic substrates

The hybrid encapsulation for flexible organic light-emitting devices on plastic substrate was investi-gated. The hybrid encapsulation consisted of four periods of AIq3/L.iF layers as the pre-encapsulation layer and a flexible aluminum foil coated with getter as the encapsulation cap. We measured the device lifetime at a continuous constant current of 20 mA/cm2, which corresponded to an initial luminance of 2000 cd/m2. The half-luminance decay time of the encapsulated device was about 458 h. More over, the hybrid encapsulation is ultrathin and flexible, ensuring device bendability.     

9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴

采用Suzuki偶联反应制备了9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴ATF.热分析结果显示ATF具有良好的热稳定性,其热分解温度为430 ℃,玻璃化转变温度高达155 ℃.芘在芴9位的非共轭取代并没有改变共轭三联芴的高效率蓝光发射特点,但ATF的HOMO能级得以明显提高,这意味着空穴注入性能有明显的提高.ATF既可以采用真空蒸镀,又可以采用溶液旋涂的方法制备电致发光器件,旋涂器件(ITO/PEDOT∶ PSS(40 nm) /ATF(100 nm)/Ba/Al)的启动电压为7 V,最大外量子效率为0.62.