硅膜特性与1060nm窄带干涉滤光片的研究

实验研究表明,硅膜在800～1100nm是一个弱吸收膜,在波长短於800nm处是个强吸收膜;利用硅膜的这一可贵特性,设计并制备了1060nm窄带干涉滤光片。     

方石英含量对氧化物结合SiC材料性能的影响

讨论了方石英含量对氧化物结合SiC材料性能的影响.结果表明,材料中方石英含量的增加是造成材料强度降低的重要原因.但是适量方石英的存在对提高材料的断裂韧性有益.通过对材料中SiO_2组份含量的调整,可以改善材料强度与韧性的匹配,提高材料的综合使用性能.     

红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态

本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。     

高炉铁水含硅量预测的计算机在线实现

本文给出了铁水含硅量预测模型的三种在线辨识的方法，讨论了数据库的建立和多种预测模型的计算机在线实现。     

碳纤维增强有机一无机高分子烧结合金型新材料的研究──（Ⅲ）有机高分子含量及烧结方法的影响

研究了不同有机高分子含量对碳纤维增强ＳｉＣ／酚醛复合体的成型工艺性能、烧结合金的亚微形态及性能的影响。同时，又探讨了不同烧结方法对烧结合金亚微形态及性能的影响。     

电阻炉温度微机控制系统的研制

以个人计算机为基础，以Ａ／Ｄ转换器为核心，并配以适当的外围接口电路，实现对电阻炉温度自动控制．设计了一种过零检测电路，将ＰＩＤ控制增量转换成占空比，并由数字电路输出有一定占空比的矩形波，利用硬件方法实现普通双向可控硅的同步过零触发从而实现功率可调     

SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响

以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 ,但仍有较多的小晶粒存在     

高丰度硅-28同位素的分离技术

同位素纯硅片具有特殊的物理性质,在信息技术领域有着非常广阔的应用前景。为获得高丰度28Si,利用国产的高速气体离心机,选择SiF4作为分离的工作介质,对硅同位素进行了离心分离实验。通过单机分离实验,调整气体离心机的有关参数,摸索出适合级联分离的单机参数,同时得到气体离心机分离硅同位素的单位质量数的全分离系数γ0。利用由4台离心机组成的级联,经过6个阶段的分离,得到了28Si丰度达到99.5%的样品。实验结果表明,离心法分离硅同位素是完全可行的。     

高硅铸铁在多种环境下的腐蚀行为研究

采用失重分析、金相分析等实验方法研究了高硅铸铁的组织及在不同环境下的耐腐蚀性能。实验结果表明,高硅铸铁在各种腐蚀介质中均有良好的耐蚀性,腐蚀溶液的浓度对高硅铸铁的腐蚀速度有较大影响。高硅铸铁在同样浓度的酸性环境中的耐蚀性比在碱性环境中好,在中性盐环境中的耐蚀性则居两者之间。