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71.
为了寻找信号特征提取优化的方法,排除误诊断,分析了Daubcchies小波系列的频带频率特性,指出了小波分析存在着频带能量泄漏的问题。频带能量泄漏不利于信号的特征提取和分析。通过仿真研究,得到了频带能量泄漏的基本规律,提出了频带能量增量比较法。该方法通过比较小波分析的相邻三个频带的能量增量,确定信号的特征频率分量所在的频带,进而以该频带的能量增量作为信号变化的特征。实验证明,运用该方法可以优化信号特征的提取。 相似文献
72.
为改善逝者去世不久信息就被贩卖、逝者家属被打扰的不良风气,给予逝者及其家属应有的隐私尊重,对医院监管逝者信息泄漏情况进行研究,应用孙氏图对制度有效性进行分析,认为制度的有效性与参数类型和数值大小相关。分析医院工作环境如何影响内部人员信息泄漏的行为,运用效用理论比较研究行为人行为选择,并从制度、教育、法律等方面提出了治理不良行为人行为的意见,提出了以心理成本作为判断该制度是否可行的依据,并以医生为例对制度参数进行赋值检验。研究表明,提高观测力度和加大惩罚力度都可以有效治理逝者信息泄漏问题。 相似文献
73.
克深井区储层的孔隙结构与裂缝特征造成钻井过程中钻井液大量漏失,其中的固相颗粒会堵塞裂缝,使得部分生产井在完井后产量偏低甚至无产量,现场主要是通过酸压来解决这类问题。对于裂缝性气藏的酸压而言,需要知道钻井液在裂缝中的侵入深度变化,以便于设计施工参数,评价酸压效果。针对这一问题,根据牛顿流体在裂缝中的流动机理,裂缝宽度的变化以及裂缝壁面的滤失等,建立了钻井液在单一裂缝中的漏失动力模型,根据裂缝内钻井液压力的分布来定量描述钻井液的侵入深度,考虑并分析了该模型的侵入深度与侵入时间,压差和裂缝宽度之间的相互关系。最后,利用该模型计算了克深井区获得增产效果的酸压井中钻井液的侵入深度和酸液的侵入深度,通过增产井中二者之间的关系,从而间接证明了该模型。 相似文献
74.
液态金属高性能冷却技术:发展历程与研究前沿 总被引:1,自引:0,他引:1
"热障"问题已经成为阻碍高端电子芯片和光电器件向更高性能发展的重要挑战,发展高性能芯片冷却和热管理技术迫在眉睫。作为一大类新兴的热管理材料,液态金属在对流冷却、热界面材料、相变热控等领域均带来了观念和技术上的巨大革新,打破了传统冷却技术的性能极限,给大量面临"热障"难题的器件和装备的冷却提供了全新解决方案,有望在国防、航空航天、能源系统及民用电子设备等领域的冷却与热管理系统中发挥重要作用。本文回顾了液态金属先进冷却技术的发展历程,主要包括液态金属对流冷却技术、液态金属热界面材料、液态金属(低熔点金属)相变储能与热控技术、基于液态金属的复合冷却技术等;梳理了液态金属冷却技术中的关键科学与技术问题和面临的挑战。 相似文献
75.
针对脑机接口中两类左右手运动想象任务,提出一种依据迭代训练次数不断更新训练集样本的半监督算法.使用多重自相关分析算法,选择置信度较高的脑电信号样本并加入初始训练集;分别使用公共平均参考法与共空域模式算法,对样本进行预处理及特征提取;最后使用支持向量机对样本进行测试,根据迭代学习次数按照递进方式移除置信度较低的样本,并利用剩余样本继续训练模型,从而优化特征提取器及分类器参数.通过对标准脑电竞赛数据库BCI IV Dataset Ⅱa中左右手运动想象数据的测试表明,该算法与其他算法相比,在训练样本数目较少的情况下,具有较高的分类正确率. 相似文献
76.
77.
用于接触面模拟的三维非线性接触单元 总被引:16,自引:0,他引:16
提出了一种新的模拟结构缝或接触问题的三维非线性接触单元,在本构关系上,模型同时考虑了已被大量实验证实的接触面法向和切向的非线性特性,法向采用了考虑法向变形的双曲线模型,切向采用了考虑应变化的双曲线模型,模拟了接触面的粘结、滑移和开裂等非线性现象,相对于其它接触单元,本文模型避免了Goodman单元等只考虑缝面变形及法向、切向参数取值的任意性,计算结果常使法向应力出现波动和过量嵌入等缺点,并据此编制了有限元计算程序,利用此程序分析了3个典型算例,验证了模型的合理性和程序的计算精度。 相似文献
78.
蔡榆榕 《华侨大学学报(自然科学版)》2004,25(3):334-336
用VB控件实现通讯的方法,比调用API动态连接库的方法更加方便、快捷,而且用较少的代码可以实现相同的功能.文中介绍VB通讯控件的基本属性设置和编程方法,以及AT相关指令的主要功能和使用.同时从实际操作出发,提出在Windows平台下的通信软件设计方法,给出基本通信程序.阐述在高校机房管理中,使用VB通讯控件MS Comm,通过Modem调制解调器来控制机房中的电脑电源开关,从而实现机房管理. 相似文献
79.
研究用电子束蒸发方法把Si淀积在GaP表面的界面生长过程。用XPS在线测量Si/GaP(111)界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况;借助Ga3p峰强随Si覆盖厚度的变化确定Si的生长模式。还用LEED监测Si生长时的表面结构状态。 相似文献
80.
郭俊萍 《科技情报开发与经济》2011,21(29):205-207
介绍了PC104总线和STD总线概况,采用总线隔离技术、总线锁存技术、译码技术、输入/输出技术设计了PC104总线与STD总线之间的接口扩展卡,阐述了接口扩展卡的电路设计及其所具有的优点。 相似文献