Raman散射线的强度

根据量子电动力学理论,给出了线性 Raman 效应中,相应的 Raman 散射强度公式;讨论了在激光辐射扬激励下,一般受激 Raman 散射的一些特点.     

采用简单光学系统对高斯光束束腰

本文论证了激光在介质中的传播可看作是高斯光束在空间的传播,其激光特性可采用简单的光学系统加以改变,同时讨论了简单光学系统对高斯光束的准直和聚焦的影响.     

一维原子模型在超强激光场的电离

利用最小二乘法和龙格－库塔方法求解含时薛定谔方程,研究了一维原子模型在超强激光场中的电离。计算所得电子电离几率随激光场周期的变化与由Ｃｒａｎｋ－Ｎｉｃｈｏｌｓｏｎ方法得出的结果完全相同。由于避免了计算偶极矩阵元,使计算过程得以简化。而且,没有发生电子波包在边界上的反射。     

激光损伤过程中导带电子产生机理

价带电子跃迁至导带形成自由电子,长激光脉冲作用时,自由电子吸收能量并传给晶格,使材料温度升高;短激光脉冲作用时,自由电子发生碰撞离化,使导带中电子数目急剧上升,当材料达到一定温度或自由电子达到临界浓度时便发生损伤．随着激光技术的发展,人们不断的完善导带电子的产生机理,以达到计算值与实验结果相一致;激光脉冲越短,越多的光-电子相互作用机制会影响导带电子的产生,雪崩离化、多光子离化、导带电子衰减及导带电子能量分布等相互耦合,导带自由电子的产生过程非常复杂．文中综述了激光损伤过程中导带电子产生的机理模型,并提出了应用于亚皮秒及飞秒激光脉冲的耦合多速率方程．     

瑞利振动下空间光通信误码率研究

在假设空间光通信链路建立起来的前提之上,以瑞利分布描述卫星光通信平台振动,对高斯光束在强度调制/直接检测(IM/DD)光通信系统系统的误码率进行计算,得出了卫星平台震动而产生的指瞄误差对系统性能的影响,为卫星光通信系统的设计提供有益的参考。     

红外可见双波长激光干涉仪

红外、可见双波长激光干涉仪是采用自行设计的可调双波长氦氖激光器作为光源．光路中所有光学元件均兼容红外（３．３９μｍ）和可见（０．０３μｍ）两个波长，可以在同一光路中测得薄膜样品在上述两个波长下的光学参数。这种激光干涉仪一次测量可确定薄膜的三个光学参数即折射率，吸收系数和厚度。文中论述了测量原理、实验装置和测量结果的实例。     

C 4H 2等离子体放电产生的中性碳氢团簇(C %n%H %m%)分子束质谱表征

利用分子束飞行时间质谱和激光电离技术研究C4H2等离子体放电过程产生的中性碳氢团簇（CnHm）的质谱分布、稳定结构和形成机理.实验结果显示,碳氢团簇的质谱峰分布与其所含碳原子的个数有关,当碳原子的个数小于等于8时,偶数碳的碳氢团簇由于共轭效应的影响,其稳定性和质谱峰的强度均大于奇数碳的碳氢团簇;当碳原子的个数大于等于9时,出现偶数和奇数碳氢团簇的相间分布,奇数碳的碳氢团簇的质谱峰强度大于与其相邻的两个偶数碳的碳氢团簇的;当碳原子的个数为6、8、9～15、17时,CnH3出现较强的质谱峰,这与其具有较低电离能有关.随着碳原子个数的增加,碳氢团簇质谱峰的强度总体呈现减弱趋势,这说明碳氢团簇的形成机理可能以碳原子分步加成为主.     

TC4合金氩弧熔覆TiN复合涂层的组织及耐磨性

为提高钛合金表面性能,以TiN粉和Ti粉为原料,利用氩弧熔覆技术,在TC4合金表面成功制备出TiN增强Ti基复合涂层。采用扫描电镜、X射线衍射仪分析了熔覆涂层的显微组织和物相组成;利用显微硬度仪、摩擦磨损试验机测试了复合涂层的显微硬度和室温干滑动磨损条件下的耐磨性能。结果表明:氩弧熔覆涂层组织均匀致密,熔覆层与基体呈冶金结合,熔覆涂层主要由TiN棒状树枝晶和TiN颗粒组成,复合涂层明显改善了TC4合金的表面硬度,涂层的最高显微硬度可达9.5 GPa;复合涂层在室温干滑动磨损实验条件下具有优异的耐磨性,磨损机制主要是磨粒磨损,其耐磨性较TC4合金基体提高近9倍。     

三七多糖的微波辅助提取工艺

采用正交试验法优化了三七多糖的微波提取工艺,采用激光粒度分析法探讨了提取机理,分析了多糖的单糖组成,并测定了多糖的溶解性。三七多糖的较佳微波辅助提取工艺条件为微波处理时间8min、浸泡时间60min、液固比30mL/g、粒度200目。微波辅助提取的多糖提取率(21.0mg/g)显著高于传统提取(12.7mg/g)。三七多糖的Molish反应呈阳性,多糖酸水解产物的薄层色谱呈现出3个斑点,分别与葡萄糖、半乳糖和阿拉伯糖相对应。微波辅助提取对三七多糖的提取效果明显优于传统提取,其机理可能是微波处理促进了三七样品的水化和溶胀过程,使样品结构变得松散、膨胀,从而促进了多糖从样品中扩散和溶出。三七多糖主要由葡萄糖、半乳糖和阿拉伯糖3种单糖构成,pH值对其溶解性影响较大。     

Net-shape forming of composite packages with high thermal conductivity

The continuing miniaturization of electronic devices in microelectronics and semiconductors drives the development of new packaging materials with enhanced thermal conductivity to dissipate the heat generated in electronic packages.In recent years,several promising composite materials with high thermal conductivity have been developed successfully for high performance electronic equipment to replace the traditional Kovar and Cu/W or Cu/Mo alloys,such as SiCp/Al,SICp/Cu,diamond/Al and diamond/Cu.However,thes...