预退火工艺对Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜性质的影响

采用溶胶一凝胶法在Pt／Ti／SiO2/Si基片上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜。将薄膜分别进行每一层预退火、每二层预退火、每三层空气中500℃预退火10min，分别称为a．b、c组薄膜，最后都于氮气氛中680℃总退火0．5h。结果表明，预退火工艺对薄膜的铁电性能影响较大，而对取向基本没有影响。同时，a,b两组薄膜的铁电性能（2Pr分别为47．8μC／cm2。和51．9μC／cm2）远远优于c组薄膜的铁电性（2Pr=28．7 μC／cm2）。所有Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜都呈现良好的抗疲劳特性。     

动态力学温度谱分析的新方法及其应用——第3部分:动态力学温度谱分析法在PET非晶区结构研究的应用

本文在第1,2部分文章的基础上,以经拉伸、热处理的PET纤维为对象,将动态力学温度谱分析结果应用于PET的非晶区结构的研究。研究结果认为,可用PETα转变的松弛时间分布来描述PET非晶区分子链段运动能力的大小和分布;纤维非晶区取向因子f_α与松弛时间均值及方差存在很好的线性关系,反映了非晶区取向与平均松弛时间之间的密切联系。     

界面区氢氧钙石择优取向测定新法

水泥浆-集料过渡区内晶体的择优取向度对混凝土的宏观性能有很大影响。本文通过理论和实验分析指出,计算水泥浆-集料界面区内氢氧钙石的择优取向度目前所沿用的公式是不合理的。提出了用测定多晶回摆曲线并以水泥浆本体的氢氧钙石作为无规标样评定界面过渡区内氢氧钙石择优取向度的方法,并进行了相应的理论和实验研究,获得了良好的结果。     

用X射线衍射法测定聚酰亚胺薄膜取向结构

聚酰亚胺薄膜的取向结构对机械性能影响很大。薄膜取向结构可以用普通的x射线衍射方法,从x 射线入射方向垂直和平行于薄膜平面两个方向进行测定,在这个测定中,我们制作了一个槽盖压紧样品架,用于进行入射x 射线平行于薄膜平面方向的测定。测试结果可表明被测薄膜的取向类型和取向程度,在理论研究和制造工艺上都有重要的意义。     

基于方向可调滤波器的含噪图像融合算法

提出了一种基于方向可调滤波器的图像消噪及融合算法,即使用方向可调滤波器及其Hilbert变换组成的正交滤波器组,分析两幅已配准源图的主要方向及局部方向能量,根据噪声点所具有的奇异性、无方向性,从而检测出图像噪声点,并运用局部中值滤波方法消噪;对于源图中的特征,采用局部方向能量作为权重进行加权融合。该方法提高信噪比约50％－80％,并能很好地保留和显著增强源图中的有用特征。     

不同海拔三种橐吾属植物叶结构的适应意义

研究了分布于青藏高原东部3种橐吾属植物(掌叶橐吾、箭叶橐吾和黄帚橐吾)不同海拔高度9个居群的叶结构特征、空间位置及其存活策略;对一些适应性特征与高寒环境的关系进行了分析讨论.发现气孔密度、叶片厚度、海绵细胞和栅栏细胞层的分布及表皮毛和表面蜡质的覆盖程度随海拔的升高而增加,其中叶片厚度的增加主要是由于细胞间隙的增大;叶片空间位置在3种橐吾中没有出现一致性的变化;气孔大小、角质层厚度以及等面叶和异面叶与海拔变化无明显相关性,而后两种特征更多地代表着物种属性.研究结果显示在植物对高寒环境的适应及其存活策略中,形态及结构的改变起重要作用,并且这些改变具多样性.就叶的形态结构而言,3种橐吾属植物对高寒环境的存活对策是:黄帚橐吾主要采取逃避策略,箭叶橐吾为耐受适应,而生长在林下遮阴微生境中的掌叶橐吾主要表现为对稀薄空气和低氧胁迫的适应.     

论奥运竞技的性别平等取向

奥运竞技男女性别的平等化表现为项目设置与参赛人数的平等、决策与管理的平等、机会与资源的平等.平等化的趋向是人类文明的标志,是女性长期不懈斗争以及男性运动、管理权力不断妥协的产物,具有重大的社会和生命价值.由于历史的原因,目前人们在观念与操作层面上还存在着许多问题,有待于提高认识,促进竞技运动的进一步健康发展.     

试论《营造法式》中的定向、定平技术

定向、定平技术在北宋《营造法式》中有专门记载。通过对《营造法式》有关条文的细致解读和分析，复原了定向、定平技术的具体操作方法和操作程序，填补了以往研究在操作技术层面上的不足，并澄清了以往研究中的若干错误，有助于了解宋代定向、定平技术的发展状况。     

蜂窝网无线定位技术中非视距（NLOS）误差的鉴别及其抑制

由于无线网络环境中客观存在非视距（NLOS）误差，采用传统的定位方式会对移动台位置的定位造成很大的误差。通过对NLOS误差产生的原因及特点的分析，找出了鉴别NLOS误差及其抑制NLOS的方法——无约束条件的非线性加权最小二乘算法，减少了NLOS对定位精度的影响，从而提高了无线定位技术的准确度。     

共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯...