低渗透油藏矢量井网设计与整体压裂优化研究

低渗透油藏渗流规律的研究表明,受储层非均质性及微裂缝的影响,注采井网的部署、整体压裂方案的优化对于改善低渗透油藏的开发效果和提高采收率有着重要的影响。提出了矢量井网的概念,阐述了矢量井网与储层非均质性的关系,研究了与矢量井网配套的压裂工艺,包括深井限流压裂、转向压裂、分步加砂压裂等。将矢量井网与整体压裂方案在胜利油田史深100块进行了现场实施。结果表明,矢量井网是实现低渗透油田高效开发的重要手段。     

水力裂缝层内爆燃压裂油井产能计算模型

基于水力裂缝层内爆燃压裂技术提高低渗透油田采收率和油井产量的基本设想,利用油藏渗流理论和节点系统分析方法,建立了水力裂缝层内爆燃压裂油井产能计算模型,并分析了水力裂缝和爆燃裂缝参数对油井产能的影响。研究结果表明,在低渗透油藏中,增加水力裂缝的长度比增加水力裂缝的导流能力对油井增产更有利;爆燃裂缝的存在可在水力裂缝增加油井产量的基础上进一步增产,相对于水力压裂油井,爆燃压裂油井增产倍数可达1.55。由此说明,利用水力裂缝层内爆燃压裂技术来提高低渗透油田油井产量是可行的。     

浅谈知名商品特有名称、包装、装潢的保护问题

知名商品特有的名称、包装、装潢是《反不正当竞争法》保护的一项重要权利，对其应当按照使用在先等原则予以认定和保护。经过注册的商标被侵权时当然能够从法律上得到救助，未注册已知名或驰名的商标权利受到侵害，却往往难以得到法律的救助。法律的漏洞被利用以后，商标“窃权”与“维权”之战在我国市场上屡有发生。知识产权在宴际操作和运用上，我国远不及西方发达国家，在加入WTO市场竞争日益激烈的今天，为了市场主体有一个公平竞争的有益环境，进一步完善商标法已势在必行。     

低产油井间开模式定量优化及应用

基于降低生产成本和节约能源的目的,对低产油井实行间开生产已经为人们普遍接受.合理确立油井间开工作制度显得尤为重要.利用油井静液面恢复快慢程度与其产能的密切关系,引入油层折算压力,初步确立该油井的工作制度.在此基础上,考虑液面恢复过程中液柱自重抑制了地层的供液能力,建立了井筒液柱高度恢复随时间变化的模型,拟合出实际液面恢复高度随时间变化方程,从而优化了工作制度.应用于现场一口生产井取得了较好效果.     

辐射状分支井产能电模拟实验研究

依据相似原理,采用电模拟试验装置,设计了辐射状分支井模型.研究了在不同分支数、分支水平段长度时,辐射状分支井井筒附近的压力分布,描述油藏中的压力场形态,评价各种参数对产能的影响,为水平井产能预测提供了依据.     

SCH量子阱激光器的混沌同步通信研究

首先对光电子反馈及光电子注入式SCH量子阱激光器的混沌动力学行为进行了研究,然后采用光电子反馈及光电子注入式SCH量子阱激光器分别作为发射系统和接收系统进行混沌同步及同步通信的数值模拟研究.理论及数值模拟研究表明,利用SCH量子阱激光器进行混沌同步通信,可取得良好的通信效果.另外,采用本激光系统进行通信,有利于克服其他系统只能传输小信号的问题.     

一类具弱阻尼的奇性扰动Boussinesq型方程的位势井方法

采用位势井方法研究一类具弱阻尼的奇性扰动Boussinesq型方程的初边值问题utt-uxx-αux4-βux6 but=σ(u)xx,x∈Ω,t>0,u(0,t)=u(1,t)=uxx(0,t)=uxx(1,t)=ux4(0,t)=ux4(1,t)=0,t>0,u(x,0)=u0(x),ut(x,0)=u1(x),x∈Ω,其中uxi=ixui,σ(s)是一个已知的非线性函数,α和β是两个正的实常数,b≥0是任意实数,Ω=(0,1).得到了相应初边值问题整体广义解的存在唯一性.     

N-维无限深球势阱中Klein-Gordon方程和Dirac方程的解

精确求解了N-维无限深球势阱中的Klein-Gordon方程和Dirac方程,结果表明:在N-维无限深球势阱中,Klein-Gordon方程和Dirac方程的径向方程在形式上与非相对论中的三维中心场的径向方程一致,均为贝塞尔方程。通过求解Bessel方程,任意束缚态的本征函数已被获得,其解可用通常的球贝塞尔函数表示。利用径向波函数在r=a处的连续性条件,其相应的能谱公式也被发现.对于Klein-Gordon方程:En2r,l′=m2 xn2r,l′/a2,而对于Dirac方程,则En2r,l′=-m2 m2a2 xn2,l′/a2.     

量子点量子阱中的极化子

首先研究了量子点量子阱中的电子态，对阱外及阱内的两种束缚态都进行了考虑，然后采用微扰方法，对量子点量子阱系统中的极化子效应进行了研究。最后采用CdS/HgS为材料的量子点量子阱 进行了数值计算，结果显示极化子效应对电子能级的修正明显并且不能被忽略。     

工艺参数对碳纳米管定向薄膜生长的影响

为了生长出高质量的定向碳纳米管薄膜 ,研究了反应时间、反应温度等工艺参数对薄膜生长的影响。试验采用二甲苯为碳源 ,二茂铁为催化剂 ,在石英基底上催化裂解生长碳纳米管定向薄膜。通过扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)观察表明 ,得到的薄膜是由定向性良好的多壁碳纳米管 (MWNTs)组成 ,管径为 2 0～ 5 0 nm。反应时间对定向生长的碳纳米管长度有决定性影响 ;随反应时间的增长 ,定向性更好。同时 ,较适合碳纳米管薄膜定向生长的反应温度区间为 10 5 3～ 1113K。而反应温度和反应时间对薄膜中碳纳米管的直径无明显影响。