首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   205篇
  免费   0篇
  国内免费   4篇
系统科学   3篇
丛书文集   6篇
现状及发展   1篇
综合类   199篇
  2023年   1篇
  2021年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2008年   2篇
  2006年   2篇
  2005年   1篇
  2004年   4篇
  2003年   3篇
  2002年   4篇
  2000年   1篇
  1999年   3篇
  1998年   2篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1994年   3篇
  1993年   28篇
  1992年   24篇
  1991年   21篇
  1990年   32篇
  1989年   22篇
  1988年   33篇
  1987年   16篇
  1986年   1篇
排序方式: 共有209条查询结果,搜索用时 0 毫秒
141.
142.
143.
用Y_1Ba_2Cu_3O_(7-8)块状材料,制作了外观为“大桥”形式的约,瑟夫逊器件。观察了液氮温度为77K时的量子衍射图形和交流约瑟夫逊效应,由量子衍射图形推测这种器件的类型不属微桥结。  相似文献   
144.
本文利用1987和1974两个EINina年2°×2°格点COADS资料,计算了30°S-30°N热带太平洋面感热、潜热、有效长波辐射、射入太阳辐射通量及热量收支,得出:EINino和LaNina期间洋面热交换的差异主要发生在赤道洋面,厄瓜多尔和秘鲁西部洋面最为明显;EINino期间,赤道洋面感热和潜热交换加强,有效长波辐射和太阳辐射减弱,洋面净获得(损失)热量减少(增加);LaNina期间,赤道洋面感热和潜热交换减弱,有效长波辐射和太阳辐射增强,洋面净获得(损失)热量增加(减少)。最后概括出一个EINino和LaNina循环的海—气热交换机制模型,并估计得出EINino和LaNina循环的周期约为4年。  相似文献   
145.
设ω(x)是[0,1]上的上凸连续模函数,记A_ω(A)={f∈[0,1]:ω(f,x)≤A_ω(x)},本文得到f∈A_ω(A)的充要条件是L_n(f)∈A_ω(A),其中L_n表示Bernstrein算子B_n或BernsteinKantorovi(?)算子K_n。  相似文献   
146.
对一类样条,通过相应的B样条作内积运算,构造出一类新的稳定计算格式。对光顺样条也有类似结论。  相似文献   
147.
本文建立了描述电介质材料内部局部放电动态过程的数学模型.首先采用Laplace 变换和数值计算法得到了放电电脉冲的时域特性.由于表达式中不少参数是时间的隐函数,本文运用非线性拟合和数值计算,又从放电脉冲的时域特性获得了相应的频域特性,计算结果与本文采用宽频带频谱测试所得的放电脉冲频域特性基本相符,且变化趋势相同.证实了所建立的局部放电数学模型是合理的,以此研完局部放电的频域特性及其动态过程是有效的.  相似文献   
148.
利用陈联络和陈度量,研究了对给定在Stein流形中任一相对紧区域的边界上的C类(p,q)微分形式超过边界的闭开拓问题,得到可以闭开拓的二个充要条件。  相似文献   
149.
本文通过对马铃薯品种及种间杂种实生苗群体12个数量性状的遗传相关分析,确定了影响杂种群体产量的重要因子,在对其遗传参数进行分析的基础上,深入探讨了优质高产实生种的综合选择指数,并分析了马铃薯普通栽培种(S.tuberosum)和新型栽培种(Neo-Tuberosum)综合指数选择的亲本效应及各类组合的遗传结果,提出了获得优质高产组合的选配方案及其选择途径.  相似文献   
150.
激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的测定   总被引:1,自引:0,他引:1  
我们用常规的高频和准静态C-V技术测量了氩离子激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面的氧化物固定电荷密度N_f和界面态陷阱密度N_(it)。结果表明,和未再结晶的热退火样品相比,激光再结晶后,背界面的界面态密度大幅度下降。该界面态性质还与二氧化硅的生长方法和条件有关。在硅单晶抛光片上用氯化氢氧化法或三氯乙烯氧化法热生长约1400A的SiO_2层,然后用低压化学气相淀积法淀积约5000A多晶硅薄膜。使用氩离子激光器连续扫描辐照样品,功率选用4.5W、扫描速度2cm/s、束斑直径40μm,交叠50%,衬底温度300℃—400℃。经激光再结晶后多晶硅薄膜的晶粒由原来的100A长大到数微米。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号