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11.
本文从椭偏光合矢量旋转角速度Ω的表达式出发,对只有沿椭圆长、短轴方向的椭偏光合矢量间的相位差才为的难点给出了证明  相似文献   
12.
具有MEL拓扑结构的新型钛硅沸石TS-2,对用H2O2直接将苯酚选择性氧化为邻、对苯二酚的反应,表现出优良的催化活性,H2O2的选择率和产物所上率都很高。产品混合物的定量分析采用气相色谱法,以OV-25为固定液、联苯为内标,得到了令人满意的结果。  相似文献   
13.
14.
针对多项式相位信号(PPS)中的线性调频(LFM)雷达信号参数估计,通过提出频谱方差极大值准则对PPS次优参数估计方法高阶模糊度函数(HAF)进行了改进,提出了适于单分量LFM参数估计的改进HAF。首先讨论了HAF对LFM参数的估计方法及其局限性,然后提出了分段频谱方差极大值法则下LFM调频斜率估计的方法,将其与HAF相结合提出了单分量LFM参数估计的改进HAF,克服了接收信号与实际信号起点不一致性对HAF带来的影响,降低了由于HAF局限性带来的调频斜率估计误差,改善了HAF的累积误差效应。MATLAB仿真验证了改进方法较HAF的优越性。  相似文献   
15.
Droplets of Al-32.7%Cu eutectic alloy were rapidly solidified during containerless processing in a 3 m drop tube. The microstructural evolution of Al-Cu eutectic alloy depends strongly on droplet size. The eutectic growth morphology changes from regular lamellar eutectic to a kind of anomalous eutectic with the decrease in droplet size. This microstructural transition was analyzed within the current theories of eutectic growth. The results indicate that there exists a critical velocity for eutectic growth beyond which anomalous eutectic appears. The coupled zone of the Al-Cu eutectic alloy system has been calculated on the basis of the Trivedi-Magnin-Kurz(TMK) eutectic growth and the Lipton-Kurz-Trivedi(LKT)/Boettinger-Coriell-Trivedi(BCT) dendrite growth models, which provides a further interpretation for the morphological transition.  相似文献   
16.
电磁相分离法制备自生表层复合材料   总被引:9,自引:0,他引:9  
采用电磁相分离法制备出以初生富铁相(AlSiFeMn复杂金属间化合物)为增强相,表层硬度为HB62.25,基体硬度为HB59.00的Al-11.70%Si-1.20?-1.50%Mn合金自生表层复合材料,增强相的显微硬度为HV 842。87,大小为20-80μm,该表层复合材料同基体材料相比,耐磨性提高了57.41%,所用方法工艺过程简单,成本低,为解决材料在服役环境中不同部位,不同性能的问题提供了新途径。  相似文献   
17.
把重正化群理论应用于一受外场驱动而发生一级相变的系统中,结果表明,与有序化过程一样,该系统也由零温不动点所决定,并得到磁化强度及结构函数的新的动力学标度关系.由此可获得滞后回约面积与变场速率的标度关系.  相似文献   
18.
在微波频率低端,按常规方法研制的调相器尺寸是大的,该文采用金属化孔和改变调整元件,结果证明,在不降低性能指标的情况下,可以减小调相器的尺寸。  相似文献   
19.
用缩管法设计球铁铸件冒口时,为了既保证铸件质量,又节约金属,提高工艺出品率,采用了向下逐渐增大冒口直径,即所谓锥形冒口,本文介绍了球铁锥形冒口的设计方法及其需注意的问题,并用C语言设计编制了计算机程序  相似文献   
20.
通过交流磁化率和X-ray衍射分析,对用固态反应法制备的HoBa2Cu3Ox超导体的超导电性进行了研究.实验结果表明:随淬火温度的升高.由正交相(123相)向介于正交和四方相之间的过渡相变化;超导转变温度Tc(0)(零场下)从90K降到38.5K;交流磁化率虚部峰值温Tp(H)随附加直流磁场的增加而降低,Tp与Hdc之间的关系偏离[1一Tp(H)/丁(0)]∞H^2/3规律.  相似文献   
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