聚合物中的电子关联函数和关联能

对于具有库仑相互作用的准—维材料导电聚合物,本文提出了一种新的准—维模型,从而得到了准—维体系的电子有效库仑势形式。并在相关基函数理论框架下,利用准—维电子体系的集体振荡行为,确定了具有库仑相互作用的二体关联的Jastrow-Feenberg-S-later多体变分波函数。通过对实空间关联函数的积分方程的求解以及对体系能量的变分计算,得到聚乙炔材料中的电子关联函数、关联能和多体波函数。本文得到的关联函数是恒正的,并且满足归一化条件。     

GPC浓度效应的研究——用多分散试样标定普适标定曲线方程新方法

在GPC浓度效应的模型理论基础上,提出了用多分散试样标定普适标定曲线方程的新方法。采用数理分析方法,经过多重数学转换,把多分散试样的分子参数转变成单分散标样的有效流体力学体积的直接解析函数,得到了用多分散试样来建立单分散标样的普适标定曲线方程式,并按该方程式分析和处理了多分散PS,PDCMA和PTDMA试样数据,所得到的普适标定曲线方程与单分散标样的普适标定曲线方程一致,经过浓度效应修正后,两者重合。     

最高氧化态含氧酸或酸酐氧化性周期性的一种解释方法

主族元素最高氧化态含氧酸或酸酐的氧化与中心离子的有效核电葆平方米径比有关。本文引入屏蔽常数校正系数Ａ〉用有效核电荷数Ｚ＊＝Ｚ－Ａ计算出Ｚ＾２／ｒ，作Ｚ＾２／ｒ－Ｚ图，呈现的同周期直线上升，同族中锯齿形变化，总趋势上升规律与ＥΦ－Ｚ图中的变化规律具有良好的相似性。使对主族元素最高氧化态含氧酸或酸酐氧化性规律的解释具有半定量的性质。     

改性聚氨酯防水光亮剂的研制

研究有机硅改性阳离子聚氨酯（PU）。有机硅的结构、用量及嵌入方式对改性体系 的性能的影响。同时对改进活性基因，离子化试剂，中和剂及催化剂的种类、用量及工艺参数进行讨论。产品性能良好。     

PBE聚合物紫外可见光谱及化学还原研究

合成了一系列1，2－二（N－取代－4－吡啶盐）乙烯聚合物（简称PBE），研究了其紫外可见光谱性质及化学还原运行，探讨了PBE在还原剂Na2S2O4存在下发生不可逆氧化还原反应的还原机理，并讨论了PBE分子结构对反应中间体稳定性的影响。     

PET/LCP反应性共混物序列结构与热性能的关系

利用2H－NMR方法对聚对苯二甲酸乙二酯（PET）和热致性液晶共聚酯60PHB／PET（LCP）体系在少量扩链剂双（2－恶唑啉）BOZ存在下形成的反应性共混物的序列长度进行表征，并研究序列长度对共混物热性能的影响，研究表明PET和PHB的序列长度均随共混时间的延长和温度的提高而降低，且在相同温度下，含扩链剂BOZ的共混体系的序列长度比不含BOZ的体系小，表明BOZ对酯交换起促进作用，共混物组分中PET的熔点Tm和熔体结晶工Tmc均随序列长度（LPET)的增大而降低，而冷结晶温度Tcc却升高。     

用铝酸钙粉制备聚合氯化铝铁絮凝剂的研究

以一种新的原料－－铝酸钙和盐酸反应制备聚合氯化铝铁，找出了最佳制备条件，并对其性能进行了考察。结果表明，碱基度、pH值对PAFC的絮凝性能有较大影响，当碱基度为75％左右，水样的pH值为7－9时，该产品的絮凝性能最佳。     

低损耗阶跃型聚合物光纤制备工艺的研究

介绍了制备低损耗阶跃型聚合物光纤的工艺流程，研究发现随着链转移剂质量分数的增加，聚合物的相对分子质量相应降低，聚合物光纤的力学性能也随之改变，加入改性单体丙烯酸乙酯或丙烯酸丁酯后，提高了聚合物光纤的柔韧性，但降低了聚合物光纤的透光率，包层工艺对光纤损耗也有较大影响。通过原料精馏提纯、材料改性和共挤工艺等措施制备出低损耗聚合物光张样品，其光损耗小于200dB/km(波长650nm)。     

钢纤维聚合物混凝土机床床身动态性能仿真

研究了一种新型的复合材料-钢纤维聚合物混凝土，用它来做机床的基础件，其静动态性能优于传统的灰铸铁床身，从钢纤维聚合物混凝土的实验材料和制备方法入手，利用力学原理简单研究了钢纤维的增强机理，并且利用有限元的方法，对机床的床身进行模拟，得到了不同截面尺寸的固有频率，通过同结构的钢纤维聚合物混凝土和铸铁床身进行谐响应分析，证明了钢纤维聚合物混凝土床身良好的动态性能。     

心肌细胞钾通道调控早期后除极的动力学机制

针对心肌细胞动作电位复极期振荡的早期后除极(EAD)现象,研究了细胞模型Hopf分岔和EADs的关系以及钾离子通道的作用。在LR91模型中剔除快钠离子电流并引入控制钙和钾离子通道时常数的控制因子形成子系统模型,分离出模型中不同时间尺度的变量,将跨膜电势、钙离子通道激活及失活门控变量视为快变量构成三变量快子系统,慢变量钾离子通道门控参数视为其分岔参数分析膜电位与快子系统稳定性的关系。计算机仿真结果表明,随着钾离子通道门控变量时常数的增大,膜电位越来越接近快子系统的吸引域和Hopf分岔点。当时常数增大到6倍时动作电位时程延长至1 060ms并开始出现膜电位的振荡,时常数增大到15倍时电位振荡个数增加至15,说明快子系统的Hopf分岔导致了钾通道门控作用下EAD的诱发。