用离子注入改进真空中玻璃面闪络

本文报导把 He~ 注入玻璃表面增强了玻璃在真空中的面闪络电压,当注入剂量是4×10~(17)离子/厘米~2时,面闪络电压提高了68%.在讨论中分析了改进面闪络的原因。     

离子交换法从等电点结晶母液中连续吸附谷氨酸的研究

在多级串联的φ40×1450mm离子交换柱中进行了001×7NH_4~ 型阳离子交换树脂吸附谷氨酸的研究。测定了不同床高下液、固相谷氨酸浓度和pH值的分布。研究了液速、料液谷氨酸浓度对交换区高度的影响,确定了吸附率不小于95%的实际操作条件范围内的最大交换区高度为6.08m。首次测定了不同pH、一定NH_4~ 浓度条件下的吸附平衡数据,并进行了关联,确定了一定条件下离子交换柱的理论级数。该工作为过程和设备的放大设计提供了初步依据。     

S1240(ELC型)程控交换机的常见故障及处理

在对S1240(ELC型)程控交换机进行日常维护时，常见故障有用户模块、中继模块和计费模块的故障。对出现的故障进行了分析并简要介绍了其处理过程。     

新型核-多臂星形聚合物电解质

采用傅里叶转换红外光谱法(FT-IR)、微分扫描量热分析(DSC)、离子阻抗谱等测试手段对以超支化聚缩水甘油(HPG)为核，线型聚氨酯(PEU)为臂的核-多臂星形聚合物进行了表征，对其分子结构与电导性能之间的关系进行了初步探索．结果表明，星形聚合物比线型聚合物有更强的溶盐能力和离子传输能力．氧锂比(氧化乙烯单元与锂离子的摩尔比)为4，共混比(质量)为30％时，体系的最高电导率可达0．2mS／cm．当星形聚合物的臂数为5时，体系的电导率高于相同条件下的其他臂数的聚合物体系．体系的电导率随温度的升高而升高，其变化规律符合Arrhcnius方程．     

一种新型的离子镀用HCD枪

介绍一种偏转磁场和电场相平行的HCD枪(平行场枪)的研制结果。该装置由四个电磁场简化成只有一个磁极,结构简单、性能稳定、调试方便,实践证明是合理的。     

钨离子注入多晶不锈钢引发亚结构变化的研究

利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了钨离子注入经１１５０℃固溶处理的奥氏体不锈钢（１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ）的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子体身的注入深度，钨离子注入多晶奥氏体不锈钢中位错密度沿位入深度有一个峰值。位错密度峰值处的亚结构，在多个晶体学倒易矢量显现。其他区域位错显像有方向性；在最密排面上易于显像，其他的矢量方向大多隐像。     

Involvement of thiols in the induction of inward current induced by silver in frog skeletal muscle membrane

Exposure of voltage-clamped frog skeletal muscle fibres to silver caused a maintained inward current which could be carried by Ca²⁺, Mg²⁺ or Na⁺. Inorganic Ca²⁺ channel blockers and dithiothreitol (SH reducing agent) diminished this current, but a Na⁺ channel blocker did not. Thus, silver activates the Ca²⁺ channel by acting on SH groups in a Ca²⁺ channel protein.     

某铜厂洗净残渣的浸出工艺条件研究

为处理某火法炼铜厂的洗净残渣，提出了湿法两矿一步法。对本工艺中浸出机理进行了叙述。对此工艺中浸出部分的工艺条件进行了摸索，结果表明：温度、浸出时间、液固比分别为80℃、3h、5时浸出结果较好。在浸出过程中，溶液中铁离子的含量对铜锰的浸出起了至关重要的作用，机理有待于进一步研究，可能由于铁离子在反应中起了催化作用，反应呈现出自催化氧化反应的特征。     

离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱

为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N~+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.     

离子注入生物样品的正电子湮没研究

以云豆作为生物样品，测量了正电子湮没的寿命谱。比较了低能氮离子注入和未经氮离子注入的云豆样品的正电子湮没寿命谱，发现τ３有差异，说明氮离子注入到生物样品的影响深度可达到２００μｍ左右。由τ３和Ｉ３可知在生物样品中的正电子湮没过程中，大约有１／５正电子将形成正电子素Ｐ３。