微机控制离子质量数监控与锁定装置的研制

本文在离子注入机设备领域中,提出一种新的检测控制装置.用于解决VISI和LSI 芯片生产的离子注入机设备中确保掺杂的纯度;提高低剂量注入下重复精度及操作的自动化等问题.在离子注入机的头部高压包内,使用微机进行实时控制.即检测当前质量数,用闭环调节激磁电流的方法调整B,使被分选的离子质量数自动锁定在给定值.锁定精度与高质量数的范围,优于±0.3a.m.u.本文阐述了质量数锁定的理论,实施方法和数据采集、闭环控制、系统接口防护等主要技术关键问题.     

Effect of matrix metallo-proteinase-26 (MMP-26) during embryo implantation in the mouse

Matrix metalloproteinase-26 (MMP-26, endometase and matrilysin-2), a novel member of the MMPs family, is detected not only in the placenta and uterus, but is widely expressed in malignant tumors from different sources as well as in diverse tumor cell lines. However, the function of MMP-26 in the reproductive system has never been reported. Expression of MMP-26 in mouse embryos and the function of the MMP-26 antibody during mouse embryo implantation was examined for the first time by injecting the uterine horn, immunohistochemistry,in situ hybridization, co-culture of mouse blastocysts and uterine monolayer epithelial cells, Western blot, RT-PCR, Northern blot and zymography. Our results show that there is strong expression of MMP-26 mRNA and protein in the mouse embryo. Furthermore, the MMP-26 antibody dramatically inhibited mouse embryo implantation and significantly inhibited adhesion and outgrowth of mouse blastocysts onin vitro uterine monolayer epithelial cells. At the same time, the MMP-26 antibody inhibited the expression of integrin αV mRNA and protein in a dose-dependent manner. These data suggest that MMP-26 may play a role in some of the tissue-remodeling events associated with the invasion of the endometrium by trophoblast cells and facilitate successfully embryo implantation.     

聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究

随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.     

C和Ti双注入H13钢抗腐蚀钝化层的形成

用多次扫描电位法研究了金属Ti与C双注入抗腐蚀和抗点蚀钝化层生成的条件,用扫描电子显微镜观察了腐蚀坑,发现注入层表面已经形成了具有一定厚度钝化层.这种钝化层既能抗酸性腐蚀,又具有优良的抗碱性点蚀特性.测量结果表明,在C注量不变时,增加Ti注量可使抗腐蚀特性增强;而在Ti注量不变时,增加C注量可使抗点蚀特性增强.     

溅射效应对离子注入聚合物表面形貌的影响

采用MEVVA离子注入机引出的离子进行了聚酯薄膜改性研究,考虑到注入离子对表面溅射的强弱与离子的质量密切相关,所以选用质量大小不等的3种离子Cu,Si和C为注入离子,注入后的聚酯膜表面结构发生了很大的变化,用原子力显微镜观察了注入样品表面形貌的变化,表面粗糙度与注入离子质量密切相关.实验结果表明,注入前聚酯薄膜表面粗糙,表面突起密集地分布在表面,其高度可达20～25 nm,C和Si注入后表面突起高度下降到5 nm,随注入离子质量的增加,在注入层粗糙度增加,Cu注入后在表面形成了弥散分布Cu原子的析出纳米颗粒.Cu颗粒起伏高度可达到50 nm.这些变化对聚酯薄膜表面物理化学特性有着重要的影响.     

离子注入聚醚砜的射程分布和能量淀积

计算了15 keV N+和Ar+注入聚醚砜薄膜的射程分布和能量淀积分布,利用计算的结果说明了离子注入聚醚砜膜后,薄膜表面电导率增加(增加5个数量级)和光吸收率增加(最大吸收率从44%增加到82.5%)现象.     

DLC多层膜对9Cr18微动磨损性能的影响

采用等离子体源离子注入（PSII）技术在9Cr18不锈钢基体上制备类金刚石碳膜（DLC）多层膜，比较了该多层膜与N注入层对基体微动磨损性能的影响，结果表明，注入N后，改性层内形成了CrN,Cr2N和Fe3N等氮化物相；PSII技术能够提高9Cr18不锈钢的抗微动磨损性能，实验所制备的DLC多层膜比N注入层具有更好的抗微动磨损性，这与最外层LDC膜的高硬度和低摩擦系数有关。     

波分复用器件自聚焦透镜耦合系统的优化设计

利用光纤矩阵方法和高斯光学的耦合损耗理论，对波分复用器件的自聚焦透镜耦合系统进行了分析，得出了一种优化设计耦合系统的分析和计算方法。结合计算结果的曲线，分析了耦合系统中透镜长度对耦合损耗的影响，提出了通过调整入射单模光纤与自聚集透镜粘接的角度来减小耦合损耗的新方法。     

一种测定薄透镜焦距的实验方法

导出了利用薄透镜球面反射像测定薄透镜焦距或折射率的计算公式 ,并给出了实验结果     

计算机分析离子注入芸豆种子的浓度与注入深度变化曲线

用C语言编制程序对钛离子注入芸豆子叶的离子浓度随注入深度变化的实验曲线进行数学拟合，找到描述该实验曲线的数学函数，并调试出函数的有关参数值，由该函数可以计算出注入到子叶某一深度层面上单位体积内的离子数平均值。