两个经济模型中的数学推导问题

某些西方经济学文献在运用数学建模进行论证分析时,由于没有理清一些数学变量关系在经济上的含义,从而造成逻辑混乱或数学工具的错用,并由于其一定的隐蔽性,可能对读者造成相当程度的误导.首先分析国内颇具影响的文献[1]中两个数学模型中的推导问题,一个是关于要素供给模型的构建和推导,另一个是关于一般均衡条件的推导.然后指出文献[2]中一个严重的数学错误,在分析其错误根源的基础上,一并给出了相应的解释和修正.     

随机参考点下带有最小收益约束的投资组合

在完全市场下,考虑基于随机参考点的带有下限约束的证券组合投资问题.利用等量代换,将随机参考点等价转化为另一损失厌恶水平下的固定参考点,进而应用鞅方法求解固定参考点下的模型,给出损失厌恶投资者的最优财富过程和最优投资策略的解析表达式.     

药物中间体β-卤代苯乙胺的简便合成

发展了一条高效、简单的药物中间体β-卤代苯乙胺的合成方法.二苄胺和溴乙酸乙酯作为起始原料,经历取代、加成、催化氢化、氯代和酰化5步反应,以中等产率制备得到目标产物2-乙酰氨基-3-氯-3-(4-甲氧基苯基)丙酸乙酯,对合成过程中的中间产物及目标产物的制备进行了条件优化,确定了最佳反应路线,同时还通过熔点、核磁共振氢谱和碳谱对目标产物进行了表征.此合成方法为含多官能化苯乙胺结构的药物分子的合成提供了一种便利途径.     

GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控

运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法，研究了第Ⅴ主族原子（P，As，Sb）替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明，第Ⅴ族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范围内，在正偏压下不同中心半导体沟道长度的扶手椅型GeSe纳米带电流随着电压的增大而增大；在负偏压下当中心半导体沟道长度从1.7 nm增加至3.4 nm时，电流不随电压的变化而变化，继续增大中心半导体沟道长度，电流大小接近于0，器件呈现显著的整流特性.