关于一维无限深势阱问题的两点注记

从教学研究的角度出发，对于一维无限深势阱问题中本征函数的求解方法、势阱宽度对能量以及波函数的影响进行分析讨论，简化本征函数的求解过程，突出一维无限深势阱问题的物理意义。     

一种新型的a-Si:H静电感应晶体管

我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度为10~(16)cm~(-3)ev~(-1)时,电流开关效应达10~8,工作频率为几兆周.     

CPM光通过BDN染料片的特性研究

本文研究了 BDN 染料片对 CPM 光脉冲宽度的影响,比较了 BDN 染料片透过率的变化情况.发现 CPM 光通过 BDN 染料片后,脉宽有变窄及变宽的现象,并从理论上解释了这一现象.     

激光诱导黄铜中Zn等离子体光谱的时间演化特性

在常温常压下, 利用自建的激光诱导击穿光谱（LIBS）实验装置获得纳秒激光诱导黄铜等离子体光谱, 研究发射光谱中Zn等离子体光谱在增强型光电耦合器件（ICCD）门延迟为150~3 000 ns时的演化规律, 并利用Stark展宽系数及能级跃迁参数计算等离子体的电子温度和电子密度随ICCD门延迟的演化规律. 实验结果表明: 当ICCD门延迟为150~500 ns时, 初始阶段光谱呈较强的连续谱, 随着ICCD门延迟的增大, 在连续谱上逐渐凸显Zn原子的线状特征谱线, 特征谱线强度在ICCD门延迟为500 ns时达最大; 继续增大ICCD门延迟, 谱线强度逐渐减小, 当ICCD门延迟为3 000 ns时, 等离子体的特征谱线信号基本消失; 谱线强度和电子温度随ICCD门延迟的变化一致, 电子密度和ZnⅠ(481.0 nm)谱线的半高宽随ICCD的变化接近指数拟合.     

微穿孔板吸声体的某些问题及计算机辅助设计

为使马大猷教授提出的关于微穿孔板吸声结构和吸声体的精确理论能够在生产实践中得到迅速而广泛的应用，本文进行了这方面的计算机辅助设计，并对其中的某些问题，如结构参数与吸声特性之间的相互影响及高声强环境下微穿孔极吸声体的设计特点等，进行了较为深入的分析和探讨．     

关于环面网格和对角网格网络的对剖宽度

Ｔａｎｇ和Ｐａｄｕｂｉｄｒｉ在１９９４年曾指出：ｎ×ｋ（ｎ，ｋ为奇数且３≤ｎ≤ｋ）的环面网络网络（Ｔｏｒｏｉｄａｌ Ｍｅｓｈ Ｎｅｔｗｏｒｋｓ，ＴＭ）ＴＭ（ｎ，ｋ）和对角网格网络（Ｄｉａｇｏｎａｌ Ｍｅｓｋ Ｎｅｔｗｏｒｋｓ，ＤＭ）ＤＭ（ｎ，ｋ）的对剖宽度分别为ｂ（ＴＭ（ｎ，ｋ）＝２ｎ＋２和ｂ（ＤＭ（ｎ，ｋ））＝４ｎ，本文证明了前一等式确实成立但后一等式不然，当ｎ＝ｋ时，ＤＭ（ｎ，ｎ）与ＴＭ（ｎ，     

钢与混凝土组合楼板的纵向抗剪分析

通过对压型钢板横向及纵向弯曲刚度的简化，将钢与混凝土组合楼板处理为弯曲各向异性楼板。文中采用有限元分析计算，分析了组合楼板在垂直集中荷载下的正应力和纵向剪应力分布，讨论了组合楼板在极限状态下的纵向剪力计算方法。     

恒频PWM型零电流开关准谐振变流器

对传统的零电流开关准谐振变流器电路加以改进 ,通过引入辅助开关 ,使准谐振变流器工作在恒频PWM方式下。改进后的变流器 ,其滤波电路及高频变压器的体积明显减少 ,开关功率管及二极管的工作条件 ,以及变流器的负载调整特性等均得到明显的改善。对变流器的工作原理、输出特性、电路参数设计等给出了详细的介绍 ,一台 15 0kHz、 2 5V 75W变流器的电路实验证实了改进后变流器所具有的优点。     

基于PLC及其网络控制的直流调速系统的设计与应用

西门子PLC具有强大的网络控制功能，介绍了利用西门子PLC的PID控制功能来实现的直流调速闭环控制系统，该系统利用了西门子PLC的网络控制功能，通过工业以太网、Profibus—DP现场总线来实现调速系统的远程监视及控制，提供了一种实用的工业以太网、现场总线的互连方案．     

介观系统具有椭圆轨迹激子的能级宽度

应用准经典粒子理论和量子力学测不准关系，得到具有椭圆轨道激子的能量测不准量和能级宽度．基于上述计算结果，发现椭圆激子轨道的偏心率很小，其轨迹接近于圆．对于偏心率较大的激子很容易离解，其寿命非常短，存在几率很小；文中对激子半径，寿命等计算数据能与实验非常好的吻合．