微机辅助电路稳态分析

本文根据线性电路各种模型的拓扑参数及元件数参,较全面地分析了直接生成增广节点方程的原理和方法。并运用稀疏矩阵技术,使相应的一般线性电路稳态分析的机辅分析,占有较少的计算机内存。因此,本程序适用于使用微型计算机,对包含各种元件的较大规模的线性电路进行稳态分析。     

非晶硅氢薄膜材料光稳定性的研究

研究a Si:H薄膜样品在长时间强光照后会引起光、暗电导率的降低 (S W效应 )及薄膜的光转换效率 实验表明 ,随着光照时间增加 ,薄膜的光接受灵敏度下降 ,光电转换效率也相应降低 ,就此提出了S W效应发生的微观模型     

包含Δ共振态的核物质

在相对论平均场理论框架下研究了包括Δ共振态核物 质的状态方程. 研究表明, 随着Δ粒子相对数密度的增加, 饱和点处的结合能下降, 并向总粒子数密度增加方向移动, 状态方程逐渐变软. 结果表明, 包括Δ粒子的中子星物质是中子星一个可能的相结构.     

基于时变换域分布的码分多址复用系统干扰抑制技术

基于时频分布能同时分析信号在时间域和频率域的特点,针对CDMA Overlay通信系统中时变窄带干扰抑制问题,提出了一种广义的时域分布-时变域分布,利用接收信号的时变换域分布获得干扰的瞬时频率,并据此设计相应的时变滤波器对干扰进行抑制,在干扰为频率随时间变化的线性调频信号时,对时变干扰抑制方案进行了计算机仿真,结果表明,该方案可以有效地抑制系统中的时变窄带干扰。     

Diagnosis of Multiple Fixture Faults in Multiple-Station Manufacturing Processes Based on State Space Approach

Dimensional quality is one of the most critical challenges in industries, which uses the multistage manufacturing process (MMP) such as assembly and machining for automotive and aerospace industries.According to investigations, fixture faults accounted for 72% of all the dimensional faults. Previous studies focused on only one fault or multiple faults occurred in one station or one fault in multiple stations, but these cases rarely appear in the real manufacturing. This paper presents a method for diagnosis of multiple fixture faults in the multi-station manufacturing process. The proposed method is based on the state space model of the MMP processes, which carries the information of the fixture layout geometry and sensor position. To identify the root cause, three continuous steps were used: a) development of the state space model and the construction of the statistics variables on offline mode, b) measurement of the coordinate measuring machines data on online mode and calculation of the statistics variables, and c) diagnostic algorithm for identifying the root cause. The presented paper integrates the state space model of the manufacturing processes and hypothesis test considering the impact of the measure noises. A case study verifies the proposed method.     

基于轮询机制的Utopia接口设计与实现

针对多个物理层传输芯片(PHY)、单ATM层的应用情况,分析了Utop ia level 2接口时序,基于现场可编程门阵列(FPGA)设计并实现了轮询机制的Utop ia接口逻辑,给出了时序仿真结果。设计了一种ATM同高层协议的接口逻辑并给出了进一步减小轮询操作开销的方法。同传统单端口模式相比,节约了75%的逻辑资源和引脚。测试结果表明,4个物理层单元能以155 Mbps的速度双向并行通信,可为模块化设计提供参考。     

黄色荧光粉Sr3SiO5:Eu2+相转变机理简

高温固相法合成Sr3 SiO5：Eu2＋过程中,杂质相Sr2 SiO4：Eu2＋的存在会不同程度影响Sr3 SiO5：Eu2＋的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3 SiO5：Eu2＋,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3 SiO5：Eu2＋在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明：原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2 SiO4：Eu2＋的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2 SiO4：Eu2＋的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3 SiO5：Eu2＋的合成过程,从而导致了Sr2 SiO4：Eu2＋杂质相的生成。     

急倾斜煤层开采解放层防治冲击地压数值模拟

采用反煤央等脆性材料破坏特征的五参数Wilianm-Warnke强度准则破坏模型,利用有限单元单元“处死”的功能真实模拟开挖过程,进行急倾斜煤层开采解放层防治冲击地压的数值模拟研究,揭示了急倾斜煤层开采解放层的煤岩层应力场、变形场等物理量的变化规律和解放范围以及解放程度,为急倾斜煤层开采解放层防治冲击地压制定较为合理的方案、安全技术措施等提供重要的依据和指导作用。     

FFT重叠相加抗窄带干扰的算法研究

直序扩频通信系统中的抗窄带干扰算法研究一直是众多学者的热门研究课题。文章采用了一种改进的重叠FFT频域干扰抑制算法,该算法能实现信号的完美重构。理论证明该算法能有效克服FFT采用数据加窗引起的扩频信号失真及误码率恶化。仿真结果也验证了该算法的有效性。     

碳纳米管光伏器件的研究进展

碳纳米管（CNT）具有优异的电学特性和独特的一维纳米结构,是制作光伏器件的良好材料.文中介绍了单根/多根CNT光伏器件、CNT薄膜光伏器件、CNT 有机光伏器件、杯状叠层CNT光伏器件等典型CNT光伏器件,并阐述了这些CNT光伏器件的结构及特性,分析了CNT在器件中的作用.