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41.
低温输送系统间歇泉现象实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为研究低温输送系统的低温垂直管路中可能出现的间歇泉现象,采用液氮为工质,进行了间歇泉现象模拟实验研究.实验纪录了不同的管路结构及不同绝热结构条件下,管路出现的振动信号及管路温度分布,并将实验结果与Murphy曲线进行了对比.结果表明,管路的长径比和绝热结构对间歇泉现象的产生有较大的影响.  相似文献   
42.
以重金属回收和废水回用为目的,研究了纳滤膜处理镀铬废水。本文讨论了操作压力、膜通量、CrO4^2-离子浓度以及浓缩过程等影响。由实验结果可知,操作压力对CrO4^2-离子的截留率影响较大,而CrO4^2-离子浓度以及浓缩过程的影响较小。在低压和废水浓度较低的情况下,CrO4^2-的截留率可达99%以上,从而实现了镀铬废水分离处理,并达到了回用目的。  相似文献   
43.
流态混凝土高效减水剂CAN与水泥适应性   总被引:3,自引:1,他引:3  
为了解决流态混凝土试验和应用中存在的问题,从配合比设计及施工工艺的角度研究了流态混凝土工作性能和质量,认为流态混凝土的外加剂与水泥的适应性是影响流态混凝土品质的关键因素。通过高效减水剂CAN与水泥适应性试验,分析石膏形态、水泥凝结与坍落度损失的关系、碱含量对水泥水化的影响、高硅酸二钙水泥与坍落度损失关系的基础上,阐明了水泥不适应性与外加剂的品种、作用机理、原材料的选用和制造工艺、胶凝材料的成份、细度、水泥磨细阶段的差异有关,同时还受环境温度、加料方式和外加剂用量的影响。  相似文献   
44.
金瓷修复体双材料界面断裂强度有限元分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
建立金瓷修复体双材料界面裂纹扩展的有限元计算模型.首先利用有限元计算得到平面应力条件下裂纹尖端位移场,求出裂尖附近复应力强度因子主导区域内对应点的相对位移,再辅以传统计算方法得到衡量双材料抵抗断裂能力的复应力强度因子K,并利用双材料界面断裂有关理论和基本公式,求得相关的断裂力学参量,对计算结果进行了实验验证.分析表明,金瓷层厚比对金瓷裂纹开裂具有很大的影响,为进一步分析和研究金瓷修复体断裂行为提供了研究方法。  相似文献   
45.
微柱高效液相色谱法测定Cu(HQ)2和HQ   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了用微柱高效液相色谱法测定8-羟基喹啉铜中的8-羟基喹啉(HQ)和8-羟基喹啉铜[Cu(HQ)2]的方法,8-羟基喹啉铜样品用甲醇溶解,然后以WatersXterraTMRP18(1.0×50mm,2.5μm)微柱为固定相,60%的甲醇(内含0.05moL/LpH值为4.0的醋酸-醋酸钠缓冲盐)为流动相分离,用紫外二极管矩阵检测器检测测定,方法标准回收率在99-102%,相对标准偏差在0.58-0.65%之间,结果满意.  相似文献   
46.
研究了用固相萃取-微柱高效液相色谱法(SPE-MHPLC)测定金银花中的绿原酸.金银花样品中的绿原酸用80%的甲醇加热回流提取,提取液用Sep-Pak-C18固相萃取小柱预分离脱脂,以W aters X terraTMRP18(1.0×50mm,2.5μm)微柱为固定相,甲醇-乙酸溶液(1%)为流动相,用紫外二级管矩阵检测器检测.回收率在96%-102%之间,RSD在1.5%-2.2%之间.该方法用于金银花样品中绿原酸的测定,结果满意.  相似文献   
47.
反应热压法制备B4C基复合材料的烧结致密化研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
通过在B4C中添加Si3N4以及少量的SiC和TiC,在1 820~1 900℃,30 MPa的热压条件下反应生成了B4C基轻质复合材料,烧结助剂为(Al2O3+Y2O3)。结合材料的断口SEM形貌,分析讨论了烧结致密化过程,结果表明:在相同烧结温度下,随基体相B4C含量的增多,复合材料变得更难烧结;对同成分组成的复合材料来说,随着烧结温度的升高,最终得到的材料致密度有所提高。两步烧结过程中的降温保温阶段,有利于放热反应的彻底进行,使最终复相陶瓷组织中含有少量细小的TiB2和BN相,同时,放热反应可以维持致密化进程的继续进行,这对于提高复合材料的强度和韧性有利。  相似文献   
48.
为了防止反向裂缝,在旧水泥路面与沥青加铺层之间铺设土工布防裂层,土工布的加铺对层间粘结性能会产生负面影响。采用压剪试验方法研究了土工布及其浸油量、旧水泥混凝土表面处理、粘结材料种类等因素对旧水泥混凝土与沥青面层之间粘结性能的影响规律。结果表明,采用高粘度改性沥青、增加旧水泥路面粗糙度、提高路面压实度可明显改善旧水泥路面基层与沥青面层之间的界面粘结性能,研究结果可为旧水泥路面改造工程的粘结层设计提供依据。  相似文献   
49.
综述了液晶全息存储材料的分类和近年来液晶全息存储材料的发展状况,认为液晶全息存储材料在全息存储领域将有巨大的应用前景.  相似文献   
50.
Dielectric and Structural Properties of SrTiO_3 Thin Films Grown by Laser Molecular Beam Epitaxy[1]Hao J H,Gao J,Wang Z,et al.Interface structure and phase of epitaxial SrTi O3(110)thin fil ms grown directly on silicon[J].Appl Phys Lett,2005,87:131908. [2]Hao J H,Gao J,Wang HK.SrTi O3(110)thin fil ms grown directly on different oriented silicon substrates[J].Appl Phys A,2005,81:1233. [3]Aki mov I A,Sirenko A A,Clark A M,et al.Electric-field-induced soft-mode hardening in SrTi O3fil ms[J].Phys Rev Lett...  相似文献   
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