现代MOCVD 技术的发展与展望

ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术。本文综合分析了现代ＭＯＣＦＶＤ技术的基本原理,特点及实现这种技术的设备的现状及其发展,重点讨论了能实现衬底温度,衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘ＭＯＣＶＤ技术,并对ＭＯＣＶＤ技术的进一步改进和应用作了展望。     

广义解析函数的RDR-HDH复合边值问题

研究了一阶线性椭圆型偏微分方程组的边界条件中含有斜微商的ＲＤＲＨＤＨ复合边值问题．对此,首先把它化为等价的广义解析向量的Ｈｉｌｂｅｒｔ边值问题,然后使用奇异积分方程组的理论,给出了可解性结果     

二价稀土卤化物与碱金属卤化物相图的模式识别评估

针对相图模式识别评估,给出了一种新方法来计算预报中间化合物的生成与否和中间化合物的种类以及数量．利用构成二元系相图的纯组分的离子的微观参数（半径和电负性）作为原始变量,经过特征变换和归一化处理,建立判别函数,计算并预报了二价稀土卤化物与碱金属卤化物构成的二元系相图按中间化合物信息进行的结果．     

Hf2+xMo3-xSi4(x=0.3)的合成、晶体结构及成键特性

电弧熔炼方法合成了Ｈｆ２＋ｘＭｏ３－ｘＳｉ４（ｘ＝０．３）,单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．化学式,Ｈｆ２．３（２）Ｍｏ２．７（２）Ｓｉ４,Ｍｒ＝７８１．９,晶体学及结构参数：正交晶系,Ｃｅ２Ｓｃ３Ｓｉ４类型,（６２）Ｐｎｍａ,ａ＝０．６５７９（１）,ｂ＝１．２８１８（４）,ｃ＝０．６７７８（１）ｎｍ,Ｖ＝０．５７１６（１）ｎｍ３,Ｚ＝４,Ｄｘ＝９．０８４ｇ／ｃｍ３,μ＝５０１．５５ｃｍ－１（λＭｏＫα＝０．０７１０７ｎｍ）,Ｆ（０００）＝１３４０,Ｔ＝２９６Ｋ,对于２５个修正参数和６３７个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０７５,ｗＲ＝０．０６８．此结构中,Ｓｉ原子两两成键联接成哑铃状,Ｍｏ原子均处于Ｓｉ原子所形成的配位畸变八面体中心,这些配位八面体最终联接形成三维Ｍｏ－Ｓｉ网络,Ｈｆ原子则散布在网络之间沿［１００］方向的隧道中．此化合物组成和结构不符合价键规律,成键具有过渡性且原子的配位环境遵守此类化合物规律．     

油井中磨料射流割缝机理研究

研究了油田油井中磨料射流割缝的机理,阐明了磨料射流割缝时流体在缝隙中流动的状态,讨论了水力喷砂割缝时射流流动情况,认为在套管中对套管割缝时系自由淹没射流,说明了油井中磨料射流割缝是三面附壁复合射流的原理,解释了不同材料在高压水射流作用下的破坏形式和为什么淹没磨料射流在压力很低的情况下仍然能够将靶距为1000mm以外的5mm钢板击穿。     

复合式EDI应用系统的研究

为解决大型企业EDI应用系统设计中的贸易伙伴多元化现象,使尽可能多的贸易伙伴参与EDI交换,提出了将传统EDI方式与Internet EDI方式相结合的复合式EDI应用系统的概念,探讨了复合式EDI应用系统的结构模型,分析了系统设计中的有关问题．     

信息时代图书馆的数字化建设

介绍了数字图书馆的概念及其与传统图书馆相比所具有的优势,指出了我国建设数字图书馆建设所面临的问题,阐述了只有通过复合式图书馆才能过渡到数字图书馆。     

系列M-咪唑配位超分子的晶体结构及性能(M = Cu2+, Ni2+, Co2+)

采用溶剂热方法,合成了系列M-咪唑配位化合物[Co(imH)2(ClC6H4COO)2(H2O)2](1);[Cu(imH)4]*[C6H4(COO)2]*H2O(2);[Ni(imH)6]*[C6H4(COO)2]*2H2O(3).对3种化合物的单晶进行了X射线衍射分析.结构分析表明,这3个化合物的晶体结构中均存在大量的氢键,使结构单元网连成广义的超分子.此外,讨论了化合物的IR与UV-VIS-NIR光谱以及化合物(2)的荧光光谱.     

索赔额是常数值时的破产概率

主要讨论索赔额是常数时的破产概率．其中最有意思的是所有的索赔额是常数2时的情形．而且对破产时刻的定义有所不同．将对破产时刻T1=inf{nK≥1：U（n）≤0}时的情形的定义加以讨论．对初始准备金U（0）=0时的情形给出破产时的概率和破产时需要的平均索赔次数．     

种子工艺优化对链霉菌702发酵产抑真菌生物活性物质的影响

采用单因素实验、正交设计对链霉菌702种子培养基及其培养条件进行了优化研究。优化后种子培养基配方为:蔗糖2.0%、玉米粉2.0%、黄豆饼粉1.0%、酵母膏0.4%、碳酸钙0.6%、豆油0.4%;优化的种子培养条件为:20 mL种子培养基/250 mL三角瓶、接种孢子悬液(T660 nm=80%)体积比为2.5%、起始pH为8.0、培养周期为48 h。链霉菌702菌种在优化的种子工艺上培养、发酵后的抑真菌物质生物效价达到983.62μg/mL,比优化前的770.23μg/mL提高了27.70%。