铅掺杂Bi系超导体正电子寿命研究

在室温下测量了Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２－ｘＭｇｘＯ８＋δ超导体的正电子寿命，发现正电子体寿命τｂ随着Ｐｂ含量ｘ的增加而减小；测量了转变温度Ｔｃ结果表明，Ｍｇ替换不影响电子结构，Ｐｂ替换使电子从Ｃｕ－Ｏ面迁移到Ｂｉ－Ｏ层，并导致ＣＵ－Ｏ面空穴浓度增加，转变温度Ｔｃ减小．     

系统分析中初始条件求解方法的研究

从描述系统的微分方程及给定起始状态中导出初始条件是系统分析的基础，如何根据方程以及初始状态导出初始条件成为解题的关键，在本中，作结合教学实际，提出两种行之有效的初始条件的求解方法。     

阳极真空弧沉积装置及弧特性初步诊断

介绍一种新的真空弧沉积实验装置。在１５～４０Ａ的电流范围内，对Ａ１弧等离子体的特性进行了初步诊断。在２５Ａ弧电流下，电子温度为０．４～０．８ｅＶ，电子浓度为１０１５～１０１７ｍ－３。     

微处理机应用系统容错设计之实例分析——温控仪容错设计

在微处理机应用系统容错设计理论的基础上,采用了过程通道、 Ｒ Ａ Ｍ 的备用容错以及系统恢复和重入技术,对温控仪容错进行了设计．     

等离子体的温度测量与光谱测温仪

论述了基于光谱学原理的温度测量技术．介绍了在上述原理下建立起来的光谱 测温仪。该仪器能测量符合局域热力学平衡与柱对称条件的电弧及高频等离子体的温度 剖面。测温范围为 ５ ０００—１５ ０００ Ｋ，不确定度约 ２．２％。     

过氧二甲酰重排反应的理论研究

用ＵＨＦ／ＡＭ１方法研究过氧二甲酰热排反应的机理,结果表明,由自由基对路径是热重排所循的最侍戏,其速控步骤的活化能为９０．１４５ｋＪ．ｍｏｌ＾－１。     

深山含笑和乐昌含笑的抗寒性测定

以3年生和6年生深山含笑和乐昌含笑为试材,通过低温处理,用电导法测定含笑叶片相对电导率．并用Logistic方程拟合求拐点值来估计其半致死温度,探讨其抗寒性。结果表明,经过冬季低温锻炼,除3年生乐昌含笑的半致死温度略高于-10℃外,其余均低于-11℃。深山含笑的抗寒性大于乐昌含笑,且随着树龄的增大、生长地气温的下降,抗寒性增加。在南京地区引种这两个树种成功的可能性较大。     

变形温度、变形程度与退火方式对 TC11 钛合金显微组织的影响

文章采用金相跟踪法研究了变形温度、变形程度及随后的退火方式对ＴＣ１１钛合金显微组织的影响。     

类钙钛矿锰氧化物磁卡效应的研究

介绍了前一时期人们对不同材料磁卡效应研究的成果，重点讨论了类钙钛矿材料的磁卡效应，并将我们目前得到的实验结果进行了总结．结果表明，合适的掺杂、适当的成份改变及适当的工艺过程可使类钙钛矿材料在适中的磁场下获得一个较大的、稳定的磁熵变，其性能优于以前所报道的材料，是目前较为理想的磁致冷工质．     

电阻炉温控系统模糊控制器

根据实际生产过程的温度特性，针对时滞和不确定的复杂非线性系统的控制问题，提出了一种模糊控制系统方案，该模糊控制器用于电阻炉的温度控制。可在模型未知的情况下，根据被控温度的偏差大小，选取适当的控制算法进行自动调节，使炉温达到给定值，方案结构简单，无需被控对象的精确数学模型，且能适应环境的变化，具有控制精度高、动态性能好的特点。