酞菁铜纳米线的模板合成与表征

采用物理方法将酞菁铜引入到氧化铝模板中,成功制备了酞菁铜纳米线.表征结果表明,酞菁铜纳米线直径约为75 nm,呈现β晶形结构.纳米线的形成经历了成核到纳米粒子,由纳米粒子高温晶化组装成纳米线的过程.     

配合物［Cu(NPG)2(H2O)2］·CH3CH2OH的合成、晶体结构与磁性研究

用溶液法合成了配合物［Cu(NPG)₂(H₂O)₂］·CH₃CH₂OH (HNPG=邻苯二甲酰甘氨酸),对其进行了元素分析,红外光谱,热重分析,磁性和X射线单晶衍射实验.单晶结构分析表明该晶体属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞系数a=0.476 74(12) nm,b=0.113 19(3)nm,c=0.11 614(3)nm,α=106.468(4)°,β =100.114(5)°,γ=94.358(5)°,V=0.586 4(3) nm³,Z=1.Cu(II)通过O-C-O构成一维链状结构,分子间氢键将一维链连接为平面结构,氢键对分子结构稳定起到重要作用;配合物存在弱的反铁磁性.     

分层铜锌锡硫纳米结构的合成及其光催化性能研究

采用溶剂热法合成了分层结构的铜锌锡硫（CZTS）纳米结构,用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见分光光度计（UV-Vis）、拉曼光谱等现代表征手段对样品进行表征,并以亚甲基蓝（MB）染色剂的模拟废水为目标污染物,探讨了CZTS纳米结构在可见光照射下的光催化性能.在10h可见光催化反应后,CZTS分层纳米结构对MB的降解率高达93.6％.对比实验研究表明,采用类似方法制备的CZTS无规则纳米粒子对MB的降解率仅为51.6％,表明分层CZTS纳米结构具有优异的光催化性能.我们对分层CZTS纳米结构的光催化性能进行了合理的解释.     

双掺杂核壳结构ZnS：Mn@ZnS：Cu量子点的水热法合成及其光致发光性能

以巯基丙酸为稳定剂,水热法合成了分别用Mn和Cu双掺杂、核壳结构的新型量子点( ZnS：Mn@ZnS：Cu)。工作中,分别考察了原料配比、反应温度、反应时间、pH值、核壳比例和掺杂量对 ZnS：Mn@ZnS：Cu光致发光性能的影响,用扫描隧道显微镜、X射线粉末衍射等手段表征了ZnS：Mn@ZnS：Cu的形貌与结构,用荧光等光谱方法研究了其性能。结果表明,ZnS：Mn@ZnS：Cu量子点性能稳定,其荧光、磷光和热稳定性等性能明显优于单掺杂的ZnS：Mn量子点。     

NH3对Cu/AC脱硫剂再生行为的研究

对Cu/AC脱硫剂在NH3气氛中的再生情况进行了研究，结果表明：Cu/AC经NH3再生后脱硫活性可得到完全恢复，其原因是NH3在脱硫剂表面的吸附使得脱硫剂表面的碱性增强，二次脱硫活性增高。     

酸性介质中铜阳极溶出和阴极沉积过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平(EQCM)方法研究了酸性介质中铜阳极溶出和阴极沉积过程.结果表明:铜阳极溶出和阴极沉积过程都只有一个电流峰,其M/n分别为32.0和34.2g/mol,且都是一个2-电子过程.在目前实验条件下,并未检测到Cu(Ⅰ)中间产物,这与极谱研究酸性硫酸盐溶液中Cu2 只有一个极谱波相一致.本文从电极表面质量定量变化的角度提供了Cu阳极溶出和阴极沉积过程的新数据.     

混合废干电池资源化综合技术研究

本文系统地研究了从废干电池的锌皮、铜帽中分离Zn、Cu的新方法.经湿法技术分离得纯度高于97%的ZnO和85%的海棉Cu.从碳粉中分离回收Mn、Zn的新方法,得到纯度为85%的MnO2和99%的Zn(OH)2.     

铁屑内电解法处理EDTA络合铜废水的研究

采用以铁屑为阳极材料,活性炭为阴极催化剂的铁屑内电解法处理EDTA络舍铜废水。通过中试装置间歇流实验研究了铁屑内电解法对EDTA络合铜的去除效果及其影响因素;利用连续流试验确定最佳反应条件：pH=1．39,停留时间为20min。最佳条件下铜和COD的去除率分别为96．75％和27．29％。内电解法处理EDTA络合铜废水...     

Cu2+对水稻萌发及生理指标的影响

以常见农作物水稻为材料,在实验室条件下采用水培的方法,研究Cu2 单一污染对水稻种子的萌发及生理特性的影响.结果表明:低浓度的Cu2 对水稻生长没有明显的毒害,但随着浓度的增加,水稻受害症状比较明显。当Cu2 浓度由0增加到400 mg/L时,萌发率由对照组的43.3%降到22.2%,须根数由34个降到13个,主根长也由6.08 cm降到5.34 cm,严重影响根系的生理功能;chla和chlb的含量也显著下降,当Cu2 浓度为400 mg/L时,仅为对照组的45.1%和58.8%,影响了水稻的光合作用,而叶片的电导率显著上升,说明细胞膜的完整性和组成遭到破坏.     

The Novel Semiconductor Nanowire Heterostructures

1 Results If one-dimensional heterostructures with a well-defined compositional profile along the wire radial or axial direction can be realized within semiconductor nanowires, new nano-electronic devices,such as nano-waveguide and nano-capcipator, might be obtained. Here,we report the novel semiconducting nanowire heterostructures:(1) Si/ZnS side-to-side biaxial nanowires and ZnS/Si/ZnS sandwich-like triaxial nanowires[1],(2) Ga-Mg3N2 and Ga-ZnS metal-semiconductor nanowire heterojunctions[2-3]and (3) ...