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291.
利用化学沉淀法结合功率超声技术制备了纳米氧化铜粉体和非晶态纳米氢氧化铜粉体,用X射线和透射电镜进行了表征,分析了各参数对制备过程和产物的影响,并探讨了功率超声的作用机理。所得产物纳米氧化铜粉体和纳米氢氧化铜粉体呈球团状,平均粒径分别为24和46nm。 相似文献
292.
《科学通报(英文版)》1999,44(Z2):212-212
293.
采用离子交换法,研究了黄河中游水体表层沉积物与铜的液 固界面相互作用,并绘出了离子交换率( E% ) —pH 曲线.由此得知,水体pH 值是控制铜离子向固相转移的主要因素,离子交换率( E% ) 随pH 升高而增大;表面沉积物浓度增大,E% 增高,E% —pH 曲线向小的pH 方向移动;而Cu2 + 浓度增大,E% 则降低,使得E% —pH 曲线向大的pH 方向移动,说明它们对吸附物均有明显影响 相似文献
294.
改进型XC502低压甲醇合成催化剂的制备 总被引:2,自引:2,他引:0
采用离子掺杂价态补偿原理及正交试验方法,在三组份Cu-Zn-Al低压甲醇合成催化剂中添加适量的IVB族和VB族金属氧化物助剂,研制五组份多促进的Cu-Zn-Al-M1-M2的甲醇合成催化剂XC502.实验结果表明,在5.0MPa、240℃的条件下,XC502催化剂耐热前的活性比Cu-Zn-Al催化剂高约10%,耐热后高约29%;XRD和DTA表征显示,XC502催化剂前驱态含绿铜锌矿[(Cu,Zn)(OH)2(CO3)]和孔雀石[(Cu2(OH)2CO3]构型的组份较多,分散度较好.这与XC502型催化剂具有低温高活性和较好的热稳定性密切相关. 相似文献
295.
绿竹林铜锌锰元素的含量特征及其动态 总被引:3,自引:0,他引:3
主要研究了闽南绿竹(Dendrocalamopsisoldhami)林Cu、Zn、Mn元素的含量特征,绿竹叶以及细根分解过程中Cu、Zn、Mn含量的月变化.结果表明:(1)Cu、Zn、Mn在绿竹林各组分的含量大小不同,除根茎Mn的含量低于Cu和Zn外,其余组分Mn的含量均高于Cu和Zn的含量;绿竹林各组分中Cu的含量在4.54~42.82μg/g,Zn的含量在4.92~44.07μg/g,Mn的含量在26.35~231.86μg/g;(2)1997年1月绿竹林Cu、Zn、Mn的库存量分别为0.252、0.340、2.020g/m2,库存量的大小顺序是:Mn>Zn>Cu;(3)1996年7月至1997年6月一年中各月绿竹叶Mn的含量都高于Cu和Zn的含量,Mn和Zn的月动态模式是单峰型,Cu的月动态模式呈现不规则类型;(4)绿竹细根的分解过程中,Mn含量在前二个月先累积,而后逐渐释放;Cu含量波动较小;Zn的含量则处于累积与释放的相间波动之中 相似文献
296.
297.
电子俘获材料ZnS:Cu,Pb,Mn发光机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对电子俘获材料ZnS:Cu,Pb,Mn作了XRD分析,并测试了材料的荧光谱、荧光激发谱、红外激励发光谱、红外激励谱、荧光余辉衰减曲线等光谱特性。结果显示:材料为六方晶系ZnS单相;可受460nm以下的紫外及可见光激发;红外响应范围为(700—1600)nm;荧光和红外激励发光的峰值波长在490nm和580nm。根据光谱特性对ZnS:Cu,Pb,Mn的上转换发光机理进行了探讨,提出了ZnS:Cu,Pb,Mn的上转换发光机理能级模型,并结合模型对材料的激发和激励过程作了具体的分析。 相似文献
298.
通过拉伸试验、冲击试验以及微观组织观察试验,分析降低Cu含量对喷射成形7055铝合金强度、断裂韧性和微观组织的影响。力学性能试验表明,7055铝合金中Cu的质量分数由2.55%降低到2.17%时,对其强度和伸长率影响不大,但Cu含量降低后合金的断裂韧性显著提高。微观组织分析表明,Cu含量降低前晶界上存在粗大的Al7Cu2Fe相,Cu含量降低后晶界上的粗大析出相明显减少;断口分析表明,Cu含量降低前拉伸断口中存在较多的Al7Cu2Fe第二相,Cu含量降低后Al7Cu2Fe第二相明显减少。 相似文献
299.
采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论. 相似文献
300.
利用热蒸发和溶液浸泡两步法制备了性能优良的ZnO纳米线,研究了这些ZnO纳米线的光致发光和场发射特性.与直接采用热蒸发方法生长的ZnO纳米线相比,由该方法得到的ZnO纳米线表现出了更好的紫外发光特性,同时发生5 nm的蓝移,场发射测试表明其开启电场和阈值电场分别达到2.3 V/μm和6.8 V/μm.该方法适用于制备光致发光和场发射性能优良的ZnO纳米线. 相似文献