全文获取类型
收费全文 | 5318篇 |
免费 | 206篇 |
国内免费 | 355篇 |
专业分类
系统科学 | 13篇 |
丛书文集 | 197篇 |
教育与普及 | 38篇 |
理论与方法论 | 3篇 |
现状及发展 | 65篇 |
综合类 | 5563篇 |
出版年
2024年 | 9篇 |
2023年 | 26篇 |
2022年 | 51篇 |
2021年 | 66篇 |
2020年 | 42篇 |
2019年 | 53篇 |
2018年 | 59篇 |
2017年 | 103篇 |
2016年 | 94篇 |
2015年 | 123篇 |
2014年 | 214篇 |
2013年 | 168篇 |
2012年 | 275篇 |
2011年 | 279篇 |
2010年 | 190篇 |
2009年 | 240篇 |
2008年 | 223篇 |
2007年 | 345篇 |
2006年 | 305篇 |
2005年 | 313篇 |
2004年 | 282篇 |
2003年 | 262篇 |
2002年 | 234篇 |
2001年 | 221篇 |
2000年 | 214篇 |
1999年 | 177篇 |
1998年 | 129篇 |
1997年 | 144篇 |
1996年 | 164篇 |
1995年 | 141篇 |
1994年 | 117篇 |
1993年 | 135篇 |
1992年 | 107篇 |
1991年 | 76篇 |
1990年 | 92篇 |
1989年 | 76篇 |
1988年 | 66篇 |
1987年 | 36篇 |
1986年 | 24篇 |
1985年 | 4篇 |
排序方式: 共有5879条查询结果,搜索用时 15 毫秒
271.
采用TiO_2和SiO_2的金属烃氧基在乙醇溶液中进行水解反应,制成胶状非晶态物质溶液.用浸渍法在玻璃基底上制备出多层TiO_2/SiO_2介质复合膜.它具有涂膜设备和工艺简单,成本低等特点.作者对溶液配制、涂膜工艺和膜的结构进行了初步研究.由实验得出膜厚d与溶液浓度C及提拉速度V的关系;给出了膜厚随其热处理温度的变化;并用扫描电镜对膜的表面结构进行了分析. 相似文献
272.
本研究采用在滑靴上加辅助测板的方法,首次实测了滑靴在实际工况下油膜变化的全过程,获得了滑靴油膜特性的第一手资料。本文的结论对进一步改进滑靴设计奠定了基础。 相似文献
273.
274.
现场FT—IR光谱电化学方法及应用研究 总被引:2,自引:1,他引:2
介绍了常规FT-IR光谱仪上的现场电化学测定,分析讨论了这一方法在溶液反应及其定量处理,修饰膜电极,金属的氧化,腐蚀与缓蚀等方面的应用。 相似文献
275.
研究了以酚醛树脂作结合剂的MgO-A1和MgO-Fe两个体系的烧成合金的亚微形态和机械强度的关系,考察了体系在高温下、在还原性气氛中发生的反应对形态和机械强度的影响。 相似文献
276.
化学气相沉积(CVD)TiN涂层在模具上涂复3~10μm可使模具寿命提高3~4倍。本文研究指出:沉积温度对沉积速率、涂层硬度及对基体Cr12MoV硬度和尺寸都有影响。在950~1000℃间可以得到接近化学计量的TiN,其硬度Hv(1)≈20000N/mm~2,基体尺寸变化在万分之五以内。 相似文献
277.
崔作林 《吉林大学学报(理学版)》1989,(4)
近年来,随着表面研究的发展,对吸附于金属表面的各种有机分子薄膜性质的研究受到了广泛重视。在这些研究中,首先涉及到有机分子在金属靶(即衬底)上的成膜及膜厚度的控制问题。有机分子在金属靶上的吸附成膜一般可分为物理和化学吸附两种。化学吸附作用比物理吸附作用强得多,它可导致被吸附分子及靶表面分子结构上的变化。在一般条件下,物理 相似文献
278.
本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2~3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3~4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300%,而钝化后的器件只增加了75%。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。 相似文献
279.
庄绍尧 《福州大学学报(自然科学版)》1988,(1):91-95
在氟硼酸盐溶液中,以蛋白胨为添加剂,在铅锡合金电极上用恒电流法和电位扫描法研究铅锡的阴极过程,测定了合金的极化曲线和各金属的分极化曲线。结果表明金属的沉积过程受到电荷传递步骤的控制。测得a=0.14。证实氟硼酸本身不直接参加电极反应,但反应速度常数Kf与酸浓度成正比。 相似文献
280.
本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的氧沾污的有害影响,有利于通过固相反应形成自对准TiSi_2导电薄膜。 相似文献