非共沸混合工质R22／R152a水平单管外凝结换热的实验研究

在系统温度为３０℃时，对纯工质Ｒ１２、Ｒ１５２ａ及五种Ｒ２２组分浓度配比下Ｒ２２／Ｒ１５２ａ非共沸混合工质，在水平单管外凝结换热特性进行实验研究。实验结果表明：（１）在五种Ｒ２２组分浓度配比下Ｒ２２／Ｒ１５２ａ混合工质的管外凝结换热系数均低于纯质Ｒ１５２ａ，但高于纯质Ｒ１２；（２）对于光管，Ｒ２２／Ｒ１５２ａ管外凝结换热系数是纯质Ｒ１２的１．３４￣１．４３倍。低助管为１．１５￣１．３５倍、双侧强化     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。     

光学介质膜在短型格兰.汤普逊棱镜中的应用

提出了一种冰洲石晶体－光学介质膜结构的短型格兰．汤普逊棱镜设计，研究了全反射光在薄膜上的透射深度，以及透射深度与棱结构角和光波长的关系。     

制备活性二氧化硅实验的设计

本文介绍的活性二氧化硅的制备及性质实验是为化学专业无机化学实验课而设计的一个综合性实验。本实验具有综合性强,制备条件温和,时间短,实验耗费低及原料易得等优点。     

硅酸二钙活性的研究

硅酸二钙（Ｃａ２ＳｉＯ４简写为Ｃ２Ｓ）是硅酸盐水泥的主要成份，对硅酸二钙进行掺杂改性。可以影响Ｃ２Ｓ的微观结构，水化活性，烧成速度等．用正电子湮没技术研究了掺Ｎａ２Ｏ和Ｐ２Ｏ５的Ｃ２Ｓ正电子寿命谱，结果表明掺杂能增加Ｃ２Ｓ的微结构缺陷，使Ｃ２Ｓ烧成速度加快，水化活性增大．用正电子湮没技术Ｘ射线衍射线宽效应和扫描电镜等手段研究了不同燃烧条件下，Ｃ２Ｓ的中间体ＣａＯ的活性及其变化规律．结果表明，在快速烧成条件下的新生态ＣａＯ晶粒尺寸小，缺陷浓度高，ＣａＯ与Ｃ２Ｓ的活性也较高在硅酸盐水泥生料中掺杂和采用快速烧成工艺，可以增大硅酸盐水泥的烧成反应速度，有重要的实用价值．     

二茂铁酮亚胺的合成和鉴定

三氧化二铝为催化剂,乙酰基二茂铁与芳伯胺进行缩合反应,分离出十种稳定的酮亚胺。元素分析,红外光谱和核磁共振谱研究测定了它们的结构。比较乙酰基二茂铁和苯乙酮与芳伯胺的缩合反应条件,发现所需催化剂不同.     

单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。     

环烷酸—TBP系分离提纯La_2O_3的研究

采用环烷酸—TBP体系对混合稀土中的La进行分离提纯。测定了La、Ce、Y、Pr、Gd、Nd的pH_(1/2)值,以及,并据此设计出分馏萃取流程。经试验,确定用20级萃取和10级洗涤,所得La_2O_3产品的纯度可达99.95％,收率为97％。环烷酸—TBP体系具有无臭、分层快、粘度小、成本低等优点,可用来代替常用的P_(350)、P_(507),作为分离提纯La的萃取剂。     

GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

铬电沉积过程及H2SO4的作用

在铬镀液(CrO_3/H_2SO_4=250/2.5Wt.)中,电流扫描实验结果表明,铬在玻璃碳电极上沉积需要成核过电位;而在铜电极上不需要成核过电位,其晶核由电极表面氧化膜(CuO CrOH)还原生成的金属Cr提供。铬电沉积前后,CrO_3还原机理不同,H_2SO_4 的作用也不同,沉积前,H_2SO_4的作用主要是活化电极表面,促使CrO_3还原,同时还使表面氧化膜溶解。沉积后,H_2SO_4 则起着保持电极表面附近阴极膜相对稳定的作用,还可能与 Cr(Ⅳ)形成易还原的配合物。