SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究

研究了半导体氧化物ＳｎＯ２膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性，导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式，以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式；解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释，与我们的实验结果相一致，也与一些文献报导的实验结果相符合［１，２］。     

厚膜二氧化锡材料的气敏特性研究

用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料，对此二氧化锡进行掺杂，制成由一定原料配方组成的厚膜浆料，以此浆料用丝网印刷技术制备ＳｎＯ２厚膜气敏元件。然后，对系列元件进行气敏特性测试，所制备的ＳｎＯ２气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。     

银微盘电极阴极溶出伏安法测定黄酒啤酒中L-半胱氨酸

基于Ｌ－半胱氨酸（Ｃｙｓ）能与Ａｇ＋生成难溶化合物特性，在银微盘电极上成功实现了Ｃｙｓ－Ａｇ阴极溶出伏安法．该法操作简便，无需搅拌、不要镀汞、精密度好，于０．２ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中，Ｃｙｓ浓度为５．０×１０－７～１．０×１０－４ｍｏｌ／Ｌ范围与峰电流有良好的线性关系．用于黄酒、啤酒中Ｌ－半胱氨酸含量的测定，结果令人满意．     

电极转速对甲醇电化学氧化还原行为的影响

以旋转线扫伏安和旋转循环伏安法研究了甲醇的电化学氧化还原过程中电极旋转速度的影响.电极旋转增加了CO在电极表面上的吸附量,增大其毒化作用,较大程度地减小氧化和还原电流.转速的影响随电位区域不同而不同,在较低电位下(<0.65 V),氧化过程为电化学动力学控制,旋转的影响较大;电位较正时(>0.65 V),氧化过程为扩散控制,旋转的影响较小.CO在电极表面上的吸附量的相对增加,使CO脱附引起的氧化电流也相对增加.     

电沉积法修复钢筋混凝土裂缝的试验研究

从电化学角度对电沉积方法修复混凝土裂缝的原理及其影响因素进行了探索性的试验研究，证实了在裂缝尖端有电流密度集中现象，通过调节外加电压统计分析发现，裂缝端的电流密度比临近无损伤区域高出了数百倍；试验测定了电沉积过程中受损水泥基试块的质量增加量、裂缝愈合率等参数，并研究了水灰比和不同电解质溶液对混凝土电沉积修复效果的影响．     

石墨基PbO2阳极的电化学性能

用热分解和电沉积法制备了C/PbO2、C/SnO2 SbOx/PbO2和C/SnO2 SbOx M nO2/PbO2电极.EDS测定了电极的表层成分,考察了该类电极在硫酸溶液中的使用寿命,测定了其极化曲线和动力学参数,并求出其分形维数.同时测定了阳极生成臭氧的浓度.结果表明C/SnO2 SbOx M nO2/PbO2电极在4A.cm-2的高电流密度下寿命可达20 h,其a值相对较小,io较大,分形维数Df=1.804 8.     

蛋白质-纳米粒子薄膜电极的电化学进展

简要介绍蛋白质一纳米粒子薄膜电极的电化学与电催化研究的新进展。纳米粒子能够把自己近距离地固定在蛋白质的活性中心，提供直接、非媒介体的电子转移，大大增强了其电流响应和催化活性，可能比其他的方法更具有潜在的优势。     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

250～500℃时NO对干法脱硫反应的影响

用热重分析仪(TGA)研究了250~500℃烟气中NO对干法脱硫法反应的影响规律。实验采用分析纯C aO作为脱硫剂与模拟烟气反应。TGA实验结果表明,在250~500℃的范围内,NO对干法脱硫反应有促进作用。并且存在最佳的NO促进脱硫反应进行的温度和浓度范围:最佳温度为300℃,最佳浓度为2.009~3.348 g.m-3。对脱硫产物的Fourier变换红外分析(FT IR)和扫描电镜(SEM)分析表明NO是通过增加反应活性位和改变反应途径促进干法脱硫反应的进行。     

含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.