超晶格量子阱中的量子力学效应

半导体超晶格由于其特殊的结构,产生了许多新的量子现象.以GaAs/AlAs结构为例,运用薛定谔方程,结合边界条件,对量子阱现象进行了浅析,求得阱中的二维电子气在沿材料生长方向上的能级是分立的,即量子阱中由于局域效应存在着一系列的子能级,且从电子的能态密度的定义出发,计算出其二维电子的能态密度与能级无关.     

量子态转化的一些数学性质

目的为研究混合量子态MLOCC和ELOCC的最大催化转化概率在一定条件下的数学性质。方法利用tensor积和量子纠缠态的有关性质。结果得出了几个关于MLOCC和ELOCC纠缠转化的定理。结论可以对量子纠缠态的转化问题作进一步的数学研究来加深对量子纠缠转化的物理理解。     

有效微观状态数与系综变换

首先提出有效微观状态数的概念，以及为出发点阐明尽管主其本质看他们都与孤立系的微观状态数的地位相当，证明了对于不同独立参量的系统，相应的有效微观状态数都扮演了特性函数的角色，于是由独立参量的各种组合会有各种有效微观状态数，从而有各种相应的系综。     

有限维希尔伯特空间q-畸变谐振子奇相干态非经典特性的数值计算

运用数值方法研究了 q - 畸变对有限维Hilbert空间谐振子奇相干态非经典特性的影响 .研究表明 ,q- 畸变使该态出现压缩效应 ,且q- 畸变增大时压缩效应增强 ;但q- 畸变使该态的反聚束效应减弱 ,甚至在一定条件下消失 .     

扩展休克尔理论对碱卤化物电子结构的研究

扩展休克尔方法结合特殊点方案利用自包容子程序，我们表示了一个简单计算方法，把扩展休克尔理论应用到离子晶体。定性解释了中性基态Ｎａ，Ｋ原子的低能ＥＳＤ实验的结果。     

n维简谐势阱中粒子的态密度

应用半经典近似法计算任意维数非相对论性理想体系处于简谐外势中的量子态密度，得出解析的表达式，并进行讨论．揭示了简谐外势对系统性质的影响．特别是对于二维系统，使之从准长程序转变为长程序，对于一维系统，使之从无序转变为准长程序     

偶偶核166Hf高自旋态的微观描述

从壳模型组态及核子－核子有效相互作用出发，用一种在截断的态空间中研究偶偶核高自旋态的理论方案，以偶偶核＾１６６Ｈｆ为对象作了计算和讨论。结果表明，该理论方案很好地描述了稀土区偶偶核高自旋态的性质。     

齐分子噻吩乙炔的几何结构特性

采用半经验的Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子Poly(Thienylene Vinylene)(PTV)的中性态和掺杂态的几何结构特性.与中性态相比,带电态下齐分子PTV的几何结构表现在C-C键键长发生显著的变化,单电荷掺杂导致极化子元激发;双电荷掺杂产生双极化子元激发,即使增加链长,仍在链中产生双极化子而不是两个分立的单极化子;掺杂4个电荷时,在齐分子PTV链中产生两个分立的双极化子.     

睡眠剥夺影响大脑功能区状态的非线性评价

采用近似熵研究睡眠剥夺（sleep deprivation，SD）对脑认知功能的影响，评价SD引起的大脑功能区状态的非线性变化．12名受试者在正常睡眠和一夜SD之后分别接受视觉注意力测试，记录自发脑电和诱发脑电，采用二维插值构建19导脑电近似熵脑信息图（brain information map，BIM）．结果表明，在SD状态下，自发脑电的近似熵在全脑范围内有不同程度的下降，额叶处大脑偏侧性发生变化，复杂度的中心从左脑转移到右脑；前额叶处诱发脑电近似熵值降低，而顶叶和颞叶处则升高．脑电近似熵可以作为指标来评价SD对脑认知功能的负向影响，BIM的变化趋势与从生理学及影像学角度的分析相吻合，与线性方法的研究结论一致，在一定程度上可以反映大脑功能状态，提供一条评价脑功能区状态变化趋势的思路．