钒酸钇原料制备

采用液相反应法合成钒酸钇原料 .为了寻求最佳合成点 ,测定了氧化钇 (Y2 O3)和偏钒酸铵 (NH4 VO3)在硝酸和氨水中的溶解度 -浓度曲线 ;分析了温度对溶解度的影响 .钒酸钇粉末在 10 0℃的条件下烘干 ,5 0 0℃条件下烧结4 8h.XRD粉末衍射表明 ,所得物质为四方相钒酸钇     

氨基酸席夫碱锌配合物的合成与表征

对水溶液中酪氨酸缩水杨醛席夫碱和Zn2 现场配位进行了研究,合成了Zn2 席夫碱配合物3种,通过元素分析确定其组成分别为配合物1:Zn·L·Bipy·KAc;配合物2:Zn·L·Phen·0.5H2O;配合物3:Zn·L5·Ap·kAc·1.5H2O.通过可见紫外吸收光谱分析、红外光谱分析、热重分析对这些配合物进行了表征.     

金属载体上原位合成ZSM-5分子筛

以正硅酸乙酯(TEOS)和NaAlO2作为硅源和铝源，四乙基氢氧化铵(TEAOH)作为模板剂，用水热合成法在经表面处理的金属载体上原位合成了ZSM-5分子筛涂层，并采用BET、XRD、SEM等表征技术，研究了金属材料的处理方法、合成时间及次数等因素对ZSM-5分子筛涂层的结晶度、比表面积、覆盖率和涂层热牢固度的影响。结果表明，用原位合成法可以在金属载体上制得结晶度高、热牢固度好的ZSM-5涂层。     

ZnCo2O4尖晶石纳米粉体的新型共沉淀法合成及表征

以草酸为沉淀剂、乙醇为溶剂,通过新型共沉淀法合成分子前躯体锌钴草酸复合盐ZnCo2(C2O4)3.4H2O,对该前躯体在不同温度下热处理即可制得锌钴尖晶石粉体.利用热重分析仪(TGA)和差示扫描量热仪(DSC)对前躯体热分解过程分别进行热失重分析和动力学分析.结果表明,前躯体热分解仅经历2个热失重过程(脱结晶水和最后分解)且最后分解过程遵循随机成核和核随后生长单一的动力学机理,活化能不随转化率的变化而变化.由此说明前驱体为草酸复合盐而不是二元混合盐.利用X-射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)和透射电子显微镜(TEM)等分析手段对尖晶石粉体进行表征.结果显示,前躯体在低温段450~650℃煅烧2 h即可获得单相、颗粒细小均匀的尖晶石粉体,高温750℃煅烧,得到ZnO和缺锌的锌钴尖晶石的混合物.     

镁质胶凝材料机械强度的实验研究

通过抗折强度检测和Ｘ－射线衍射分析，对镁质胶凝材料机械强度的发展及其与物相的组成和变化的关系进行了研究。     

不同水/表面活性剂比的微乳液制备纳米Ni-Fe复合微粒的组成和粒径分布

用X－射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）等研究了不同水／表面活性剂（[W]/[S]）比的微乳液制备纳米Ni-Fe复合微粒的组成和粒径分布，结果表明，([W]/[S]）比值不同，得到的Ni-Fe复合物微粒不但粒径不同，而产物的组成也有差异，当([W]/[S]）＞240时，微粒粒径最小，但组成复杂；当([W]/[S]）＜198时，微粒粒径呈寺大，但组成较单一，且可得到Ni-Fe合金相，各样品磁参数的测量表明，当将Ni-Fe组分总量规一化时，发现随Ni/Fe比增加，磁参数减小。     

固体电解质ZrO2（Y2O3）粉末的制备研究

本文比较了几种制备方法及Y_2O_3含量对ZrO_2材料性能的影响,提出了ZrO_2立方相的稳定机理。结果发现,在相同Y_2O_3含量条件下,不同制备方法制得的粉末其晶相中ZrO_2立方相体积分数有较大差异。随Y_2O_3含量的增加,粉末晶相中立方相体积分数迅速增大,其立方相晶胞参数逐渐增加,而当Y_2O_3含量增加到9mol%时,晶胞参数反过来又减小。SEM照片表明,随Y_2O_3含量的增加。ZrO_2粉末颗粒逐渐增大,Y_2O_3含量大于6mol%时,ZrO_2粉末形状变得较不均匀规整。Y_2O_3含量较低时,ZrO_2粉末才具有较好的烧結性能。     

FCC催化剂钒污染及捕钒剂的研究

对一种工业ＦＣＣ催化剂进行处理后，制得载钒量在ｗｖ＝０．００１－０．０１之间的一组样品，并在７５０℃和１００％水蒸汽条件下逐个流化４ｈ，然后进行ＦＴＩＲ酸性表征和ＸＲＤ分析。实验结果表明Ｂ酸和Ｌ酸均随载钒量的增加而减少，在酸性位数目减少的过程中，酸的强弱比例基本不变；ＸＲＤ结果表明，随着载钒量的增加，样品的衍射峰强度几乎呈线性下降，在ｗｖ＝０．００５的载钒量条件下进行不同捕钒剂量的研究，发现捕钒剂     

硅基SiC薄膜的制备及性能研究

文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。