首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   352篇
  免费   14篇
  国内免费   18篇
系统科学   15篇
丛书文集   9篇
现状及发展   2篇
综合类   358篇
  2024年   2篇
  2023年   6篇
  2022年   2篇
  2021年   6篇
  2020年   9篇
  2019年   5篇
  2018年   10篇
  2017年   13篇
  2016年   4篇
  2015年   6篇
  2014年   16篇
  2013年   21篇
  2012年   17篇
  2011年   16篇
  2010年   14篇
  2009年   17篇
  2008年   20篇
  2007年   25篇
  2006年   28篇
  2005年   13篇
  2004年   11篇
  2003年   15篇
  2002年   12篇
  2001年   14篇
  2000年   10篇
  1999年   11篇
  1998年   8篇
  1997年   5篇
  1996年   9篇
  1995年   6篇
  1994年   4篇
  1993年   5篇
  1992年   5篇
  1991年   3篇
  1990年   2篇
  1989年   3篇
  1988年   7篇
  1987年   2篇
  1986年   2篇
排序方式: 共有384条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
82.
土料非线性滞回本构模型的半解析半离散构造方法   总被引:13,自引:1,他引:13  
通常的土体动力真非线性分析方法难以同时合理地拟合整个应变范围内实际的动剪切模量Gs及阻尼比eq随应变γ的非线性变化规律,为了克服这一缺陷,本文对于含固定参数的解析类骨架方程及相应的滞回曲线构造准则加以修正,即在原本构模型中取定或引进两个随应变幅值而变化的参数,并根据实测得的经验曲线,Gs-γ及-γ直接推求这些参数的变化规律,具体分析表明:如此所建立的动态本构模型既简便可行,又符合实际。  相似文献   
83.
84.
在分析与比较传统两态滞环电流控制和三态滞环电流控制的基础上,利用三态滞环电流自适应跟踪控制方法导出了一种新型环宽计算公式;利用Matlab/simulink工具建立了逆变控制系统仿真模型,使用该模型对并网系统电流控制进行了实验仿真.结果证明,该控制方法稳态性能好,实际电流波形理想,电流误差小.  相似文献   
85.
根据视觉暂留原理,设计了一种线阵LED图文显示系统。选用TI公司的MSP430G2553单片机为主控制器,用直流电机带动线阵LED电路板高速旋转,经过不同位置时,点亮相应的LED,在旋转平面上显示静态或动态图文信息,通过光敏元件感应外界光照强度控制LED灯亮暗程度。该系统具有成本低、驱动简单、视角广、耗能低等优点。  相似文献   
86.
针对室内温控系统中响应时延大、稳定性较差以及超调量大等问题,设计一种基于Fuzzy-Smith滞后补偿型PID温度系统,将Smith补偿型控制器加入回路系统中,提前预判对象的性能,反馈到调节器,以此补偿过程误差,并通过Matlab软件设计模型;实验结果可知:传统PID算法和Fuzzy-PID算法的上升速度较快,但稳态品质较差,调节能力较弱; Smith算法的超调量相比其他算法小,能够使系统保持较好的鲁棒性,但曲线上升时间和系统调节时间较慢; Fuzzy-Smith控制的温度上升较快,超调量很小,调节到稳定温度值所花时间较少,明显改善温控系统的性能,能够达到预期的稳态特性;算法能有效地抑制纯滞后的影响,降低系统的超调量,加速响应过程。  相似文献   
87.
鉴于常见滞环电流控制时滞环宽度固定而开关频率变化带来的不足,提出一种固定开关频率的自适应变环宽的滞环电流控制技术的策略;详细推导了三相PWM控制的VSR系统主电路拓扑的数学模型以及滞环宽度控制原理方程,得到开关频率与滞环宽度的关系;为了使开关频率固定,设计了VSR的双闭环控制系统;最后,在Matlab/Simulink环境下建模仿真,仿真结果显示:该整流器网测电流实现正弦化,直流侧输出电压响应快、超调小且波形平稳,输入相电压和相电流的谐波含量和总谐波失真度均较小,满足国标要求。  相似文献   
88.
用Ferrari法解出能量方程,并藉助于外场的h-α平面,研究了Stoner-Wohlfarth单畴微粒问题,揭示了磁化矢量M的运动的两种模式,导得了转动磁滞损耗Wr的3个表式.  相似文献   
89.
通过MOS结构C-V特性曲线和C-V特性滞后曲线,对不同淀积条件下的SiO2-Si界面特性进行了研究,并与热氧化法和PECVD法生长的SiO2腹界面进行了比较.结果表明:在不同工艺条件下,其界面电荷密度有所不同,与热氧化生长膜的界面电荷密度相近,比PECVD膜的界面电荷密度稍低,且其界面基本上呈现负电荷中心.根据俄联电子能谱的结果,对其界面负电荷的形成作了定性的解释.  相似文献   
90.
指出古典滚动摩擦定律存在着一定的局限性,对滚动摩擦机理从摩擦学观点进行了探讨,分析了滚动阻力来自微观滑动和弹性滞后.通过一系列金属和非金属材料的摩擦试验,测得滚动摩擦系数值及其变化规律,从而指出了影响滚动摩擦系数的主要因素.最后认为,滚动摩擦系数还须靠实测来确定.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号