半导体量子点中杂质结合能的理论研究

利用一维有限差分法,计算了一个圆柱形量子点中杂质基态的结合能,研究了电场、磁场和杂质位置对结合能的影响.当杂质位于量子点中心时,结合能随着电场和有效半径的增加而减小;当杂质位于过量子点中心且垂直于轴线的平面上时,结合能随杂质位置远离中心的变化呈对称变化;当杂质位于z轴上时,在电场的作用下这种对称性消失.     

Co~(16+)离子电子碰撞L层电子电离布居Co~(17+)离子激发能级的速率系数

在库仑-玻恩交换近似下,使用由我们改善了的Sampson的Z标度类氢模型及Grant的多组态Dirac-Fock(MCDF)程序包,计及了高荷电靶离子的相对论效应,计算了元素Co的类Na离子L层电子碰撞电离产生的类NeCo离子n=3激发能级布居的速率系数,所得结果比采用原始的Sampson方法计算的结果降低了25％左右。     

III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN量子点,量子点高度和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中束缚激子的结合能升高,激子态的稳定性增强,提高了激子的离解温度,使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/A lxGa1-xN量子点中激子的结合能升高,载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN/A lxGa1-xN量子点,杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时,束缚激子的结合能最大,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。     

Cu元素nl壳层能量的计算

以Ｃｕ元素为例给出了用改进的屏蔽氢离子模型对原子ｎｌ壳层能量的计算方法,并与实验结果作了比较．     

量子点中类氢离子杂质的某些精确解和微扰解

根据有效质量近似理论，采用无限深势阱模型研究了位于GaAs-Ga1-xAlxAs球形量子点中心的类氢离子杂质，讨论了量子点的囚禁作用对类氢离子杂质系统的能量和电子分布几率的影响，给出了某些波函数的有限形式的精确解，并考虑了系统与外加弱电场的相互作用，利用直接微扰法给出了一级修正波函数和二级能量修正。     

量子阱的二维等效势模型的研究

量子阱的二维等效势模型是研究量子阱中少体问题行之有效的方法，本文对二维等效势模型进行了详细的数值计算和讨论，并指出了这种等效模型的可行性。     

惰性元素氪等离子体不透明度计算

用(l)分裂的屏蔽氢不透明度模型计算了惰性元素Kr等离子体随光子能量变化的不透明度,其中束缚-自由跃迁积分、束缚-束缚跃迁积分中的波函数采用了类氢波函数. 探讨了温度为100～600 eV, 密度为0.5～2 g/cm3范围内kr等离子体不透明度随温度和密度的变化规律,以及自由-自由、束缚-自由、束缚-束缚这三种跃迁过程对不透明度的贡献.     

含类氢杂质的量子点的基态能

用Ｐｅｋｅｒ－Ｌａｎｄａｕ变分法计算了含类氢杂质的量子点基态能，发现外磁场、量子点固有禁闭势、电子杂质相互作用、电声子相互作用对量子点基态能都有影响，并有一定相互关系     

闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态

在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势.