基于属性标识位的面向对象时空数据模型

在时空数据模型发展的基础上，提出了一种新的基于属性标识位的面向对象时空数据模型．将时空数据库分为一般基本属性库、有效时空属性库和历史时空属性库三部分存储，利用属性标识符标识数据对象在各部分库中的存在与否，进而对操纵语言进行基于新的数据模型的扩展。     

应用ABEEMσπ模型研究氨基酸和多肽分子的电荷分布

在密度泛函理论和电负性均衡原理的理论框架下 ,发展了直接用于计算原子及键电荷分布的原子 键电负性均衡方法的σπ模型 ,本文应用此模型计算了氨基酸和一些较大多肽分子的电荷分布 .     

地下厂房洞室群动力反应时程分析

采用动力时程分析法,对杨房沟水电站地下厂房洞室群地震反应进行了三维非线性数值模拟,分析了洞周围岩的加速度、位移时程变化及应力分布特征.计算结果表明,在地震荷载作用下,洞室高边墙对加速度有一定放大效应;洞周围岩地震位移波形与输入地震波形一致,围岩各质点间的相对变形及围岩永久变形均较小;围岩应力分布较为合理,最大主应力及最小主应力幅值较小,地下洞室群在设计地震荷载作用下抗震稳定性较好.     

线型聚能装药射流形成过程的数值模拟

聚能射流形式过程的研究对于正确认识射流侵彻理论具有重要的意义。根据线型聚能药的结构特点,利用DYNA3D显式有限元程序对线型聚能射流的形成过程进行了数值模拟。模型探讨了线型聚能装药爆炸的诸多重要物理特性,如药型罩的压垮、射流形成和拉伸以及体杵体的“体缩”现象。还分析了线型聚能射流形成过程中速度、密度、温度等参数的分布特性,得出了射流有逆向速度梯度和杵体存在“体缩”现象听结论,其结果与现有的理论分成果基本一致。     

隔震曲线梁桥的地震响应

根据隔震曲线梁桥的特点,利用两个正交的非线性水平弹簧单元来模拟铅芯橡胶支座的双向非线性特性,基于大型有限元分析软件SAP2000,选取强震记录作为地震输入,考虑了曲线梁桥自身特性的影响,建立了隔震与无隔震曲线梁桥的空间有限元模型,并进行了双向地震动作用下的地震响应分析.结果表明:铅芯橡胶支座不仅可以有效地降低曲线梁桥的地震响应,还有助于减少曲率半径对曲线梁桥地震响应的影响.为曲线梁桥减隔震设计的深入和桥梁结构抗震安全性的提高提供了依据和参考.     

文本虚构与历史解构:东方主义系谱学分析——以赛义德的《东方学》为中心

后殖民主义理论是当代西方学术思潮的重要内容。《东方学》为后殖民主义理论的奠基之作,其影响可谓深远。书中赛义德有关"东方主义"学科体系建构的阐述折射出文本虚构与历史知识之间的复杂关联。历史知识的文本化通过对历史本质和历史观等方面的质疑客观上推动了历史学的发展。但是,后殖民主义理论方法的局限性也正是在试图破除现代性困局的历史解构过程中愈加凸显。     

发动机催化燃烧多维数值模拟

将发动机三维CFD程序KIVA-3V与化学动力学程序CHEMKIN Ⅲ及DETCHEM相耦合,模拟了催化燃烧对均质压燃(HCCI)发动机燃烧过程及排放的影响.发动机以甲烷为燃料,其表面和空间氧化反应采用了详细的动力学机理.利用此模型分析了活塞顶催化剂铂(Pt)或铑(Rh)涂层对HCCI发动机着火时刻、缸内温度场及HC、CO、NOx 排放的影响,结果表明催化燃烧会使HCCI发动机着火时刻提前,同时能降低HC、CO的排放,但会提高NOx 的排放;在相同工况下,相比催化剂Pt,催化剂Rh使HCCI发动机着火时刻提前的幅度要大,同时HC的排放要低,但CO及NOx 的排放要高.     

伊宁凹陷古地温恢复与热演化史研究

应用包裹体测温和Easy-R.方法恢复了伊宁凹陷的古地温演化史,结果表明伊宁凹陷晚二叠世的地温梯度约为40℃/km,以后经过两次波动(分别对应于K1和E1两次构造运动)逐渐减小到现今的24℃/km.上二叠统烃源岩热演化程度主要受古地温控制,主生油期在中晚三叠世.印支期及其以前形成的圈闭,是二叠系油气聚集的主要场所.     

1.8 V千兆以太网收发器低抖动时钟电路

采用新型的高速鉴频鉴相器(TSPC)、典型的抗抖动的电荷泵和对称负载差分延迟单元,设计了0.18 μm标准CMOS工艺、1.8 V工作电压的锁相环,经过系统稳定性验证和spice仿真,125 MHz的最大时钟输出在(75℃@TT)情况下,具有±3σ=70 ps左右的long-term低抖动.同时,在3种不同工艺下施加0.1 Vpeak-peak正弦电源噪声时,对电路的工作情况进行了仿真,均能很好满足电路设计的要求(对于1000 Base-T,Δt=8 ns/16=500 ps,根据时钟恢复算法的仿真,较严格peak-peak抖动要求约为(2%～3%)×baud=160～240 ps).     

eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案

提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器（DRAM）,使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷新方案,在降低了刷新功耗的同时,缩短了DRAM的刷新时间开销,提高了DRAM的数据可访问性...