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631.
计算机网络是信息社会的基础,已经进入社会的各个角落.经济、文化、军事和社会生活越来越多地依赖计算机网络.然而,网络的开放性、无边界性、自由性,使网络存在严重的安全威胁.作为在教学、科研和行政管理等工作中发挥着重要作用的校园计算机网络,同样存在安全威胁.作者对目前高校校园网安全与防范策略进行分析和论述,并结合琼州学院校园网络安全实践工作经验,提出了建立集群式堡垒主机防御策略,并成功试运行于琼州学院初等教育部网络节点. 相似文献
632.
刘丽静 《四川大学学报(自然科学版)》2014,51(2):354-358
采用溶胶-凝胶法合成了不同Sm3+掺杂量、不同煅烧温度的Sm3+/TiO2的光催化剂,并对所制得的光催化剂进行了系统的表征和光催化活性研究.XRD分析表明,所得粉体为锐钛矿相纳米TiO2,且Sm3+掺杂后,纳米TiO2特征衍射峰宽化,强度降低,说明稀土Sm3+的掺杂能细化晶粒;以酸性品红为降解物的光催化实验表明,在450℃下煅烧,Sm3+/TiO2摩尔数比为0.1%的催化剂,加入2mL助催化剂,在三基色节能灯照射2.5h,降解率可达81.1%,结果令人满意. 相似文献
633.
Cr掺杂浓度对ZnO基稀磁半导体生长结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射设备在本征抛光Si(100)衬底上沉积Cr掺杂ZnO薄膜,分析不同掺杂浓度对薄膜的生长结构的影响.分别用XRD、SEM和XRF来表征薄膜的晶相结构、表观形貌和掺杂浓度.实验结果表明,掺杂浓度为2.10%的Zn1-xCrxO薄膜,出现了更好C轴取向性,衍射峰半高宽较窄,样品表面平滑致密,晶粒较大为3.555 nm. 相似文献
634.
用制备的铜掺杂二氧化硅作为吸附剂, 富集雪菊提取液中的木犀草苷, 测量富集有目标组分吸附剂的近红外光谱, 所得光谱经预
处理后, 用偏最小二乘法建立木犀草苷的定量校正模型并进行验证. 结果表明: 当铜掺杂二氧化硅的用量为0.25 g、 常温振荡20 min时, 对木犀草苷吸附率达89.7%; 雪菊提取液中的木犀草苷经吸附剂富集后, 无需脱附可直接检测; 所得近红外光谱经多元散射校正结合一阶导数预处理后, 木犀草苷校正模型的预测质量浓度和参考质量浓度间的相关系数为0.975 0, 交叉验证均方根误差为0.959 8 mg/L, 木犀草苷在1.5~19.5 mg/L的较低质量浓度范围内, 预测集的回收率可达82.6%~111.4%. 相似文献
635.
C54X DSP 的HPI口与PC机并口的接口技术 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了TITMS320C5402DSP的主机接口(HPI)和PC机并行端口(parallelport)的硬件原理及操作时序,提出了通过DSP的HPI口与PC机并口进行连接通讯的设计方案。该方案充分利用了DSP的HPI接口功能,实现了PC机实时读写DSP任意片内存储器单元的数据。由HPI口的硬件特性自动协调读写访问冲突,实现了零软硬件开销访问DSP,同时在高级语言下完成了对DSP应用系统的在线监控,解决了DSP系统在线监控不便实现的困难。 相似文献
636.
研究移动互联网络安全以及适合移动环境的密钥管理机制是当前安全领域研究的热点问题.本文在综合研究现有移动安全方案的基础上,以嵌入主机标识的方法,对目前Internet中最为流行和广泛使用的网络密钥管理协议--因特网密钥交换协议第2版(IKEv2)进行了扩展,使其符合新型移动环境的安全隧道建立和管理要求.结果分析发现,利用本文提出的方法确保移动IP安全,比其他传统方法具有更高的切换效率. 相似文献
637.
638.
环己烷催化氧化制环己酮的MCM-41催化剂研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,采用水热合成法制备纯MCM-41分子筛和掺杂不同金属离子的MCM-41分子筛,并采用等体积浸渍法将一定量的金属离子负载在纯MCM-41分子筛内表面上,制备了负载型和掺杂型2类不同的MCM-41分子筛催化剂.分别考察了负载和掺杂的金属种类、金属Cr负载和掺杂量等对环己烷氧化制环己酮中的催化活性和选择性的影响.研究表明:采用掺杂制备的MCM-41分子筛催化剂活性明显高于负载型MCM-41分子筛催化剂;Cr掺杂量增加,虽然环己烷氧化转化率增加,但产物选择性下降;掺杂Cr的MCM-41分子筛催化剂,用于环己烷氧化制环己酮,在Si与Cr摩尔比为50以下、反应温度75 ℃、H2O2与环己烷摩尔比为1.2的条件下,环己烷的转化率可达60%左右,环己酮和环己醇的总选择性可达94%以上. 相似文献
639.
640.
刘远全 《四川大学学报(自然科学版)》2017,54(6):1257-1262
本文基于第一性原理研究了Fe、Co、Ni在P位吸附和掺杂磷烯的稳定性、能带结构、态密度以及差分电荷密度分布.结果表明:在吸附体系中,Co在P位的吸附的稳定性强于Fe、Ni吸附体系;在掺杂体系中,Fe、Co、Ni在P位掺杂的的稳定性较强的是Ni掺杂体系.Fe、Co、Ni在P位吸附磷烯,可以较好的调控能带结构,从而得到可控性能的半导体材料.在P位掺杂Fe、Co、Ni原子的带隙值分别为0.52、0.56和0.4eV.在Fe、Co、Ni掺杂位点上,近邻的两个磷原子周围出现了电子聚集的现象;原因在于Fe、Co、Ni的4s轨道上都有两电子,而非金属的磷原子较容易得到电子. 相似文献