共沉淀-共沸蒸馏法制备掺杂Fe3+的TiO2纳米粉体及其光催化性能

采用共沉淀-共沸蒸馏法制备了掺杂Fe3+的TiO2纳米粉体,通过XRD和TEM等对掺杂Fe3+的TiO2纳米粉体的结构相变、晶粒粒度进行表征,研究了所得粉体的光催化活性.结果表明,用共沉淀-共沸蒸馏法制备出了分散性好的球形掺杂Fe3+的TiO2纳米粉体,热处理温度为450℃时粒径为7 nm左右,晶相为纯锐钛矿型;700℃时粒径为22 nm左右,晶相为锐钛矿型和金红石型混合相;通过对亚甲基橙的光催化降解研究,发现掺入0.1%Fe3+的TiO2粉体的催化活性较好,且经共沸处理的比未经共沸处理的具有更好的活性.     

基于Windows日志的安全审计技术研究

事件日志记录着操作系统或应用程序中重要的事件。通过对日志进行分析,发现所需事件信息和规律是安全审计的根本目的。文章讨论了对Windows系统日志文件进行集中式统一管理,采用API钩子技术实现Windows下的审计数据的获取,并通过对Windows日志的分析给出了一种基于主机日志分析的安全审计通用模型。     

美洲斑潜蝇寄主选择性的研究

通过测定美洲斑潜蝇在不同寄主上的取食孔数、虫道数和一龄幼虫数来判断其对寄主的选拔,室外表明其对寄主的选择性大小依次为菜豆、豌豆、青瓜、番茄和生菜;室内选择试验结果与室外相似,依次为菜豆、青瓜、生菜和番茄;非选择试验表明,当缺乏嗜好寄主时,该虫能适应过去不嗜好的寄主,有扩大寄主范围的能力。     

WO3 纳米材料气敏性能研究进展

作为n型半导体的WO3是一种优良的气敏材料,对NOX、H2S、H2、CH4、C2H5OH、CO、NH3等气体都有良好的敏感性。目前WO3气敏材料已经基本满足社会应用的要求,但有些指标还有待改善。本文综述了WO3纳米材料气敏性能的研究进展,介绍了n型半导体WO3纳米材料的气敏传感机制,以及通过形貌控制等手段提高气敏性能、掺杂WO3纳米材料气敏性能及其复合气敏材料气敏性能的研究进展情况。作者认为WO3纳米材料在提高灵敏度、降低工作温度,特别是提高选择性和稳定性上还有很大的研究空间,并且还需克服制备的高成本,探索简易而且重复性强的制备工艺,以便更早地应用于商业化生产,为社会生产生活服务。     

基于通用抽象接口的CPU仿真

为实现对微处理器的仿真,基于虚拟机(Virtual Target Machine)方法设计出了一组微处理器抽象接口(Abstraction Interface).通过实现该组接口就可以建立相应的后端虚拟机,其仿真尺度包括了指令单步运行和对时序模拟、汇编代码的支持,并可根据前端调试命令而实现与宿主机平台无关的软件仿真.     

邻、间、对甲基苯甲酸铽及钇掺杂配合物的合成与荧光性能

合成了6种以邻、间、对甲基苯甲酸(o-,m-,p-MBA)为第1配体,1,10-邻菲口罗啉(phen)为第2配体的铽及钇掺杂铽的三元和四元配合物,通过元素分析和EDTA滴定确定了它们的组成.室温下记录了这6种配合物的荧光光谱,比较了第1配体的改变对配合物荧光强度的影响及非荧光稀土离子Y3+与配合物中的发光离子Tb3+之间的相互作用.结果表明:3种三元配合物和3种四元配合物均具有优良的光致发光性能,各配合物的相应跃迁发射峰位基本上没有变化.3种三元纯铽配合物在489 nm和545 nm处的荧光发射强度均按邻、间、对位的顺序依次增强;3种四元掺杂配合物中掺杂离子Y3+对配合物中Tb(Ⅲ)在489和545 nm两处的强发射均表现为荧光敏化作用.     

共享短租平台房东定价行为——基于小猪短租平台的数据分析

以共享短租平台小猪短租网站的房源数据为例，分析了共享短租平台供给者端的房源及房东特征。结果发现，在供给者端，具有一定房源规模的房东占比逐渐提高。为了分析房东特征对房源定价的影响，对国内10个城市的5 388个房源进行实证研究。结果发现，有一定规模的专业房东的房源定价与业余房东有着明显的区别，具有一定规模的专业房东对其房源的定价要高于业余房东，并且随着房源规模的扩大，其定价越高。规模化的专业房东的定价相对较高主要是由于房客端的自网络效应、规模化房东的投入成本以及回报要求高、散户房东的回报要求低等原因引起的。另一方面，专业酒店的定价对共享短租房源的定价产生显著的正向影响。这说明，这两类平台之间存在着一定的竞争关系。共享房源的定价还受到诸如房源特性、配套设施、二手房房价和区位以及消费者评论的影响，房东在进行住宿定价时应考虑这些因素，特别是要对消费者端的评价引起足够的重视。     

Modbus通信协议下的局部放电监测功能的实现

为实时监测电力设备的绝缘状况，以Modbus协议作为通信基础，设计与局部放电指示器通信的上位机软件，并在局部放电指示器的通信程序中编写协议。上位机通过RS485串口与局部放电指示器相互通信，利用Visual Studio 2017软件平台窗体应用程序中的应用模块搭建上位机界面，在模块中编写串口和Modbus通信程序，实现修改局部放电指示器的通信参数和读取局部放电检测结果的功能。试验证明，上位机能够与局部放电指示器稳定地进行数据交换，快速方便地修改通信参数，实时获取局部放电检测结果，监测设备运行状态。     

H2在Mg(0001)和M(Sc～Zn)/Mg(0001)表面吸附、脱附性能研究

采用密度泛函方法,对H2在Mg(0001)及掺杂一系列的过渡金属的Mg表面的吸附行为进行了研究.结果表明,H2在Mg(0001),Fe,Co,Cu和Zn掺杂的Mg表面只存在物理吸附;在Sc,Ti,V,Cr,Mn和Ni掺杂的Mg表面时物理吸附和化学吸附都存在.H2在M(Sc～Zn)掺杂Mg表面解离的能垒均低于Mg(0001)表面.解离后的H原子易化学吸附在以下3种邻近的空位:Fe掺杂Mg表面的fcc-hcp1位;Ni掺杂Mg表面的hcp-hcp位;其余掺杂Mg表面的fcc-fcc位.计算结果显示,Ti,V,Cr,Mn,Ni掺杂在Mg表面可有效改善H2的吸附与解离性能.     

N掺杂SiC薄膜的制备及磁有序

采用磁控溅射技术制备了N掺杂SiC薄膜,利用X线衍射仪、傅里叶红外光谱仪、物理特性测试系统对薄膜成分、结构、磁性进行了表征.结果表明,N掺杂SiC薄膜具有室温铁磁性,N掺杂含量对薄膜的室温铁磁性具有很大的影响,薄膜室温铁磁性可能是由于N替代C来控制Si空位缺陷的电荷态和自旋极化产生的.