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31.
利用射频磁控溅射法在n型Si(100)衬底上沉积六方氮化硼薄膜(h-BN),采用AFM、Raman、XPS、FTIR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、结构、表面粗糙度、薄膜取向、相变等特性的影响。结果表明,当负偏压为0V时,沉积所得h-BN薄膜表面粗糙度较低、结晶性良好、c轴垂直于衬底且以层状模式生长;随着负偏压的增加,薄膜由层状模式生长转变为岛状模式生长,表面粗糙度增加,且h-BN经亚稳相E-BN和wBN向c-BN转变,使得BN薄膜相系统更加混乱,不利于高质量层状h-BN薄膜的获取。 相似文献
32.
提出了一种在二维六角形几何节块内数值求解中子扩散方程的节块法,节块内的各群通量分布用解析基函数近似展开,节块之间采用面偏流0次矩和1次矩进行耦合.为了提高计算效率,将响应矩阵技术应用于迭代求解过程.该方法不仅避免了常规方法中偏通量积分出现的奇异项问题,而且具备重构六角形几何节块内精细功率分布的能力.基于提出的模型,发展了二维六角形组件中子扩散计算程序FEMHEX.通过对水水动力反应堆基准问题的校验计算表明,该方法能高效、准确地给出有效增值因数及节块功率. 相似文献
33.
研究无限大基体中六边形式双周期分布圆形弹性夹杂体在均匀拉伸和均匀温度下弹性响应问题。运用M Isidar的区域单元法和复势函数的级数展开技术 ,将问题转化为线性方程组的求解 ,得到了各区应力函数的解决方法。 相似文献
34.
通过对水平六角蜂窝腔内流动和换热的数值计算,得到了Ra数从500~10^5内侧壁绝热时蜂窝腔内空气的流动换热结果.计算对比分析了在大温差条件下采用Boussinesq假设所带来的计算误差.数值计算方法采用有限体积的SIMPLEC算法,考虑蜂窝腔内空气物性随温度的变化.计算结果显示,在Ra=1000时,腔内的空气开始出现不稳定.对流项的离散采用二阶迎风格式和QUICK格式可得到几乎相同的结果,而采用一阶迎风格式可使结果产生一定的误差.计算结果也表明,在所计算的问题中,如果采用Boussinesq假设将使计算结果误差比较大. 相似文献
35.
《科学通报(英文版)》1989,34(11):946-946
36.
37.
利用双水电极实验装置,在介质阻挡放电系统中观察到了具有不同空间对称性的斑图之间的演化过程.在实验中,通过改变外界驱动电压发现:在升高电压的过程中,条纹斑图会发生失稳,并逐渐形成六边形斑图;形成规则的六边形斑图后,降低驱动电压,六边形斑图会失稳再次形成条纹结构.进一步降低驱动电压,在条纹斑图中观察到了横向调制失稳现象. 相似文献
38.
采用特殊的双水电极的介质阻挡放电装置,得到了特殊的超六边形斑图,其有2个独立的波模qs,Khc,遵循三波共振原理qs1+qs2=Kch.并对其时空动力学进行了研究,此种斑图由2套次结构交替放电形成,所有小点同时放电,大点同时放电. 相似文献
39.
广义系统稳定性的研究 总被引:4,自引:1,他引:4
研究线性时不变广义系统稳定性问题·通过计算一系列球的界限,给出广义系统稳定等价于所有特征值的齐次坐标包含于两个六棱柱内·进一步给出广义系统稳定,无脉冲的充要条件为所有的特征值的齐次坐标包含于一个六棱柱内·利用矩阵不等式理论,给出广义系统稳定,无脉冲等价于矩阵不等式有正定解·最后一个数值例子说明本文的主要结果 相似文献
40.
W-HMS催化剂的制备及评价 总被引:3,自引:0,他引:3
采用原位合成法将W6 引入六方介孔全硅分子筛(HM S)骨架中,制备了应用于环戊烯催化氧化合成戊二醛反应的W-HM S催化剂。实验结果表明:钨酸是制备W-HM S催化剂很好的钨源,以钨酸为原料制备的催化剂具有很高的催化活性和选择性,使溶剂叔丁醇用量大为减少。采用小角度X射线衍射(XRD)、电子能谱扫描(EDS)以及电位滴定法对所制备的催化剂结构进行表征,显示催化性能与W含量密切相关。在nS i∶nW≥30时,催化剂能保持完好的HM S分子筛结构,W原子以嵌入HM S骨架的形式高度分散于载体内表面,构成催化活性中心。在优化的反应条件下,环戊烯氧化反应转化率达到100%,生成戊二醛的收率达到79.3%,而且催化剂具有连续套用7次的良好稳定性。 相似文献