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61.
基于逐点比较法的插补轨迹仿真软件 总被引:3,自引:0,他引:3
逐点比较插补算法是轮廓插补的算法之一.对用VB开发的数控插补仿真软件进行了介绍,该软件可实现四象限直线、顺圆和逆圆的插补轨迹的仿真,能使数控技术学习者深刻理解数控机床插补模块的作用,并可为数控系统插补软件的开发提供参考. 相似文献
62.
在交错立方体中引入限制故障顶点集的概念,证明了当n≥3时,交错立方体中基于限制故障顶点集的限制连通度为2n-2,这一结果几乎是交错立方体上传统连通度的两倍;然后提出了基于该情形下的时间复杂度为O(「log|F|┐n~3)的容错单播算法,并证明了在最坏情形下,该算法构造出的无故障路径的最长路径长度的上界为5m+n-1,其中m=「log|F|┐;进一步利用上述算法进行仿真. 相似文献
63.
介绍了兵棋、兵棋推演以及与之相关的演练、演习、作战模拟和运筹分析等概念,论述了兵棋推演的重要作用,比较了兵棋推演与演练等相关概念的区别与联系,并分析了兵棋推演的局限性。 相似文献
64.
通过高效数值模拟的方法分析通流部分的气动性能,对叶轮进行优化改进,扩容改造,从而提高效率,可靠性,安全性.主要采用FLUENT,在双参考坐标系下,利用有限体积法对雷诺时均Navier-Stokes方程进行数值离散,选用标准k-s湍流模型,SIM-PLEC方法求解,对原模型泵进行非设计工况下内部流场的叶轮和蜗壳的耦合数值模拟,主要是变转速和变流量调节.得出变转速调节下全流场的速度和压力分布均与原模型相似,但转速过低时则出现明显不同;变流量模拟时,无论是大流量还是小流量,在叶轮流道和蜗壳区均出现了较为严重的回流和漩涡区,并对这一现象进行了分析.最后对原模型蜗壳提出了一些改造意见,指出了偏心蜗壳在蜗舌处的回流情况较对称蜗壳好一些. 相似文献
65.
激光电源的单片机控制系统 总被引:4,自引:0,他引:4
叙述了以80C51为核心的激光电源单片机控制系统,系统软件采用模块化结构,具有自检、显示、键盘控制、保护电路、温度控制、光功率反馈等功能。本系统将所有数据处理及功能实现集成于80C51和7128两个芯片内,大大提高了对激光电源的保护性控制和精密控制,提高了对弧光放电等高频扰动的抗干扰能力,整体设计简单、明了。 相似文献
66.
对热障涂层组合筒进行了热弹塑性极限分析,导出了热弹塑性应力分布的计算式,分别就基体内层开始进入塑性及整个基体完全处于塑性两类极限状态下,得到了极限温差,并就 Zr O2 Ti - 6 Al- 4 V 陶瓷热障涂层给出了计算结果,为热障涂层材料设计时参数的优化奠定了理论基础. 相似文献
67.
条件概率与刚性近似下高分子链非格子模型的Monte Carlo模拟 总被引:3,自引:0,他引:3
探讨了采用高分子链的实际键长、键角、旋转异构态和无扰链时的条件概率逐个链段地生成样本高分子链进行真实链和受限链分子构象统计研究的可能性.并就无扰链、尾形链、真实链的情况与完全计算法、Flory矩阵方法进行了比较.结果表明:在刚性近似下,使用无扰态时的条件概率生成样本高分子链的Monte Carlo模拟,其样本库能真实地重现平衡态时受限链和真实链的构象分布,适用于受限链和真实链的构象统计研究. 相似文献
68.
磁化增注机理的分子动力学模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
采用分子动力学模拟方法,从分子水平对磁化增注的机理进行了模拟研究。计算结果表明在优化磁感应强度范围内,水的表面张力系数和粘滞系数降低,使水的渗透性和流动性增强,达到增注的目的;在此基础上,从结晶学的角度对磁化防垢的效果进行了分析,研究表明经优化磁场处理后,水溶液的临界晶核半径减小,晶体成核速率和生产速率明显增加,溶液的过饱和度迅速降低,晶体的长大受到限制而形成较小的结晶颗粒,析出的固相将有更多的部分悬浮于水中,易于随水流动而减少沉淀,从而达到防垢、增注的效果。磁化增注效果在B=0.25T时最为明显。 相似文献
69.
ZG35CrMnSiRe铸钢经不同的热处理,对其强度、硬度、塑性和冲击韧性等机械性能进行测定,实验结果表明其综合机械性能良好。 相似文献
70.