溶胶-凝胶法制备氧化钼薄膜

以MoCl_3(OC_2H_5)_2为原料,应用溶胶-凝胶法制备了透明均匀的氧化钼薄膜。实验发现,合适的工艺条件为:浸透液浓度0.1～1.0mol/L,浸透湿度40～60％,H_2O/MoCl_3(OC_2H_5)_2摩尔比2～4,热处理温度300℃。薄膜在300℃以下热处理是非晶态的,加热到350℃时,有MoO_3晶相出现。应用红外吸收光谱、X-射线衍射对干凝胶的结构和组成进行了研究,在空气气氛中热处理干凝胶,主晶相是MoO_3,加热到600℃时,存在Mo_9O_(26)晶相;在氩气中,300℃是MoO_2晶相,400℃以上则为MoO_2和η-Mo_4O-(11)两种晶相,在1Pa真空中,300～400℃有MoO_2、Mo_8O_(23)和MoO_(28)三种晶相,600℃则转化为MoO_2和ν-Mo_4O_(11)两种晶相。应用DTA对凝胶进行热分析表明:在98℃左右,溶剂C_2H_5OH和吸附水挥发,加热到400℃以上,残余有机物开始氧化分解。     

含蠕磷墨铸铁闸瓦的摩擦磨损性能研究

本文对含磷蠕墨铸铁闸瓦的摩擦系数与耐磨性进行了系统的研究。试验证明,含磷1.0～1.3％的蠕墨铸铁闸瓦,其摩擦系数与2.0～2.5％的高磷灰铸铁闸瓦相当,而远高于含磷0.7～1.0％的中磷灰铸铁闸瓦。实际装车运行试验表明,含磷蠕铁闸瓦的耐磨性比上述高磷灰铸铁闸瓦的高。     

方石英含量对氧化物结合SiC材料性能的影响

讨论了方石英含量对氧化物结合SiC材料性能的影响.结果表明,材料中方石英含量的增加是造成材料强度降低的重要原因.但是适量方石英的存在对提高材料的断裂韧性有益.通过对材料中SiO_2组份含量的调整,可以改善材料强度与韧性的匹配,提高材料的综合使用性能.     

Pr1.8Bi0.1Sr0.8Ca0.3Cu2O6的制备,结构和性能研究

本文报道了新的含铜的氧化物的物相 Pr_(1.3)Bi_(0.1)Sr_(0.3)Ca_(0.2)Cu_2O_6的制奋、单晶结构和电磁性能.由单晶 X 射线衍射数据分析,该氧化物属四方晶系,空间群 D_(4λ)~(17)—l4/mmm.测得晶胞常数为α=3.831×10~(-10)m,c=19.642×10~(-10)m,Z=2,V=288.3×10~(-20)m~3。在4.5—300K 温度范围内,该物相不显超导性能。经高压纯氧气氛焙烧或经纯160 Pa 氧焙烧后再经氩气氛处理的 Pr_(2-x)(Sr,Ca)_(l+2)Cu_2O_(?)(x≈0至0.4)样品也不显超导性能.     

超高压脉冲综合治理SO2,NOx和CO2气体

应用超高压脉冲电晕放电在ｎｓ数量级内产生“爆炸”式的巨大能量，使反应器内的ＳＯ２、ＮＯｘ、ＣＯ２分子获得了活化能，几乎全部成为活化分子，在定向反应作用下分解成气体分子Ｏ２、Ｎ２和固体微粒Ｓ、Ｃ。在１８０℃的常压条件下气体分解率均在７５％￣９０％。     

痕量硒的间接石墨炉原子吸收光谱分析方法研究

本文研究了一种测定硒的新方法，间接石墨炉原子吸收光谱法．该法使Ｓｅ（Ⅳ）与Ｃｄ（ＤＤＴＣ）２置换进而转化为测镉，灵敏度大大提高，特征质量达到０．４０（ｐｇ／１％吸收），理论检出极限为０．０１μｇ／Ｌ，相对标准偏差为４．８％，标准曲线在０．０１～１．０μｇ／Ｌ范围内线性良好，对自来水、头发等样品进行了测定，回收率在９５～１０３％之间。     

CuO／CeO2体系中表面Cu（Ⅱ）组份的状态及还原过程

采用ＴＰＲ结合ＸＲＤ定理研究了ＣｕＯ／ＣｅＯ２体系中Ｃｕ（Ⅱ）的分散状态及还原过程，结果表明：ＣｕＯ在ＣｅＯ２表面的分散容量为１．１５ｍｍｏｌ／１００ｍ＾２，Ｃｕ（Ⅱ）可以以高分散态Ｃｕ（Ⅱ?嵌入到表面空位中以晶相ＣｕＯ（当ＣｕＯ含量超过分散容量时）形式存在，在还朱过程中首先是处于表面空位中的Ｃｕ（Ⅱ）被还原，随后晶相ＣｕＯ中的Ｃｕ（Ⅱ）进入该空位再被还原，从而导致表面连续嵌入和还原过程的发生。     

氧化物超导体超导电性及性质的一种解释

考虑到晶体结构与电子能带结构,在 Hubbard 单带模型中引入电子与激子的互作用项,对有些氧化物超导体的反铁磁绝缘体—金属(超导)转变现象(M—I 转变),氧化物超导体的高 Tc 原因及二维特性进行了解释.     

等效粒子模型在氢气氛下ZnO脱硫研究中的应用

本文用热重法研究了球形及圆柱体T305脱硫剂在氢气氛下脱除COS反应的宏观动力学。实验表明,该反应对COS为一级反应。在240～390℃的温度范围内,就粒子上的反应而言,反应初期受反应本身控制,中后期转移到颗粒扩散控制。反应活化能及产物层扩散活化能分别为19.097 kJ/mol和46.438 kJ/mol.用等效粒子模型描述动力学行为,给出了该模型的各参数估值,讨论了有氢及无氢气氛下模型参数的差异及其原因。