氧化物结合碳化硅复合材料的研究

通过对氧化物结合碳化硅复合材料中添加的氧化物种类和数量，以及烧结温度、试样尺寸的分析发现：氧化钙的加入有利于试样抗弯强度的提高；氧化硅的质量分数为0.5%时试样抗弯强度最高，达42.3MPa；最高烧结温度为1530℃时试样无晶粒长大现象，抗弯强度较高；试样的强度有明显的尺寸效应，尺寸越大，既试样的有效体积越大，则试样的断裂概率越大，抗弯强度越低。     

纳米多孔 WO3薄膜的溶胶-凝胶制备与热处理

以金属W粉为无机原料，采用溶胶－凝胶技术，结合浸渍镀膜方法，制备出纳米多孔WO3薄膜，研究了热处理对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜、红外光谱仪、可见光分光光度计、椭偏仪等仪器测量了薄膜的特性。实验表明：热处理使得薄膜致密，折射率增大（从1．77增加至2．03），厚度减小，WO3颗粒增大；WO3结构发生变化，桥键W－O－W吸收逐渐减弱，且向低波数方向移动，共角W－O－W键吸收越来越强。这些变化归因于热处理导致的WO3颗粒形状、团聚状态的变化以及应力键的产生。     

回流法制备纳米氧化铁的研究

采用回流法制图不同形貌的纳米级氧化铁，讨论了氯化铁浓度、回流时间、煅烧时间等因素对颗粒形貌及尺寸的影响，并用XRD，TEM进行了表征。     

多孔氧化铝膜的制备及其表征

在硫酸、磷酸及草酸溶液中 ,通过阳极氧化铝箔制备出了多孔氧化铝模板 ,用阶梯降压法将氧化铝层与铝基底分离 .透射电镜结果表明 :这种膜的孔间距 ,孔径以及晶胞尺寸均随所加氧化电压的增加而增加 .通过 FT- IR谱发现 ,在阳极氧化过程中 ,电解液阴离子也参与了多孔膜的形成 .XRD谱证明形成了无定形氧化铝     

扫描隧道显微镜畸变图象的校正

从扫描隧道显微镜（STM）的工作原理出发，分析了STM图象畸变产生的原因，建立了一种相应的物理数学模型，利用计算机通过数值解，校正了STM畸变图象，并得到了满意的效果。     

稀土在蠕墨铸铁中的适宜残留量范围

研究了用铈组混合稀土金属和1号稀土硅铁合金作为蠕化剂时的残留量上限RE_(max),下限RE_(min),残留量范围ΔRE。得出用混合稀土金属处理蠕铁时RE_(max)=0.110％,RE_(min)=0.038％,ΔRE;0.072％.而用1号稀土硅铁合金处理时,RE_(max)=0.091％,RE_(min)=0.037％,ΔRE=0.054％。并在此范围内两者的蠕化率都与稀土残留量有线性关系。本文还研究了硫对蠕铁中稀土残留量范围的影响。     

CO选择性厚膜气敏元件及其特性

本文采用丝网印刷技术制作了CO选择性厚膜气敏元件,并对其加热器特性及气敏特性进行了研究。结果表明,元件的电参数具有较好的一致性;在低温下对CO具有较高的灵敏度和选择性。加热器在CO的工作温度下具有一定的稳定性。     

Ⅴ-Ti催化剂低氧催化氧化邻二甲苯制苯酐——Ⅱ.TiO_2晶体结构及助剂作用的影响

研究了V-Ti体系中TiO_2晶体结构与催化活性的联系,本系统中,当焙烧温度超过650℃,由于TiO_2由锐钛矿型转变为金红石型,使催化活性降低。助剂作用的ESCA、XRD、LRS研究表明,与通常V-Ti系催化剂不同,本催化剂由于助剂的作用,使V=O键减弱而利于活化;且随K助剂含量增加,V_2O_(4.33)晶胞的001面取向优化加强,更宜于催化活性的充分显示。     

超细Fe(OH)_2悬浮液氧化反应中氧传递速率

基于膜理论,分析了含有超细Fe(OH)_2颗粒的淤浆中氧气的传递速率。利用数值解与近似解法给出了增强因子与反应-扩散模数间的关系,两者符合很好。实验验证了Fe(OH)_2的氧化速率与其粒径成反比。     

超细Co-γ-Fe_2O_3磁粉的研制

应用TEM、XPS、XRD等分析技术,研究了包钴过程中各种因素对钴改性γ-Fe_2O_3磁粉的微观结构以及磁性能的影响。结果表明,钴铁氧体的形成是Co-γ-Fe_2O_3磁粉磁性能提高的主要原因。包少量钴(钴含量<1%),可使原磁粉的矫顽力提高约6.37kA/m。