知识推理的程度化方法(英文)

在知识推理的许多应用领域里,对特定事件和当事人知识的可能性的推理扮演着重要角色.本文提出了一种程度化的知识推理方法,在该推理机制下,可以讨论在给定的Kripke知识结构M中的给定状态s之下一个当事人在多大程度上知道某个事件,最后讨论了这种程度化知识推理的一些重要性质.     

具有压电元件功能梯度梁的振动控制

考虑一具有压电元件的功能梯度弹性梁. 假设功能梯度材料的物性参数为梁厚度方向坐标的幂函数, 考虑电场作用对结构变形的影响, 应用哈密顿原理, 导出了具有压电元件功能梯度弹性梁的动力学方程, 得到了两端简支功能梯度梁的固有特性与电场强度间的关系. 在此基础上, 通过数值算例讨论了电场强度、 材料的梯度指数等对梁固有特性的影响. 结果表明, 材料梯度化可影响梁的固有频率, 在结构设计中应予 以考虑. 通过调整作用在执行元件上的电场强度可以实现对梁振动特性的控制.     

限制Witt超代数偶部的一类极大阶化子代数

为深入研究限制Witt超代数的结构,探讨了限制Witt超代数的偶部g的特点,进而利用其不可约性,确定了限制Witt超代数的偶部在素特征域上满足特定条件的极大阶化子代数的分类。     

高校女生排球选项课分层教学实验研究

在高校女生排球选项课中实施分层教学可显著提高女大学生的呼吸系统机能、速度耐力、爆发力、力量耐力以及排球的技能水平、教学效果、课余参与度,改善和降低学生的身体肥胖度,能有效解决排球选项课中技能水平好的学生"吃不饱"和技能水平差的学生"吃不了"的现象,促进排球运动在女大学生中的开展与普及。     

功能梯度材料梁的非线性研究

研究了热/机械载荷作用下几何非线性对功能梯度材料梁的位移及应力的影响。首先根据一阶剪切变形梁理论推导了机械载荷条件下功能梯度材料梁位移和应力的平衡方程,热载荷条件通过求解一维热传导方程即可获得;然后采用解析法和摄动技术两种方法对平衡方程求解,并利用非线性应变-位移关系分析非线性对位移和应力的影响;最后引入算例采用不同方法计算功能梯度材料梁的位移及应力并对比分析。数值计算结果表明,几何非线性对梁的位移和应力的影响是显著的,材料常数和边界条件对梁的非线性弯曲也有一定的影响。这种求解非线性平衡方程解析解的新方法对高阶剪切变形和层理论有一定的指导意义。     

FGM夹层圆柱壳在扭转载荷作用下的弹性稳定性

用半解析方法研究了两端简支的功能梯度材料夹层圆柱壳在端部扭转载荷作用下的弹性稳定性,考虑圆柱壳的外层由金属材料构成,内层由陶瓷材料构成,中间层为材料性质沿厚度方向以幂函数连续变化的功能梯度材料,并且在界面处的材料性质保持连续．首先,基于Fltigge薄壳理论建立了位移形式的结构静态屈曲控制方程,然后根据边界条件将位移表示为三角级数形式,获得了近似的线性代数特征值问题,最终通过数值方法求得了表征结构失稳特征的临界屈曲载荷．结果表明,屈曲栽荷随半径与厚度比的增加而减小,随FGM层陶瓷组分的增加而增加．     

功能梯度材料梁自由振动问题的常微分方程求解器解

建立具有连续分布参数的功能梯度材料Euler梁、Timoshenko梁自由振动的动力学方程,以常微分方程求解器为工具,分析计算这两种梁的自振频率;同时讨论Timoshenko梁的自振频率和振型随梁的参数而变化的规律,给出Timoshenko梁的弯曲振动弹性波和剪切振动弹性波的传播速度,分析弯曲和剪切耦合振动的特点和规律.结果表明:常微分方程求解器解和解析解几乎具有同样的精度;自振频率的大小取决于梁在振动时的弹性波的波速;Timoshenko梁在每个频率下的振动均为弯曲和剪切的耦合振动.     

功能梯度材料裂纹尖端的动态应力场

功能梯度材料（FGMs）的优越性在于既能有效地抗腐蚀、抗辐射和抗高温,同时又能极大地缓解热应力和残余应力。笔者根据非局部理论对含反平面裂纹无限大功能梯度材料板在冲击载荷作用的问题进行研究。假设材料的剪切模量和密度为指数形式模型,泊松比为常数,利用拉普拉斯和傅立叶变换将混合边界值问题简化为对偶积分方程,并得到裂纹尖端应力场。     

用边界元分析功能梯度材料的稳态热传导

假设材料梯度参数热传导率以指数形式变化,应用Green函数导出了功能梯度材料稳态热传导问题的边界积分方程,提出用均匀材料的Green函数及与材料梯度参数有关的项共同表达梯度材料的Green函数。以某梯度材料转子为例,用边界元法对其进行了稳态热传导分析,并通过与有限元方法所得分析结果进行对比验证此方法的正确性。     

Graded bandgap semiconductor thin film photoelectrodes

A graded bandgap oxide semiconductor thin film electrode was designed in order to obtain a photoelec-trochemically stable photoelectrode, with wide absorption range. The graded bandgap Ti_1−x V _x O₂ film electrode was prepared by heating the stacked layers of V/Ti in varying ratios, which were coated on the substrate by the sol-gel method using the starting solution with various V/Ti ratios. XPS result showed that the composition gradient was achieved for the film. The Ti_1−x V _x O₂ film electrode was found to be photoelectrochemically stable. Its photovoltage was about 360 mV. Obvious visible light photoresponse was observed for the Ti_1−x V _x O₂ film electrode. Compared with the pure TiO₂ electrode, the photocurrent onset potential of the Ti_1−x V _x O₂ film electrode was shifted positively, probably because the accumulation of vanadium at the electrode surface causes the recombination of the electrons and holes, and the lowest level of the conduction band of Ti_1−x V _x O₂ is lower than that of TiO₂. Impedance analysis showed that the donor density of the Ti_1−x V₂O₂ film electrode was higher than that of TiO₂ film electrode.