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341.
讨论了具有时滞的广义Logistic模型分支周期解的存在性、稳定性及近似分支周期解.用周期函数正交性方法得到了该模型具有Hopf分支的条件及其近似分支周期解的表达式,绘图验证了定理的可实现性,讨论了参数对周期解的周期和振幅的影响.  相似文献   
342.
在标准遗传算法的基础上,引入了变长度的编码方案、父子竞争的选择交叉机制、对优良个体的大变异操作等,算法的收敛速度得到很大提高,且能自动选择函数的形式、建立传感器的特性方程.结果表明,采用这种方法得到的拟合函数有着较高的精度.  相似文献   
343.
研究智能款式设计过程中的重要环节之一扫描线划图稿部件信息的提取问题,提出采用给定误差基于遗传算法的扫描线划图稿的拟合算法,较好地解决了款式部件信息的获取问题;详细给出了扫描线划图稿的路径搜索和基于遗传算法的拟合细节,并通过实例研究证明了算法的有效性。  相似文献   
344.
服装袖笼曲线形状决定着衣袖的造型,是服装美观性和舒适性的一个重要因素。目前服装CAD中袖笼曲线的形成是通过设计师选定一些型值点后,用过型值点的自由曲线完成的,人为经验因素较多。在分析袖笼曲线的特点后,建立了袖笼曲线的数学模型,构造了一种样条曲线描述袖笼曲线,无需经验确定袖笼前后拐点位置,达到袖笼曲线的自动生成,实现了袖笼曲线的完整设计,只需输入一些必要的参数,便可输出圆顺美观并满足经验的袖笼曲线,在服装CAD及服装设计方面有广泛的应用。  相似文献   
345.
半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备   总被引:2,自引:0,他引:2  
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。  相似文献   
346.
给出了广义Sylvester矩阵方程AX-XF=BY当F为任意矩阵时的一种完全的解析通解.该通解由矩阵对(A,B)构成的能控性矩阵,一个对称算子矩阵和矩阵对(Z,F)构成的能观性矩阵组成,这里Z是一个任意的参数矩阵,用来表征该方程的解的自由度.利用著名的Levverrier算法,该解析解的一个等价形式被给出.给出的结果是参考文献[13]的推广,在[13]中F被假设为友矩阵.  相似文献   
347.
针对目前基于单服务器的测井曲线自动处理系统的缺陷,研究了高性能测井曲线自动处理集群架构与实现。该集群通过高速以太网连接,节点采用对等结构构件系统,通过分布式哈希表进行数据发布、负载均衡及系统自动扩容。该系统采用分布式处理技术提高了计算能力,采用反馈神经网络进行计算参数选优,又提高了数据处理的准确性。现场实践表明,该系统能够提高系统整体容量与处理能力。  相似文献   
348.
基于VaR-GARCH模型族的我国期铜市场风险度量研究   总被引:9,自引:1,他引:9  
描述了金融时间序列的一般特性,从收益的波动性与分布出发,组建起计算时变风险价值的VaR-GARCH模型族,并应用该模型族在3种分布假设下对我国铜期货的市场风险进行了实证分析.研究结果表明,基于广义误差分布的VaR-EGARCH模型能很好地刻画期铜收益的尖峰厚尾性与市场风险.同时,对期铜市场风险的变动趋势进行了详细剖析.  相似文献   
349.
基于口令的身份认证机制是分布式系统安全体系的重要组成部分。利用一个无需求逆的广义椭圆曲线签名算法构造了一个动态远程用户认证方案:GECSA方案。该方案基于“质询响应”机制,无需时戳,其安全性基于单向Hash函数和椭圆曲线离散对数计算的困难性,包括注册阶段、登录阶段、认证阶段和更改口令阶段,允许用户自主选择并更改口令,实现了双向认证;具备完备性和不可转让性,是一个低开销的、安全的远程用户认证机制。  相似文献   
350.
利用平曲线的基本公式,推导非对称平曲线的计算公式,从而给同步测设带来方便。  相似文献   
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