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51.
根据气体辅助注射成型充模过程的特点,从流体力学基本理论出发,引入合理的假设和简化,建立了描述熔体运动和气体穿透的数学模型,并在边界条件中反映出气体穿透和表面张力对熔体充填的影响.  相似文献   
52.
对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析.实验结果表明,衬底材料不同时,制作表面形貌良好并具有预定参数指标要求的微透镜阵列的工艺条件有明显的差异,给出了在几种衬底材料上刻蚀制作面阵微透镜阵列的离子束刻蚀速率与离子束能量之间相互关系的实测结果.  相似文献   
53.
本文研究了不同热处理制度对 LY12铝合金厚板化学铣削腐蚀坑的影响,表明这种合金化铣腐蚀坑产生的主要原因是溶质原子的偏析带,偏析带宽几十 μm。充分扩散退火能基本消除蚀坑,适当的过时效处理则可减轻蚀坑的出现.  相似文献   
54.
We adopted a new method, acid etching process, to fabricate the intrinsic Josephson junctions based on the Bi2Sr2CaCu2O8 x single crystals. By soaking the crystals into the dilute hydrochloric acid, we fabricated a junction stack successfully, and meantime made the surrounding area insulated. A certain concentration of hydrochloric acid was used to maintain the roughness of the modified layer. The cur-rent-voltage characteristic was achieved through the four terminal measurement. We could control the junctions' number by changing the concentration and the soaking time. We also found that the thick-ness of the stack was equal to the average height of the insulation layer. Such a simple, convenient and controllable fabrication method with a high yield might widen the applications of the intrinsic Joseph-son junctions.  相似文献   
55.
采用碱性腐蚀的典型微机械加工法 ,制备出了光滑曲面的硅微透镜列阵 ,对试验样品进行了轮廓曲线测试 ,计算出了该腐蚀工艺的快腐蚀面 .重点研究了微透镜列阵凹面的形成机理 ,提出了与试验测试结果相吻合的解释模型 .该模型对微光学透镜的设计加工具有重要指导意义 .  相似文献   
56.
目前制备量子线(点)主要采用微细加工或自组织方法,但存在沾污或分布规律不可控等局限性.介绍了一种既可避免这些缺点而且简单易行的方法:利用激光刻蚀与化学腐蚀相结合的方法,在InP单晶片上刻蚀出了台宽为1μm且分布规则的条状结构和网格结构,通过化学方法进一步腐蚀后,可使台宽减小到160nm左右.  相似文献   
57.
通过微观仿真刻蚀模型,结合河南油田某区块的孔隙结构,在水驱基础上进行表活剂驱、聚合物驱、聚合物/表活剂二元驱。分析研究了每种驱替体系对水驱产生的盲端、膜状、吸附、簇(柱)状、孤岛状的启动机理,同时量化三种化学体系对各类剩余油在模型中的驱替效率。实验结果表明,盲端剩余油适合高黏聚合物体系,针对不同形状盲端不同界面张力的体系作用效果不同;孤岛状剩余油适合高黏体系,界面张力对其影响不大;吸附状剩余油适合聚合物体系的黏度为(10~20)m Pa·s,且降低体系界面张力有利于启动此类型残余油,但在模型中多会形成此类残余油;膜状剩余油在低黏度聚合物体系下即可以很好启动,适宜体系界面张力数量级在10-1~10-2之间;化学驱启动剩余油,后续油启动运移过程中易形成小径簇状油,其含量在剩余油中占的饱和度较大。  相似文献   
58.
化学刻蚀法制备铝合金基超疏水表面   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用简单化学刻蚀法对铝合金基体进行腐蚀,得到了粗糙表面.然后对铝合金粗糙表面进行氟化处理,得到了具有超疏水的表面.研究了不同刻蚀时间以及不同刻蚀液浓度对表面疏水效果的影响.结果发现:在实验的参数条件下,不同刻蚀时间下,接触角随着氢氟酸刻蚀时间的增加,先增加后减少,当氢氟酸刻蚀时间为7 min时,所得试件水的接触角最大.不同刻蚀液浓度下,接触角随着盐酸浓度的增加,先增加后减少.当盐酸浓度为4 mol/L时,所得试件水的接触角最大.  相似文献   
59.
An experimental study of the dependence of SiO2 waveguide side wall roughness on the etch condi- tions and etch masks in CHF3/O2 based reactive ion etching plasma was reported. When working under standard low-pressure (20mtorr) etching conditions, a novel etch roughening phenomenon has been observed in the plasma, that is, the roughness of the etched front surface increases with the amount of material etched, independent of etch rate, RF power, and gas composition. Besides, the etched underlying side wall will be tapered as the upper SU-8 resist pattern degradation transfers downward. A process using double-layered mask, consisting of SU-8 resist and thin Chromium film, was developed for improving the side wall smoothness. Based on the studies, SiO2/Si channel waveguides with the propagation loss less than 0. 07dB/cm were fabricated at last.  相似文献   
60.
研究了950℃保温6min时Fe对金刚石的刻蚀反应,用AES微区成分分析给出了金刚石晶格中的C原子,自金钢石与Fe的相界面溶入Fe中的分布,并通过AESCKLL谱确认了溶入Fe中C的存在状态是石墨,而无碳化物相形成。  相似文献   
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