冷轧无取向硅钢片的磁性

研究了冷轧无取向硅钢片晶粒尺寸及其均匀性对铁损的影响,统计出不同温度氢气热处理和真空热处理后各种晶粒尺寸所占百分比。实验证明:晶粒平均尺寸接近临界值时,铁损最低。用腐蚀坑法和Bitter粉纹图法结合起来,研究了冷轧无取向硅钢片晶粒不同晶面在轧面上呈现的磁畴形貌及该畴对应的蚀坑,计算出了易磁化畴和复杂畴所占的百分比,阐述了它们对磁性的重要影响。     

气氛和温度对AlON透明陶瓷热腐蚀的影响

以氧化钇为烧结助剂，在流动氮气气氛下，经1880 ℃保温10小时获得AlON陶瓷.将所得到的陶瓷样品研磨抛光后分别在氮气（常压）气氛下1750℃,1680℃,1650℃和真空(<1.0*10-3Pa)气氛下1680℃,1650℃进行热腐蚀．保温时间均为2小时．然后将上述经热腐蚀后的各样品用扫描电子显微镜对其腐蚀表面进行了观察，进而研究气氛和温度对AlON陶瓷热腐蚀的影响．通过对以上结果的分析比较得到AlON热腐蚀的最佳条件为真空(<1.0*10-3Pa)条件下1650℃．最后对新生晶粒组成成份、产生的原因以及温度对陶瓷表面腐蚀程度的影响也进行了分析．     

密度梯度离心分离法研究银纳米片边缘晶面的反应活性

利用密度梯度法对纳米银片进行离心分离，在分离过程中使用巯基乙醇对银片进行轻度刻蚀。用透射电镜、紫外可见分光光度计对分离后的各层样品进行表征，结果表明：不同尺寸的银纳米片的边缘具有不同的反应活性，不同晶面的晶区大小同样影响银纳米片的反应活性；在银片边长为(135±5)nm时存在一个尺寸阈值，低于此尺寸阈值，银片(110)晶面的反应活性高于(100)晶面的活性，而高于此尺寸阈值，(100)晶面的活性高于(110)晶面的活性。     

对4J42合金蚀刻问题的初步研究

本文通过对４Ｊ４２合金在喷淋条件下的失重腐蚀实验进行研究，结果表明：腐蚀速度随ＦｅＣｌ３Ｂｅ°的提高而降低，随温度升高而增加，随盐酸浓度的增加而降低在喷淋条件下的标准板实验和金相观察结果表明：腐蚀速度越快，蚀刻因子越大     

铝箔电蚀隧道孔形貌及生长机理研究进展

铝电解电容器小型化、高比电容的发展趋势，对阳极铝箔的比表面积提出了更高的要求。为了进一步提高铝箔电蚀效果，必须对铝箔隧道孔生长机制有更透彻的了解，以及需要控制隧道孔生长模式以便最大限度地拓展铝箔比表面积。针对近年来国内外对铝箔电化学侵蚀的机理研究，进行了归纳总结，对国内腐蚀铝箔研制与生产具有指导作用。     

MEMS器件用叠层镍间结合强度的研究

针对MEMS器件用叠层镍间结合强度差这一难题,开展了基于盐酸化学刻蚀提高叠层镍间结合强度的工艺研究.主要考查了不同盐酸浓度、处理温度等对镍层层间结合强度的影响规律.借助SEM、Veeco轮廓分析仪等观察断面,分析结合强度改善的原因.结果表明:在45℃的温度下,经过50%HCl、10 min的化学刻蚀,叠层镍间结合强度达到567.7 MPa,比未经化学刻蚀处理的叠层镍间结合强度提高了6倍.通过SEM、Veeco等分析手段,初步解释了结合强度提高的原因.     

采用SF6＋O2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜

报道了在O2或SF6＋O2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理，使用牛津等离子科技公司的Plasmalab up型刻蚀仪，对厚度O-4um的聚酰亚胺膜，进行各向异性的刻蚀，获得了侧墙陡直的微细图形。     

有机玻璃的反应离子深刻蚀

以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压增大而加快,刻蚀速率主要受氧活性粒子浓度控制;气压超过一定值时,刻蚀速率反而减小,气压太高不利于各向异性刻蚀.刻蚀速率随功率增加而增大,适当增大功率有利于各向异性刻蚀.通过优化刻蚀工艺,可以获得侧壁较陡直光滑的有机玻璃微结构,扩展了加工微结构的方法.     

化学刻蚀法在PVC/CaCO3复合材料显微结构研究中的应用

针对未经刻蚀处理所制备的SEM样品在研究PVC/CaCO3复合材料显微结构时的缺陷--碳酸钙填料和聚氯乙烯基体间较小的光学反差使电镜下很难辨别填料在基体中的分散状况,首次将化学刻蚀法引入PVC/CaCO3复合材料的微观结构研究中.结果表明:化学刻蚀制样法令碳酸钙粒子在PVC基体中的分散结构变得直观可视,为PVC/CaCO3材料的性能研究和质量控制提供了可靠的材料学图像依据,为高聚物/无机粒子复合材料的微观结构研究开拓了新思路.该方法可应用于其它类似复合材料的研究.     

紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺

针对紫外（UV）压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点，采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀（RIE）工艺方法，研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响，得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图．实验结果表明，减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率，提高刻蚀各向异性．通过对刻蚀参数的优化配置，当射频功率在200W、反应气体流速在30mL／min、反应腔室压力为0．6Pa时，刻蚀速率可以稳定在265nm／min，各向异性值可以达到13，因此实现了对压印图质形的高质量转移．